本发明提供一种能够实现半导体装置的窄间距化的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：基底基板，其包含布线层；第一芯片，其设置在所述基底基板之上；第二芯片，其设置在所述第一芯片之上；以及树脂膜，其设置在所述第一芯片的...

实施方式提供一种恰当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元阵列及周边电路。存储单元阵列具备多个第1半导体层及多个第1通孔电极。周边电路具备：多个第1节点，与多个第1通孔电极对应设置；充电电路，对多个第1节点进行充电...

实施方式提供能够使抗蚀剂膜的表面的平坦性良好的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：收容部，收容基板；支承部，支承所述收容部内的所述基板；以及抗蚀剂材料供给部，向所述基板上供给抗蚀剂材料。所述装置还具备抗...

实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其与第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在栅电极与第1氧...

实施方式提供能够实现可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层，在第1方向上延伸；导电层，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相对；电荷蓄积层，设置于半导体层与导电层之间；第1绝缘层，设置于半导体层与电荷蓄积...

一个实施方式提供能够将键值对适当地保存到非易失性存储器的永久存储装置、主机及永久存储装置的控制方法。根据一个实施方式，提供具有存储介质和控制器的永久存储装置。存储介质能够保存键值对。键值对由键和值组成对。控制器生成识别键的识别信息。控制...

实施方式提供适合于高性能化的半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备第一布线、第二布线、柱状绝缘部、以及第一绝缘层。所述第一绝缘层具有第一缘。在将所述第一缘上且最靠近所述柱状绝缘部的位置设为第一位置、将所...

实施方式提供能够抑制由贴合工艺引起的制造成品率、品质的降低的半导体装置及半导体制造装置。实施方式的半导体装置(1)具备第1器件构成部和与第1器件构成部贴合的第2器件构成部，该第1器件构成部具备设置于大致圆形状的半导体基板(2)的第1金属...

本发明的一实施方式提供能够除去包含金属元素的副产物的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：包含顶板和侧壁的腔室；设置于腔室中并保持基板的保持器；对保持器或顶板施加高频功率的第1高频电源；对保持器施加高频功率...

实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其在第1方向上交替地层叠了栅电极层和第1绝缘层而成；半导体层，其设置在层叠体中，在第1方向上延伸；第2绝缘层，其设置在半导体层与层叠体之间；第3绝缘层，其设置在第2绝缘层与层叠体之间；以及第1层，其...

本发明的一个实施方式提供能够应对接口标准的变更的存储系统。实施方式的存储系统(1)能够与主机装置(100)连接。存储系统(1)包括非易失性存储器(10)和控制器(20)，控制器(20)对非易失性存储器(10)进行控制，被供给第1电压。存...

提供半导体集成电路及信号处理装置，能够高精度地对信号的波形进行整形。根据一个实施方式，提供具有波形整形电路的半导体集成电路。波形整形电路接收信号。波形整形电路在第一期间以第一电感值进行动作。第一期间是与信号的波形的上升或下降对应的期间。...

提供能够抑制在存储系统的连接器与主机装置的连接器之间流动的电信号的特性劣化的基板及存储系统。基板包括能够嵌合于主机装置的连接器的第1连接器(101)。第1连接器(101)包括在第1方向上配置的多个连接器端子(101b)和包括设置有多个连...

实施方式的半导体存储装置具备衬底(20)、积层体(21、22、23)、第1导电体(C0V、C1V)、第2导电体(71)、及第3导电体(C2V、C3V)。衬底具有第1区域(CR)、及俯视下包围第1区域的第2区域(ER)。积层体在第1区域内...

实施方式提供容易小型化的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：板电极；多个存储电容器，沿着板电极的表面排列；以及多个存储晶体管，电连接于多个存储电容器。各个存储电容器具备：柱状的第1电极，电连接于存储晶体管；电介质层...

实施方式提供一种能够将多个导电层与多个触头更可靠地连接的半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置的制造方法中，反复进行多次以下处理，即：在通过减薄使第二掩模层向朝向第一边的第一方向后退的同时，将多个第一绝缘层及...

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。一个实施方式所涉及的基板处理装置具备：基板保持部，具有将基板大致水平地保持的平台；冻结液供给部，向基板供给冻结液；冷却部，冷却冻结液而形成冻结膜；以及喷嘴，在俯视观察下所述喷嘴在包含平台的中心部的第...

提供能进行适宜的写入动作的半导体存储装置。装置执行：写入动作，包含多个第1写入循环，其中包含对第1导电层供给第1编程电压，对第2导电层供给比第1编程电压小的第1写入路径电压的第1编程动作，第1编程电压随着第1写入循环的执行次数增加而逐次...

本发明的实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置(1)包括设置在基板(11)上的处理电路(12)、与处理电路(12)相连接的多个贴合电极(P2)以及与多个贴合电极(P2)相连接的多个贴合电极(P1)。另外，也包括...

本发明的实施方式提供一种晶体管特性优异的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置于第1电极与第2电极之间，包含第1区域、第1区域与第2电极之间的第2区域、及第1区域与第2区域之间的第...