提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括形成在基板之上的第一晶粒、以及围绕第一晶粒的第一封装层。封装结构包括形成在第一晶粒和第一封装层之上的盖结构、以及形成在第一晶粒和盖结构之间的第一热界面材料(TIM)。第一热界面材料包括液态金属。...

一种集成电路装置、只读记忆体电路及其制造方法。集成电路(IC)装置包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包括耦接至第一字元线且包括第一功函数组态的第一栅极、与第一栅极相邻并耦接至位元线或参考线中的一者的第一类金属界定(MD)区段、与第一...

本技术的实施例提供一种像素传感器阵列包括排列成栅格且包括位于衬底中的多个光电二极管的多个像素传感器、在侧向上环绕所述多个光电二极管且位于所述衬底中的深沟渠隔离结构、位于所述深沟渠隔离结构上方且位于所述衬底上方的金属栅格结构以及位于所述金...

本技术的实施例提供一种半导体结构包括设置在第一半导体衬底上方的第一内连线结构、嵌入在第一内连线结构中并感测半导体结构中的温度变化的多个热传感器以及设置在第一内连线结构上并电性耦合到第一内连线结构的第一接合结构。热传感器与第一内连线结构的...

本公开提供一种半导体器件包括存储单元结构，存储单元结构包括晶体管结构及存储结构。晶体管结构的栅极电极在大致上垂直于半导体器件的衬底的表面的方向上延伸，这使得在存储单元结构的水平或横向尺寸有最小的增加到不增加的情况下能够增加栅极长度。通道...

本技术提供一种环境检测装置。在一项实施例中，所述环境检测装置包括：第一感测器件；第二感测器件，其与所述第一感测器件流体连通；及频谱分析器，其电连接到所述第一感测器件及所述第二感测器件。所述第一感测器件包含经配置以直接向流入所述第一感测器...

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：第一源极/漏极区域；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的第一侧壁上；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一内部间隔件，位于第一源极/漏极区域的第一侧壁上；第二内部间隔件，位于第一源极...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括：被配置为储存第一数据位的第一存储器单元；被配置为储存第二数据位的第二存储器单元；感测放大器，分别通过数据位线和参考位线耦合到第一存储器单元和第二存储器单元；第一开关；以及第二开...

形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成导电部件；在导电部件和衬底上方形成介电层；在介电层上方形成多晶材料的层，其中，多晶材料的第一小平面和多晶材料的第二小平面具有不同的晶格密度；选择性吸附多晶材料的第一小平面上的材料的分子；以及在选择...

方法包括：形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层，在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质，在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成第一接触插塞，以及执行蚀刻工艺以在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成沟槽。源极/漏极区域和第一接触...

本发明提供一种与液态化学品供应系统相关的方法。该方法包括：接收储存槽，其中保持液态化学品；将入口喷嘴附加到储存槽，入口喷嘴包括：其中界定第一开口，第一开口与储存槽内部流体连通；其中界定第二开口，第二开口与储存槽内部气体连通；其中界定第三...

本公开实施例提供了方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成有源区域，其中，有源区域包括交替堆叠的多个第一半导体层和第二半导体层；在有源区域上形成栅极介电层；在顶部FET和底部FET的栅极介电层上形成图案化的第一偶极材料M；以第一温度T1对...

形成半导体器件的方法包括：在互连结构的导电部件的表面上形成自对准材料(SAM)，其中互连结构形成在包括晶体管的器件层的第一侧，其中导电部件嵌入互连结构的远离器件层的最外介电层中，并且导电部件的表面由最外介电层暴露；在形成SAM之后，在互...

本公开的实施例提供半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括第一源极/漏极区、与第一源极/漏极区相邻设置的第二源极/漏极区、以及设置在第一源极/漏极区上方的接触蚀刻停止层。第一源极/漏极区的顶面被接触蚀刻停止层覆盖。该结构还包括设置...

本公开的一些实施例提供一种半导体封装，包括中介层、设置在中介层上方且具有彼此相对的第一表面及第二表面的第一半导体晶片，及设置在第一半导体晶片上方且具有彼此相对的顶表面及底表面的第二半导体晶片。半导体封装进一步包括沿着第一半导体晶片的一侧...

光子集成电路中的光调变器结构包括在光调变器结构的光学模式(例如，光调变器结构的产生光的区域)处的U形P‑N结。相对于另一种类型的结(例如水平结或I形结)，U形P‑N结在光学模式下提供了增加的P‑N结重叠面积。增加的重叠面积使得光调变器结...

提供了用于形成半导体器件的方法。方法包括在具有(110)晶体取向的衬底的顶面上方形成每个包括交替的沟道半导体部分和牺牲介电部分的多个鳍结构，其中，多个鳍结构中的相邻鳍结构的每个的沟道半导体部分的侧壁由源极/漏极沟槽暴露，其中，相邻鳍结构...

方法包括：接收第一器件组件；接收第二器件组件；以及接合第一器件组件和第二器件组件的半导体层堆叠件以形成第一堆叠结构。第一器件组件包括设置在半导体层堆叠件和第一衬底之间的释放层，并且第一堆叠结构包括设置在释放层和第二器件组件之间的半导体层...

本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法，方法包括在衬底上形成堆叠件，图案化堆叠件和衬底，以形成第一有源区域和第二有源区域，在第一有源区域和第二有源区域之间形成隔离结构，在隔离结构上沉积隔离结构保护层，横跨第一和第二有源区域形成伪栅极堆...

本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。方法包括提供一种结构。所述结构包括底部沟道层的堆叠件、位于所述底部沟道层的堆叠件上方的顶部沟道层的堆叠件、夹在所述底部沟道层的堆叠件和所述顶部沟道层的堆叠件之间的隔离部件，以及包裹围绕每个底部...