【技术实现步骤摘要】
存储装置
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2022
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47429号(申请日：2022年3月23日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
[0003]实施方式大体上涉及一种存储装置。
技术介绍
[0004]已知有包含三维排列的存储单元的存储装置。存储装置需要高速进行动作。
技术实现思路
[0005]实施方式提供一种能够高速进行动作的存储装置。
[0006]一实施方式的存储装置包含第1导电体、第1存储器柱、第2导电体、第3导电体、第2存储器柱、第4导电体及第5导电体。所述第1导电体沿着第1轴及第2轴扩展。所述第1存储器柱设置在所述第1导电体的内部，包含第1半导体及所述第1半导体周围的电荷蓄积层。所述第2导电体沿着所述第2轴延伸，与所述第1存储器柱相接。所述第3导电体沿着第1轴及第2轴扩展，且沿着所述第2轴与所述第1导电体留有间隔地排列。所述第2存储器柱设置在所述第3导电体的内部，包含第2半导体及所述第2半...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，具备：第1导电体，沿着第1轴及第2轴扩展；第1存储器柱，设置在所述第1导电体的内部，包含第1半导体及所述第1半导体周围的电荷蓄积层；第2导电体，沿着所述第2轴延伸，与所述第1存储器柱相接；第3导电体，沿着所述第1轴及所述第2轴扩展，且沿着所述第2轴与所述第1导电体留有间隔地排列；第2存储器柱，设置在所述第3导电体的内部，包含第2半导体及所述第2半导体周围的电荷蓄积层；第4导电体，沿着所述第2轴延伸，与所述第2存储器柱相接；及第5导电体，沿着所述第2轴延伸，与所述第1存储器柱及所述第2存储器柱连接。2.根据权利要求1所述的存储装置，还具备第3半导体，所述第3半导体与所述第1半导体及所述第2半导体相接，且与所述第5导电体相接，包含杂质。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第2导电体与第1感测放大器电路连接，所述第4导电体与第2感测放大器电路连接。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中所述第1感测放大器电路及所述第2感测放大器电路位于所述第1导电体及所述第3导电体的沿着与所述第1轴及所述第2轴相交的第3轴的下方。5.根据权利要求1所述的存储装置，还具备：第1垫；及第1晶体管，与所述第5导电体连接；且所述第1垫、所述第3导电体、所述第1导电体、所述第1晶体管依序沿着所述第2轴排列。6.根据权利要求1所述的存储装置，还具备：衬底；第2晶体管，位于所述衬底上；第6导电体，与所述第2晶体管连接，具有倒锥形；及第7导电体，设置在所述第6导电体上，具有锥形。7.根据权利要求1所述的存储装置，还具备：衬底；第2晶体管，设置在所述衬底上，位于所述衬底与所述第1导电体之间；第8导电体，位于所述第1存储器柱的沿着第3轴的上方，与所述第1存储器柱连接，所述第3轴与所述第1轴及所述第2轴相交；及第9导电体，连接于所述第2晶体管及所述第8导电体，沿着所述第3轴延伸。8.根据权利要求1所述的存储装置，还具备第10导电体，所述第10导电体沿着所述第2轴延伸，与所述第5导电体沿着所述第1轴排列，具有向外部露出的部分。9.根据权利要求1所述的存储装置，还具备：第11导电体，与所述第1导电体沿着所述第1轴排列，且沿着所述第1轴及所述第2轴扩展；
第3存储器柱，设置在所述第11导电体的内部，包含第3半导体及所述第3半导体周围的电荷蓄积层，与所述第5导电体连接；第12导电体，位于所述第1导电体的沿着与所述第1轴及所述第2轴相交的第3轴的上方，与所述第1导电体连接，沿着所述第3轴延伸；及第13导电体，位于所述第11导电体的沿着所述第3轴的上方，与所述第11导电体连接，沿着所述第3轴延伸。10.根据权利要求9所述的存储装置，还具备：第1开关，具有与所述第1导电体连接的第1端及与第1配线连接的第2端；第1解码器，经由第2配线与所述第1开关的控制端子连接；第2开关，具有与所述第3导...
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