实施方式提供一种使外部磁场耐受性提高的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、层叠体、第1非磁性层、第2非磁性层以及第3非磁性层。层叠体相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反...

实施例提供了能够维持存储器基元的特性并减小漏电流的存储装置。一种存储装置包括存储器基元，存储器基元包括可变电阻元件以及具有骤回电流

实施方式提供一种能提高特性的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，包含硅(Si)；第1绝缘层，设置在半导体层的第1方向；第2绝缘层，在与第1方向垂直的第1剖面中，由半导体层包围，包含硅(Si)及氧(O)；第3绝...

本公开涉及存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。实施例提供了具有改善的可靠性的存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。一种存储器系统包括第一和第二存储器基元以及控制器，该控制器被配置为将具有第一值的数据写入第一存储...

提供能够不增大电路面积地进行在半导体封装的内部连接的内部布线的连接检测测试的半导体装置以及半导体装置的测试方法。本实施方式的半导体装置具有第一焊盘、第二焊盘、内部布线、电源电路、开关、控制电路。第一焊盘形成于第一半导体芯片，并与配置于电...

本发明提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至...

根据实施方式，半导体存储装置包括多个导电体层，多个导电体层中的每一个包括第一部分和比第一部分厚的第二部分；第一绝缘体部，与第一导电体层的第二部分和第二导电体层的第二部分接触；以及第二绝缘体部，与第三导电体层的第二部分接触，其中，所述第二...

本实施方式涉及一种等离子处理装置及等离子处理方法。等离子处理装置(10)具备：衬底保持件(40)，保持半导体衬底(W)；气体供给部(70)，向形成在半导体衬底(W)与衬底保持件(40)之间的气体供给空间(F11,F12)供给混合气体；流...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括：在第1膜内形成孔，在所述孔内的所述第1膜的侧面形成半导体层。所述方法还包括：在所述半导体层的第1区域的侧面形成第2膜，在所述半导体层的所述第1区域上方的第2...

能够确定哪一数据丢失的存储器系统以及存储器系统的控制方法。存储器系统的控制器响应于从主机接收到指定逻辑地址的写入命令，将从主机接收的数据写入第一写入目标块。控制器管理第一列表以及第一存储位置信息，第一列表包含与从主机接收完成且向第一写入...

本发明的实施方式提供一种能稳定地输出读出数据的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置(2)的定序器(41)将与存储器控制器(1)所请求的数据不同的非正规数据作为与最初以指定次数接收到的各读出信号对应的数据，使其从第2保存部(520)向输...

本公开涉及非易失性存储器装置中的与命令协议相关的主机错误的识别和容忍。本文描述的各种实施方式涉及用于管理向超级块的写入命令的系统、方法和非暂时性计算机可读介质，其包括由存储装置从主机接收写入命令和写入数据。写入命令指示写入数据将被写入存...

本公开涉及存储器系统和对从多个存储器基元读取的数据执行错误纠正的方法。实施例提供了具有增强的错误纠正能力的存储器系统和对从多个存储器基元读取的数据执行错误纠正的方法。一种存储器系统包括：半导体存储器装置，其包括多个存储器基元，每个存储器...

实施方式提供能够将半导体基板等基板的基于处理液的处理均等化的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(1)具备：处理槽(2)，其贮存处理液，并且将由处理液处理的多个基板(W)以在预定方向上排列的状态进行容纳；内壁(3)，其以覆盖多个基板(W...

根据实施例的半导体装置包含衬底、晶体管、绝缘层及第一密封部分。所述衬底包含第一区及经设置以包围所述第一区的外周边的第二区。所述晶体管经设置于所述第一区中所述衬底上。所述绝缘层经设置于所述晶体管上方及所述第一区及所述第二区之上。所述第一密...

实施方式提高存储器系统的处理能力。根据实施方式，存储器系统包括包含存储单元阵列(111)的存储器芯片(11)、及控制存储器芯片的存储器控制器(20)。在存储单元阵列中，存储在存储器芯片启动时执行的第1动作(POR)中所使用的第1数据(芯...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包含如下步骤：在第1衬底上形成第1膜；在所述第1膜内的第1部分形成多孔层，并在所述第1膜内的第2部分形成非多孔层；在所述第1膜上形成包含第1器件的第2膜；在第2衬...

提供能够有效地提供内部数据的存储器系统及控制方法。控制器构成为：基于来自主机的第1写命令将第1数据向第1存储区域写入，确定被分配给写入的所述第1数据的逻辑地址，从第2存储区域读出管理数据所包括的由所述控制器生成的内部数据，将读出的所述内...

本发明提供一种能提高抹除动作的性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个存储单元、及控制对所述多个存储单元进行的抹除动作的控制电路，所述抹除动作包含对所述多个存储单元施加抹除电压的抹除处理、及判定所述抹除处理后的所述多个存储...

提供能够适宜地搭载电容器的存储系统。实施方式的存储系统具备存储器、控制存储器的控制器及供所述存储器及所述控制器安装的第1基板。存储系统还具备模块部件，该模块部件具备各自具有引线的1个以上的电容器、供所述1个以上的电容器安装的第2基板及与...