存储器元件制造技术

本申请提供了一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，包括一第一表面；以及一位元线，设置于该半导体基板的该第一表面上，其中该位元线包括一第一介电层、设置于该第一介电层上方的一导电层、设置于该导电层上方的一第二介电层、及环绕该第一介电层、该导电层及该第二介电层的一间隙壁，其中该第二介电层包括被该间隙壁环绕的一第一部分、及设置于该第一部分上方并从该间隙壁露出的一第二部分，且其中该第一部分的一第一宽度大致上大于该第二部分的一第二宽度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件


[0001]本申请案主张美国第17/729,250及17/730,065号专利申请案的优先权(即优先权日为
“”“
2022年4月26日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是有关于一种存储器元件，特别是关于一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件。

技术介绍

[0003]对于许多现代化的应用来说，半导体元件是不可或缺的。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，同时提供了更多的功能且包含更多的集成电路。由于半导体元件的小型化，提供不同功能的各种类型和尺寸的半导体元件被集成并封装于单一模块中。再者，实施了许多制造操作以集成各种类型的半导体元件。
[0004]然而，半导体元件的制造和集成涉及许多复杂的步骤和操作，半导体元件的制造和集成的复杂性增加可能会造成缺陷，例如内连线结构的错位、桥接、短路等。因此，需要不断地改进半导体元件的制造过程及结构。
[0005]上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：一半导体基板，包括一第一表面；以及一位元线，设置于该半导体基板的该第一表面上，且包括一第一介电层、设置于该第一介电层上方的一导电层、设置于该导电层上方的一第二介电层、及环绕该第一介电层、该导电层及该第二介电层的一间隙壁，其中该第二介电层包括被该间隙壁环绕的一第一部分、及设置于该第一部分上方并从该间隙壁露出的一第二部分，且其中该第一部分的一第一宽度大致上大于该第二部分的一第二宽度。2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一部分的一第一高度大致上大于或等于该第二部分的一第二高度。3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一部分的该第一宽度与该第二介电层的一高度大致上一致。4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第二部分的该第二宽度与该第二介电层的一高度大致上一致。5.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一部分的一顶表面与该间隙壁的一顶表面大致上共平面。6.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一介电层及该第二介电层包括相同的材料。7.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一介电层及该第二介电层包括氮化物。8.如权利要求1所述的存储器元件，其中该导电层包括钨(W)。9.如权利要求1所述的存储器元件，其中该间隙壁包括氮化物及氧化物。10.如权利要求1所述的存储器元件，其中该间隙壁包括一第一层、一第二层及一第三层，且该第二层设置于该第一层与...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡子敬，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：