半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，以被覆所述部件的方式设置在所述第1面上，且与所述柱状电极电连接。且与所述柱状电极电连接。且与所述柱状电极电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请][0002]本申请享有以日本专利申请2022
‑
041598号(申请日：2022年3月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]在半导体封装中，有时会设置电极垫用于电连接。对于电极垫，期望连接可靠性高。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0006]本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，以被覆所述部件的方式设置在所述第1面上，与所述柱状电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属层的上端部比所述第2金属层的上端部更靠近所述第1面，所述电极与所述第2金属层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察时，所述第1金属层为环状。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件以从所述第1方向观察时，不与所述柱状电极的至少一部分重叠的方式配置。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察时，所述部件为环状。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件的材料与所述柱状电极的材料不同。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件的材料使用金属或有机物。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中作为所述部件的材料的金属包括Ni、Co、Au、Ag、Pd、Rh、Pt...

【专利技术属性】
技术研发人员：正村将利，右田达夫，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：