半导体结构的制备方法和半导体结构技术

本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；形成栅介质层、第一导电层和第二导电层，栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，第一导电层位于栅介质层上，第二导电层位于第一导电层上；其中，第一导电层和第二导电层共同形成字线，第一导电层的应力大于第二导电层的应力。由于第二导电层的应力小于第一导电层的应力，从而缓解字线的形变，降低对字线和DRAM的性能的影响。因此，本公开提供的半导体结构的制备方法和半导体结构，可以缓解字线的形变，提高字线和DRAM的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法和半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。
[0003]相关技术中，DRAM可以包括基底，基底上设置有多个重复的存储单元。每个存储单元可以包括晶体管和电容器，晶体管的栅极与字线相连、源极与位线相连、漏极与电容器相连。字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0004]然而，上述字线容易出现变形，从而对字线和DRAM的性能造成不良影响。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，可以缓解字线的形变，提高字线和DRAM的性能。
[0006]本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括间隔设置的多个有源区，所述衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，所述字线沟槽暴露所述有源区；形成栅介质层、第一导电层和第二导电层，所述栅介质层覆盖所述字线沟槽的槽壁，所述第一导电层位于所述栅介质层上，所述第二导电层位于所述第一导电层上；其中，所述第一导电层和所述第二导电层共同形成字线，所述第一导电层的应力大于所述第二导电层的应力。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一导电层和所述第二导电层包括：沉积第一导电材料层，所述第一导电材料层覆盖位于所述字线沟槽的所述栅介质层和所述衬底的顶部；沉积第二导电材料层，所述第二导电材料层位于所述第一导电材料层上，所述第二导电材料层填满所述字线沟槽；去除部分厚度的所述第一导电材料层和部分厚度的所述第二导电材料层，保留的所述第一导电材料层形成所述第一导电层，保留的所述第二导电材料层形成所述第二导电层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，沉积所述第一导电材料层的方法包括原子层沉积；和/或，沉积所述第二导电材料层的方法包括连续流沉积；和/或，沉积所述第一导电材料层的沉积温度大于沉积所述第二导电材料层的沉积温度；和/或，沉积所述第一导电材料层的沉积温度的范围为500℃
‑
800℃；和/或，沉积所述第二导电材料层的沉积温度的范围为350℃
‑
600℃。4.根据权利要求1
‑
3任一所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一导电层和所述第二导电层之后，包括：氮化处理所述第二导电层，形成氮化导电层，其中，所述氮化导电层的氯含量小于所述第二导电层的氯含量，所述氮化导电层的电阻率小于所述第二导电层的电阻率。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，氮化处理包括远程等离子体渗氮。6.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一导电层和所述第二导电层之前包括：将所述衬底置于沉积腔室中；沉积所述第一导电材料层包括：多次循环执行第一复合操作，所述第一复合操作包括：向所述沉积腔室提供第一金属源，以在所述字线沟槽的所述栅介质层和所述衬底的顶部形成第一金属源层；第一次排出所述沉积腔室中的气体；向所述沉积腔室提供第一氮源，所述第一氮源与所述第一金属源层反应，以形成所述第一导电材料层；第二次排出所述沉积腔室中的气体。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，沉积所述第二导电材料
层包括：多次循环执行第二复合操作，所述第二复合操作包括：同时向所述沉积腔室提供第二金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘严华，俞华亮，冯伟，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：