半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:38907640 阅读:25 留言:0更新日期:2023-09-25 09:26
本发明专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明专利技术的半导体装置具备:层间绝缘膜(14);层间绝缘膜(13),积层于层间绝缘膜(14)而配置;金属焊垫(38),设置在层间绝缘膜(14)中;金属焊垫(41),设置在层间绝缘膜(13)中,与金属焊垫(38)连接;及薄膜(16),设置在层间绝缘膜(13)、(14)的交界区域。金属焊垫(38)与金属焊垫(41)的交界区域的硅原子浓度大于金属焊垫(38)的内部的硅原子浓度,且大于金属焊垫(41)的内部的硅原子浓度。焊垫(41)的内部的硅原子浓度。焊垫(41)的内部的硅原子浓度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在将某一衬底与另一衬底贴合来制造半导体装置的情况下,理想的是减少这些衬底的金属焊垫彼此的接合不良。
[0003][
技术介绍
文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]美国专利US6962835号公报
[0006][专利文献2]国际专利申请公开WO2016/152513号公报

技术实现思路

[0007][专利技术要解决的问题][0008]根据公开的实施方式,提供一种能使金属焊垫彼此适当地接合的半导体装置及其制造方法。
[0009][解决问题的技术手段][0010]实施方式的半导体装置具备:第1绝缘膜;第2绝缘膜,积层于第1绝缘膜而配置;第1金属焊垫,设置在第1绝缘膜中;第2金属焊垫,设置在第2绝缘膜中,与第1金属焊垫连接;及第3绝缘膜,设置在第1绝缘膜与第2绝缘膜的交界区域。第1金属焊垫及第2金属焊垫含有铜。第3绝缘膜含有硅。第1金属焊垫与第2金属焊垫的交界区域的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,具备:衬底;第1绝缘膜,设置在所述衬底的上方;第2绝缘膜,配置在所述衬底与所述第1绝缘膜之间;第1金属焊垫,设置在所述第1绝缘膜内;及第2金属焊垫,设置在所述第2绝缘膜内,与所述第1金属焊垫接合;且所述第1金属焊垫与所述第2金属焊垫的接合部分的硅原子浓度大于从所述接合部分起远离所述衬底的方向上的所述第1金属焊垫的第1部分的硅原子浓度,且大于从所述接合部分起靠近所述衬底的方向上的所述第2金属焊垫的第2部分的硅原子浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间还设置着与所述第1及第2绝缘膜相接的第3绝缘膜,所述第3绝缘膜含有氮。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第3绝缘膜还含有硅。4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第3绝缘膜还含有碳。5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第3绝缘膜的厚度为10nm以下。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第1金属焊垫及所述第2金属焊垫含有铜。7.根据权利要求1所述的半导体装置,还具备存储单元阵列,所述衬底与所述存储单元阵列之间具有所述第1金属焊垫及所述第2金属焊垫,所述存储单元阵列包含沿与所述衬底的表面水平的第1方向延伸的多个电极层、及沿与所述第1方向交叉的第2方向贯穿所述多个电极层的柱状部。8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述存储单元阵列设置在所述第1绝缘膜中。9.一种半导体装置,具备:衬底;绝缘膜,设置在所述衬底的上方;及金属焊垫,设置在所述绝缘膜内;且所述金属焊垫具有:离所述衬底第1距离的第1部分,离所述衬底第2距离的第2部分,离所述衬底第3距离的第3部分,所述第2部分的硅原子浓度大于所述第1部分的硅原子浓度,所述第2部分的硅原子浓度大于所述第3部分的硅原子浓度,所述第2距离大于所述第1距离,所述第3距离大于所述第2距离。10.一种半导体装置,具备:
衬底;第1绝缘膜,设置在所述衬底的上方;第2绝缘膜,配置在所述衬底与所述第1绝缘膜之间;第1金属焊垫,设置在所述第1绝...

【专利技术属性】
技术研发人员:奥田真也
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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