本发明提供一种用于确定包括第一波导和共振器的光学装置的参数的方法。该方法包括将光信号从第一波导耦合到共振器。共振器包括第一P/N结和环形波导，第一P/N结被配置为调变共振器的共振频率直到光信号在共振器中共振。该方法更包括从第一波导的直通...

本发明提供一种集成电路及制造其的方法。在半导体衬底的装置区中形成包含一个或多个鳍式场效晶体管（finFET）的鳍区以及形成邻近鳍区的高压（HV）平面区，每个装置区的finFET包括一个或多个鳍片，所述鳍片形成为具有距离鳍状基板区的第一高...

本发明提供封装结构及其制造方法。封装结构包括衬底、中介结构、第一半导体结构和第二半导体结构。衬底包括封装基板单元和覆盖封装基板单元侧壁的绝缘材料。中介结构设置在衬底上。中介结构包括导电柱和侧向包覆导电柱的包封材料。第一半导体结构设置在衬...

在一实施例中，一种波导，包括：基底，在剖面示意图中具有圆形的边缘部；波导包覆层，于基底的前侧上，波导包覆层的外缘具有斜面轮廓，斜面轮廓重叠基底具有圆形的边缘部；以及波导核心，于波导包覆层中，波导核心的顶面与波导包覆层的顶面实质上共平面。

本揭露的实施例提供一种半导体装置结构及其制造方法。此结构包括一个或多个半导体层设置于基板部分上；源极/漏极区设置为相邻于基板部分和一个或多个半导体层之间；以及第一应力层设置于源极/漏极区下方，其中气隙形成于第一应力层与源极/漏极区之间。

本申请的实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。方法包括：提供结构，该结构包括底部源极/漏极部件、布置于底部源极/漏极部件上方的底部层间介电(ILD)层、布置于底部ILD层和底部源极/漏极部件上方的顶部源极/漏极部件、以及布置于顶部源极...

本发明的实施例提供了一种生成集成电路(IC)器件的布局图的方法包括：接收所述IC器件的布局图，所述IC布局图包括具有跨越有源区的第一宽度的栅极区域以及沿所述第一宽度位于第一位置处的第一栅极通孔；构建栅极电阻紧凑网络，该紧凑网络包括由所述...

本申请的实施例公开了一种时间数字转换器件、集成电路管芯及计数值的生成方法。时间数字转换器件实施例包括配置为响应于第一事件输出第一时钟信号的第一振荡器和配置为响应于第二事件输出第二时钟信号的第二振荡器。时间数字转换器件实施例还包括相位检测...

本申请的实施例公开了半导体器件及其布局平面图的生成方法。一种实施例半导体器件包括第一电路单元和在其与第二电路单元之间的单元边界处与第一电路单元邻接的第二电路单元。第一电路单元包括第一金属化层的第一金属化线区中的第一一个或多个导电线，并包...

本技术提供提出一种半导体装置，其包括：半导体装置，包括：半导体衬底；多个第一衬底穿孔与多个第二衬底穿孔，延伸穿过半导体衬底；内连线结构，设置在半导体衬底上方，内连线结构包括电耦合至第一衬底穿孔的多个第一金属化图案及电耦合至第二衬底穿孔的...

本发明的实施例提供一种集成电路及其操作方法。集成电路可以包括物理上形成在衬底上的多个存内计算(CIM)电路。多个CIM电路中的每个可以包括：输入电路，其被配置为接收多个第一数据元素；存储器阵列，其耦合到所述输入电路并被配置为存储所述多个...

本申请涉及底层组合物和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂底层。所述抗蚀剂底层包括底层组合物，所述底层组合物包括：具有悬垂光致酸产生剂(PAG)基团、悬垂热致酸产生剂(TAG)基团或悬垂PAG基团和悬...

提供一种晶片封装体结构及其形成方法。方法包含提供晶片，晶片具有半导体基板，半导体基板具有前侧表面及后侧表面。方法包含自后侧表面部分地移除半导体基板以形成凹槽于半导体基板中。方法包含将散热件接合至晶片。散热件具有第一通道及第二通道，且第一...

本技术的各种实施例涉及一种系统，所述系统包括其中存放冷却剂的冷却剂箱。在操作时产生热能的一或多个电子组件存放在冷却剂箱内而且被浸没(例如，被部分淹没或被完全淹没)在冷却剂内以减少在操作时产生的热能。一或多个传感器被配置为在操作中监测冷却...

本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：多个半导体纳米结构；围绕每个半导体纳米结构的栅极堆叠；沿栅极堆叠的侧壁延伸的栅极间隔件；第一源极/漏极区域，电连接到多个半导体纳米结构中的第一半导体纳米结构；设置在第一...

本技术实施例涉及一种扫描链电路以及将重复序列加载至触发器的控制电路，用于将重复的位序列输入至包含多位触发器和单位触发器的触发器序列。一个例子包括控制电路，该控制电路包括位计数器、多任务器、第一组控制电路以及第二组控制电路。

本申请的实施例涉及制造半导体器件的方法和系统。对于制造半导体器件的方法，相应的布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，布局图相对于第一和第二垂直方向布置，布局图包括单元，使得对于单元的子集，子集中的单元中的每个主题(主题单元)具有邻域，该...

本发明提供一种半导体组件，其包括含衬底穿孔（TSV）的半导体管芯、黏着层和半导体载体衬底。含衬底穿孔（TSV）的半导体管芯包括第一半导体衬底，其中形成衬底穿孔（TSV）结构、第一半导体组件和位于第一半导体衬底前侧的前侧连接焊盘，以及位于...

一种激发激光系统及操作激发激光系统的方法，操作激发激光系统的方法包括测量激光光束的工作功率、判断工作功率是否低于阈值功率值、光学测量从激光光束的增益介质发射的光谱以确定增益介质的成分，及根据光学测量调整增益介质的成分。一种装置包括：光学...

本申请公开了源极/漏极外延轮廓及其实现方法。一种方法包括：形成多个半导体纳米结构，其中，多个半导体纳米结构中的上面的半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应的下面的半导体纳米结构重叠。该方法还包括：在多个半导体纳米结构旁边形成源极/漏...