半导体器件及其形成方法技术

提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体行业经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的改进来自最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多组件集成到给定的区域中。随着对缩小电子器件的需求不断增长，对半导体管芯更小且更具创造性的封装技术的需求也随之出现。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与所述间隙填充电介质、所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于所述保护盖周围，所述隔离层设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯上。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一层级的第一集成电路管芯；第二层级的第二集成电路管芯；隔离层，位于所述第一层级的第一集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与所述间隙填充电介质、所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于所述保护盖周围，所述隔离层设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙填充电介质在所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁之间具有第一宽度，所述保护盖在所述保护盖的第一外侧壁和第二外侧壁之间具有第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙填充电介质在所述第一集成电路管芯的第一侧壁和所述第二集成电路管芯的第二侧壁之间具有第一宽度，所述保护盖在所述保护盖的第一外侧壁和所述第二外侧壁之间具有第二宽度，并且所述第二宽度基本上等于所述第一宽度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护盖和所述隔离层设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯的前侧处。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护盖和所述隔离层设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯的背侧处。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶德强，史朝文，叶松峯，宋大豪，萧闵谦，郭峻江，林宗澍，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：