本申请的实施例公开了半导体器件及其形成方法。方法包括形成与多层堆叠件相邻的下部源极/漏极区和上部源极/漏极区，多层堆叠件包括与半导体纳米结构交替堆叠的伪纳米结构，半导体纳米结构包括下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构；去除伪纳米结构；...

方法包括形成下部晶体管和下部晶体管上方的上部晶体管。下部晶体管包括位于半导体衬底上方的下部源极/漏极区域，并且下部源极/漏极区域包括面向半导体衬底的底侧。上部晶体管包括位于下部源极/漏极区域上方的上部源极/漏极区域。该方法还包括形成接触...

本公开提供一种示例性半导体封装结构可以包括第一重分布层及附接到第一重分布层的第一半导体管芯。第一半导体管芯可以包括第一前侧电触点及第一背侧电触点，使得第一前侧电触点电连接到第一重分布层。半导体封装结构还可包括形成在第一半导体管芯上方的第...

本技术的实施例提供一种移除装置被配置为在操作中从载具移除一个或多个半导体管芯或封装，该载具可以是包括黏着剂的带。该移除装置包括层架结构，层架结构包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁。层架结构更包括透过间隙彼此分开的第一层架部分和第二层...

本公开公开了用于堆叠器件结构(诸如堆叠晶体管)的栅极堆叠件及其制造方法。一种示例性方法包括在衬底上方形成半导体层堆叠件。半导体层堆叠件包括设置在第二半导体层上方的第一半导体层。该方法还包括在第二半导体层周围形成第一类型金属栅极层。该方法...

本技术的实施例提供一种接合工具包括处理腔室及在处理腔室中的接合夹具，接合夹具包括吸盘组件、在吸盘组件的凹槽内的可膨胀施力结构、穿过吸盘组件且穿过可膨胀施力结构的真空端口结构以及穿过吸盘组件且进入可膨胀施力结构的气体入口端口结构，真空端口...

在实施例中，方法包括：形成封装结构，其中，形成封装结构包括：将多个管芯附接至载体衬底；实施密封工艺以用密封剂围绕多个管芯；以及在多个管芯和密封剂上方形成再分布结构，其中，再分布结构电连接至多个管芯，其中，当在顶视图中观察时，再分布结构具...

本技术实施例的各种实施例涉及一种封装件，封装件包括第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括在第一半导体衬底的第一侧上的第一内连线结构，第一内连线结构包括多个第一介电层、第二介电层以及介电衬层。第一导电垫设置成延伸穿过介电衬层和第二介电层，且第...

本技术提供一种半导体结构以及静态随机存取内存单元，半导体结构包括：主动区，其包括通道层堆叠；金属栅极结构，设置在通道层堆叠上方；源极/漏极结构，设置在主动区的源极/漏极区上方并且邻近通道层堆叠以及背侧通孔，其从主动区的背侧穿透并延伸以接...

提供一种半导体结构，其包括具有第一区和第二区的半导体管芯。半导体管芯包括位于第二区中的装置层、在第一区和第二区之上延伸的绝缘材料、以及嵌入在绝缘材料中并与装置层电连接的多个金属化结构。多个金属化结构包括位于第一区中的多个无源装置结构和位...

本技术提供一种微机电系统装置包括顶部金属层、第一黏着层、主介电层、第二黏着层、保护材料、底板层以及环形通孔。第一黏着层，位于所述顶部金属层之上。主介电层，位于所述第一黏着层上，所述主介电层包括凹槽。第二黏着层，位于所述主介电层上，所述第...

在一实施例中，一种半导体装置包含半导体基板、第一阱、第二阱、对准记号及隔绝层。半导体基板包含第一鳍片及第二鳍片。第一阱位于半导体基板中，其中第一鳍片在第一阱中，第一阱掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂物。第二阱位于半导体基板中，其中第二鳍...

本技术关于一种中介体模块，包括中介体；位于中介体上的半导体晶粒，其中半导体晶粒包括等电位接垫与位于等电位接垫上的钝化层；以及，多个连接结构，连接等电位接垫至中介体，其中钝化层位于在多个连接结构之间的等电位接垫上。通过在中介体模块中设置钝...

本发明提供一种制造光刻掩模的方法包括接收用于光刻工艺曝光的目标空间图像；对目标空间图像进行计算反向光刻变换以产生反向空间图像；通过确定分别在不同焦距处计算的两个或更多个反向空间图像之间的差异来产生反向空间图像梯度；基于反向空间图像确定图...

本发明提供一种半导体组件包括影像传感器组件，其包括电容结构，该电容结构包含作为电介质材料的非晶成分，该非晶成分包括金属氧化物混合物。非晶成分取代其他方法中使用的晶体金属氧化物电介质层堆栈。与晶体金属氧化物电介质层堆栈相比，非晶成分减少或...

本公开的实施例公开了一种半导体结构，包括背侧金属线以及背侧接触件结构，所述背侧接触件结构包括设置在背侧金属在线的条状部分、从条状部分延伸的第一通孔、从条状部分延伸的第二通孔、以及设置在第一通孔与第二通孔之间的突起物。所述半导体结构还包括...

一种存储器单元，包括：存储器单元堆叠；第一字线；第二字线；位线，耦接至存储器单元堆叠的一端；第一单向选择器，具有与存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与第二字线耦合的另一端；以及第二单向选择器，具有与存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与第...

方法包括：在第二层上方形成第一层；对第一层实施激光处理工艺，其中，激光处理工艺包括将激光束定向至第一层中，其中，激光束修改第一层；以及在对第一层实施激光处理工艺之后，对第一层实施平坦化工艺以去除第一层，其中，平坦化工艺暴露第二层。本申请...

半导体结构包括：有源区域，包括半导体鳍基底、位于半导体鳍基底上方的纳米结构堆叠件以及位于半导体鳍基底上方并且连接至纳米结构中的至少一个的外延部件，有源区域在第一方向上纵向延伸。半导体结构还包括：栅极结构，包裹纳米结构的每个，栅极结构在垂...

本揭露中的一些实施例包括像素传感器结构和制造方法。该像素传感器结构包括透镜结构、光电二极管传感器结构，以及位于透镜结构与光电二极管传感器结构之间的光间隔结构。相较于包括没有透镜结构和光间隔结构的光电二极管传感器结构的另一种像素传感器结构...