一种半导体结构，该半导体结构包括在一晶体管的一栅极结构上的一栅极接触结构。该栅极接触结构包括一金属通孔，其穿过一介电层且接触该栅极结构的一栅极电极。该金属通孔包括具有电阻率与平均自由路径的低乘积值的一金属，诸如钌。在该金属通孔与该栅极电...

本技术提供一种半导体装置，所述半导体装置包括半导体衬底、内连线以及至少一个热通孔。半导体衬底包括至少一个有源构件。内连线被设置在至少一个有源构件上方且与至少一个有源构件电耦合。至少一个热通孔贯穿内连线并与至少一个有源构件热耦合，其中至少...

本技术的实施例提供一种半导体结构包括彼此堆叠并接合的第一半导体管芯和第二半导体管芯、密封第一和第二半导体管芯的接合界面的封盖层以及设置在第二半导体管芯上方并覆盖第一半导体管芯和封盖层的绝缘包封体。第一半导体管芯包括第一部分和连接到第一部...

本技术实施例的半导体装置包括第一集成电路、第二集成电路以及接合层。接合层位于第一集成电路和第二集成电路之间，其中接合层包括第一层和第二层，第一层为氮化铝(AlN)层，以及第二层为氧化铝(AlO)层和氮氧化铝(AlON)层中一者。

集成电路包括第一有源区域组以及第一栅极组和第二栅极组。第一有源区域组在第一方向上延伸，并且位于第一层级上。第一有源区域组对应于第一晶体管。第二栅极组在第二方向上延伸，位于第二层级上，并且与第一有源区域组重叠。第一栅极组对应于第一晶体管。...

本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔...

提供半导体装置及形成方法。例示性方法包含接收晶体管，包含栅极结构于通道区上方，第一及第二源极∕漏极部件耦合至通道区，及介电结构于第一及第二源极∕漏极部件上方；形成第一沟槽延伸穿过介电结构以露出第一源极∕漏极部件，形成第二沟槽延伸穿过介电...

一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含设置在基板上方的互连结构、设置在互连结构上方的第一介电层、以及设置在第一介电层上的第二介电层。第二介电层包括具有大于约20的k值及小于约5eV的带隙的介电材料。半导体装置结构还包含设置在...

一种封装结构及其形成方法，封装结构包含封装基板、半导体模组、复合热界面材料(TIM)层、封装盖基板以及反应性界面层，其中半导体模组位于封装基板上，复合热界面材料层包含在聚合物基质中的液态金属、且位于半导体模组上，封装盖位于复合热界面材料...

根据本公开的半导体结构包括半导体结构，该半导体结构包括背侧介电层、位于背侧介电层上方的背侧蚀刻停止层(ESL)、位于背侧ESL上方并且沿着第一方向彼此间隔开的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件与第二源极/漏...

形成半导体器件的方法包括：通过在鳍上方依次形成介电材料、牺牲材料、第一半导体材料和第二半导体材料而在鳍上方形成层堆叠件；在层堆叠件上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域；在伪栅极结构周围的源极/漏极区域上方形成层间...

本公开提供了一种半导体结构，其包括具有前侧和背侧的衬底；SRAM电路，其具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器、耦合到两个反相器的两个写入传输门、耦合到两个反相器的读取下拉器件和耦合...

在实施例中，抛光系统可以包括抛光台。该抛光系统还可以包括：位于抛光台上的抛光垫；配置为保持晶圆与抛光垫接触的抛光头；电容传感器，配置为在抛光工艺期间测量晶圆上的介电薄膜的电容；以及电连接到电容传感器的控制器。控制器可以配置为基于测量到的...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括：第一存储器单元和第二存储器单元，分别通过第一位线和第二位线耦合到第一感测放大器；第三存储器单元和第四存储器单元，分别通过第三位线和第四位线耦合到第二感测放大器；以及参考电路，被...

提出了光学器件及其制造方法，其中接收第一光学封装件，第一光学封装件包括第一定位开口和插座开口。将插座插入插座开口和第一定位开口中，以便接入第一光学封装件内的边缘耦合器。

本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括第一源极/漏极区、与第一源极/漏极区相邻设置的第二源极/漏极区、设置在第一源极/漏极区上方的接触蚀刻停止层、设置在接触蚀刻停止层上方的第一层间介电(ILD)层、设置在接触...

描述了半导体结构和制造半导体结构的方法。一种示例性方法包括：接收包括n型晶体管和p型晶体管的中间结构，在n型晶体管和p型晶体管下形成介电结构，形成各自延伸穿过介电结构的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽暴露n型晶体管的源极/漏极部件的底面，第...

光学器件及其制造方法被呈现，其中光纤阵列单元被连接至第一光学封装件。在实施例中，光纤阵列单元使用第一突起和开口进行被动对准，并且然后在被动对准之后进行主动对准。一旦对准，光纤阵列单元使用粘合剂粘合。

本技术提供一种用于悬臂梁的双电容调平系统，其包括：压电区，包括底电极层、压电层和顶电极层；第一电容，包括底电极层，第一绝缘膜和初级金属层，初级金属层电连接至顶电极层；二极管，电连接至底电极层；和位于二极管上的第二电容，包括与二极管电连接...

本新型的实施例提供一种集成电路，包括：多个主动组件可操作地彼此耦合以形成集成电路，其中所述多个主动组件设置在衬底的正面上方；多个虚设组件，所述多个虚设组件的每一个横向设置为紧邻一个或多个所述主动组件，其中所述多个虚设组件形成在所述正面之...