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本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；形成栅介质层、第一导电层和第二导电层，栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，第一导电...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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