本公开实施例的一个方面涉及方法。方法包括在衬底上方形成堆叠半导体器件，堆叠半导体器件具有位于底部晶体管上方的顶部晶体管。第一层间介电(ILD)层垂直设置在顶部晶体管和底部晶体管之间。方法包括穿过顶部晶体管的顶部源极/漏极(S/D)部件并...

本发明提供一种半导体装置包括电容器结构，该电容器结构包括具有多个氧化铝层和多个氧化锆层的绝缘层堆叠。绝缘层堆叠形成于电容器结构的底部电极层上。氧化铝层在绝缘层堆叠的底部和顶部的排列防止氧从氧化锆层迁移到电容器结构的电极层，同时达成比具有...

本发明的实施例提供了一种集成电路器件，其为可以与GaN高电压器件集成的保护电路，包括由串联连接在信号输入和参考输入之间的正向触发的场效晶体管(FET)和反向触发的FET所组成的主要放电路径。包含正向整流器的第一分压器网络和包含反向整流器...

存储器单元包括：有源区域，沿着第一方向纵向延伸；以及第一栅极结构和第二栅极结构，沿着与第一方向不同的第二方向纵向延伸。第一栅极结构接合有源区域以形成第一晶体管，并且第二栅极结构接合有源区域以形成第二晶体管。存储器单元还包括：第一外延部件...

本发明的实施例提供了一种接合IC器件的方法。第一接合结构相对于第二接合结构定位。第一接合结构包含第一对准部件。第二接合结构包括第二对准部件，该第二对准部件沿垂直方向朝向第一对准部件。当第一对准部件和第二对准部件对准时，第一对准部件和第二...

本申请实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括：形成下部源极/漏极区域；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域；在上部源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；以及在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质。该方法还包括：使层间电介质凹进以...

提供一种无等离子干式蚀刻方法。将包括形成于基体上的介电质层的半导体结构置放在蚀刻腔室中，以执行该无等离子干式蚀刻方法。主要蚀刻剂气体、第一气体及前驱物被引进该腔室中。在该蚀刻程序期间，钝化源被产生以阻碍该主要蚀刻剂气体及该第一气体与该介...

在实施例中，方法可以包括在介电层中形成导通孔，执行定向蚀刻工艺以扩大导通孔的一侧，以及在定向蚀刻工艺之后，在介电层中形成沟槽孔，其中沟槽孔位于导通孔之上并且与导通孔空间连接，其中定向蚀刻工艺产生具有从导通孔的中心测量的第一侧宽度和第二侧...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个纳米结构、第一外延结构、第二外延结构、栅极结构、多个内部间隔件和多个硅基帽盖层。多个纳米结构可以设置在彼此之上并且彼此间隔开。第一外延结构和第二外延结构可以分别耦合到多个纳米结构...

提供了半导体器件及制造方法，其中在衬底之上形成底部金属并处理底部金属以形成第一无氧区。在底部金属之上沉积第一电介质材料，并且图案化第一电介质材料以暴露底部金属。在第一电介质材料内形成电容器。

本技术的各种实施例是关于一种晶体管结构，所述晶体管结构包括场板结构及穿过场板结构的多个介电结构。在晶体管结构的俯视图中，介电结构可以布置成网格。与不存在介电结构的情况相比，介电结构使得场板结构的位置能够更靠近晶体管的栅极结构，这使得场板...

本公开实施例提供一种半导体装置，包括排列在垂直于半导体基板的第一方向上的多个第一纳米结构通道、排列在第一方向上且在第二方向上邻近第一纳米结构通道的多个第二纳米结构通道，第一纳米结构通道和第二纳米结构通道延伸在垂直于第二方向的第三方向上。...

提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、鳍片结构、栅极结构与源极/漏极结构。鳍片结构包括第一半导体层、第二半导体层与第三半导体层。第一半导体层、第二半导体层与第三半导体层互相垂直地分离，第二半导体层位于第一半导体层与第三半导体层之间。栅...

一种封装体结构。封装体结构包括第一晶粒，形成于中介层上方，第一晶粒包括第一逻辑装置、形成于第一逻辑装置上方的第一存储器装置、以及位于第一逻辑装置与第一存储器装置之间的混合式接合结构。封装体结构包括与第一晶粒相邻的第二晶粒。第二晶粒包括第...

一种半导体装置包含多个纳米结构通道、多个内间隔物、栅极结构及源/漏极区。纳米结构通道位于基板上，并沿垂直基板的方向设置，以及包含第一纳米结构通道及位于第一纳米结构通道上方的第二纳米结构通道。源/漏极区邻接纳米结构通道。栅极结构围绕纳米结...

半导体装置包括垂直堆叠在基板上方的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层横向延伸穿过基板。半导体装置包括从基板垂直延伸并垂直于第一半导体层和第二半导体层的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构接合第一半导体层和第二半导...

本公开一些实施例提供自栅极至接触件的导电路径中电阻降低的半导体装置。半导体装置包括位于半导体基板上方且包括顶部内栅极部分的多栅极结构、横向邻近于多栅极结构的源极/漏极特征、位于多栅极结构及源极/漏极特征上方的层间介电层、穿过层间介电层延...

提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成半导体层堆叠件，半导体层堆叠件具有位于下部沟道层上方的上部沟道层，形成半导体层，半导体层包括对下部沟道层引起压缩应变的下部部分和对上部沟道层引起拉伸应变的上部部分，其中下部部分...

通过垂直集成(例如，接合)半导体管芯来形成半导体器件(例如，集成芯片上系统(SoIC)器件)，其中，半导体管芯的每个具有前侧互连结构并且具有背侧互连结构。使用前侧至前侧接合工艺来接合集成半导体管芯，这减小了集成半导体管芯之间的通信路径的...

本公开的实施例提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一晶体管，该第一晶体管包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；和第一沟道区域，连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及第二晶体管，该第二晶体管包括：第一源极/漏极区...