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公开了半导体器件。所述半导体器件包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储器主体结构的端部处，并且包括掺杂有p型杂质的锗；以及漏极层，在存储器主体结构的另一端部处，并且包括金属或金属合金。存储器主体结构可包括：主...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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