本申请的实施例涉及存储器电路及其制造方法。存储器电路包括第一双端口单元、第一和第二字线以及第一、第二和第三位线。第一字线在第一方向上延伸，耦合到第一双端口单元，并且位于衬底的前侧上方的第一金属层上。第二字线在第一方向上延伸，耦合到第一双...

本申请公开了用于清洁半导体晶圆的装置和方法。本公开描述了一种使用由冷却系统产生的清洁液的清洁系统。该清洁系统包括：冷却系统，被配置为产生清洁液；控制器，被配置为控制清洁液的温度；晶圆支架，被配置为保持并旋转晶圆；第一喷嘴，在晶圆上方并被...

本申请的实施例公开了半导体二极管结构及形成半导体结构的方法。半导体二极管结构包括半导体层、位于半导体层上方的第一p型掺杂结构、位于半导体层上方的第一n型掺杂结构、位于第一p型掺杂结构与第一n型掺杂结构之间的中心结构、位于第一p型掺杂结构...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括第一源极/漏极区域、位于第一源极/漏极区域的侧壁上的第一纳米结构、位于第一纳米结构周围的第一栅极结构、位于第一栅极结构上的第一隔离区域和第二隔离区域以及位于第一源极/漏极区域...

制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成第一有源区域和第二有源区域，在第一有源区域和第二有源区域之间沉积隔离结构，横跨第一有源区域与第二有源区域形成栅极结构，形成沟槽，沟槽将栅极结构分成第一段和第二段，在沟槽中沉积介电部件，减薄衬底和隔...

一种检查图案化掩模的方法包括将极紫外（EUV）光束辐射到图案化掩模的表面，并将来自图案化掩模的表面的反射的极紫外光束导向图像传感器。该方法还包括基于反射的极紫外光束产生图案化掩模的表面的图像，并基于图案化掩模的表面的图像确定图案化掩模的...

在一些实施例中，说明一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括形成具有第一基底材料成分及第一浓度的第一导电类型掺杂剂的源极/漏极区；去除具有第一基底材料成分及第一浓度的第一导电类型掺杂剂的部分以暴露接触表面；及在接触表面磊晶形成接触层。...

本公开提供一种方法，包括：在衬底上形成有源区域；在底部区域中的第一沟道和顶部区域中的第二沟道上形成栅极介电层；在底部区域中的栅极介电层上形成伪插塞；在顶部区域中的栅极介电层上和伪插塞的侧壁上沉积偶极子材料层；对偶极子材料层和伪插塞执行第...

本发明提供一种用于在光刻期间保护光掩模免受污染颗粒的光掩模护膜。光掩模护膜包括具有硼碳氮化物（BCN）纳米结构网络的光掩模护膜物。光掩模护膜物附加到光掩模护膜框架，该框架安装到在光刻操作期间使用的光掩模上。

一种运算装置、系统及其操作方法。运算装置包含：分离器电路，用于将输入数据值分离成整数部分及小数部分；补偿电路，用于根据将小数部分与第一阈值进行比较的第一比较器电路的至少第一输出来产生补偿小数部分；排程器电路，用于动态判定用于近似小数部分...

本发明提供一种晶体管，其栅极电介质层包括中央区域和一个或多个边缘区域。中央区域的厚度小于多个边缘区域的厚度。这增加了角落氧化物厚度并减少了双峰现象，在不需要额外掩模的情况下改善了性能。

本发明提供一种形成半导体结构的方法。衬底设有第一区和第二区。在第一区中的衬底中形成贯通孔。在第一区中形成覆盖贯通孔的第一导电图案，并且在第二区中的衬底上同时形成第一导电层。在第一区中的第一导电图案上形成第二导电图案，并且在第二区中的第一...

本申请的实施例提供了存储器电路、存储器器件及其制造方法。存储器电路包括第一阵列、第二阵列、第一输入/输出电路、第二输入/输出电路和位线，所述第一阵列包括第一存储器单元，所述第二阵列沿第一方向位于第一阵列旁边并包括第二存储器单元，第一输入...

本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括形成在衬底的第一侧上并由供电电压供电的存储器单元；第三金属化层，形成在第一侧上并包括第三金属轨道，第三金属轨道中的至少一个被配置为仅承载非电源信号而不是承载供电电压；第四金属化层...

一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括相对于多个晶体管垂直设置并电性耦接这些晶体管的多个金属化层。各该金属化层包括金属线和金属穿孔。各该金属线和各该金属穿孔耦接至阻障层。金属线和金属穿孔各自基本上由包含铜(Cu)、银(Ag)和碳(C...

半导体装置包括主体区域及漂移区域在基板上、源极结构、漏极结构、栅极结构、层间介电层、多个接触场板触点及后道工序结构。源极结构设置在主体区域内及漏极结构设置在漂移区域内。栅极结构包括栅极电极设置在主体区域及漂移区域上及介电层设置在栅极电极...

一种半导体元件包含具有n型导电性的第一晶体管位于基板上方以及具有p型导电性第二晶体管垂直位于第一晶体管上方。第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极结构，第一半导体层包含第一通道区域及第一源极/漏极区域，第一栅极结构在第一半导体层的第一通道...

一种运算装置及其运算方法。运算装置用于将神经网络中的输入数据变换为输出数据，并包含相互连接的算术逻辑电路及控制电路，该控制电路在一或多个周期内发送配置设定序列以配置相互连接的算术逻辑电路。算术逻辑电路对输入数据联合执行归一化指数运算或乙...

本技术实施例涉及一种半导体结构，其包含多个纳米片、栅极结构、S/D结构、阶梯结构及侧壁间隔件。多个纳米片放置于衬底上方，其中衬底沿第一方向延伸，且所述纳米片沿基本上垂直于第一方向的第二方向布置。栅极结构放置于衬底上方，其中栅极结构放置于...

一种半导体装置包括基板。氧化物半导体通道层位该基板上方。栅极结构位于该氧化物半导体通道层上方。该栅极结构包括位于氧化物半导体通道层上方的氧化物半导体阻障层、位于该氧化物半导体阻障层上方的栅极介电层及位于该栅极介电层上方的栅极金属。源/漏...