半导体结构包括：衬底；介电结构，包括多个介电层；环结构，设置在衬底和介电结构中；以及通孔结构，沿垂直方向纵向延伸并且位于由环结构围绕的区域中。多个介电层包括设置在衬底的前侧上的多个前侧介电层和设置在衬底的背侧上的多个背侧介电层。环结构包...

揭露一种包括薄膜电阻器的半导体装置及其制造方法。该方法包括在第一金属化层内形成包括具有不同硅铬成分的子层的硅铬基薄膜电阻器，在硅铬基薄膜电阻器的端部和接触结构上形成接触区。该方法还包括在第一金属化层上形成包括与接触结构接触的其他接触结构...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：栅极电极层，设置在半导体层之上；源极/漏极区域，邻近半导体层设置；层间电介质(ILD)层，设置在源极/漏极区域之上；导电特征，设置在源极...

可以通过以下步骤提供相变存储器器件：形成底部电极、介电材料层和延伸穿过介电材料层的通孔开口，以使得底部电极的顶表面段暴露在通孔开口下面；在通孔开口的外围区域中形成管状介电间隔件；在介电材料层和管状介电间隔件上方沉积连续层堆叠件，该连续层...

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及第一沟道层和第二沟道层。半导体结构还包括位于衬底上方的隔离结构以及位于第一沟道层和隔离结构上方的第一栅极结构。半导体结构还包括位于第二沟道层和隔离结构上方的第二栅极结构以及横向夹置在第...

一种像素感测器阵列及影像感测器装置，通过在像素感测器阵列中包括自动聚焦像素感测器与成像像素感测器，自动聚焦功能性整合至影像感测器装置的像素感测器阵列中。金属网格结构包括于像素感测器阵列中的自动聚焦像素感测器及成像像素感测器周围。金属网格...

提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括沿第一方向形成在衬底上方的多个第一纳米结构以及与第一纳米结构相邻形成的多个第二纳米结构。半导体结构包括沿第二方向形成在第一纳米结构上的第一栅极结构，并且第一栅极结构包括第一栅极介电层。半导体结...

公开了半导体结构和制造结构的方法。方法包括：在衬底上的基底结构上形成具有纳米结构层和牺牲纳米结构层的超晶格结构；在超晶格结构上形成多晶硅结构；以及在超晶格结构中形成S/D区域。S/D区域的S/D部分在纳米结构层之上延伸。方法还包括：修改...

一种量子点元件包含基板。一栅极介电层位于基板上方。一第一柱塞栅极结构和一第二柱塞栅极结构位于栅极介电层上方，其中在一上视图中，第一柱塞栅极结构和第二柱塞栅极结构以同心圆的形式排列，且其中第一柱塞栅极结构和第二柱塞栅极结构的每一者包含一环...

一种记忆体电路及记忆体装置。记忆体电路包含记忆体阵列，其包括第一部分及第二部分。该第一部分包括多个第一记忆体单元，而该第二部分包括多个第二记忆体单元。该记忆体电路包含沿着第一横向方向实体设置于该记忆体阵列旁边的输入/输出(I/O)电路，...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括存储器阵列和驱动器电路，存储器阵列包括耦合到字线的存储器单元，驱动器电路通过字线耦合到存储器单元。驱动器电路包括耦合在字线和在第一、第二和第三电源电压中选择的可切换电压之间的p型...

方法包括：图案化穿过第一介电层的第一开口以暴露第一源极/漏极区域；在第一源极/漏极区域上形成第一硅化物区域；沿第一开口的表面沉积第一多种多环芳烃；实施退火工艺以将第一多种多环芳烃转化为第一石墨烯层；以及用第一金属材料填充第一开口的剩余部...

本技术提供一种系统整合集成电路结构，其包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、虚设晶粒以及间隙填充层。第二半导体晶粒配置于第一半导体晶粒之上，且与第一半导体晶粒电性连接。虚设晶粒配置于第一半导体晶粒，以侧向地围绕第二半导体晶粒。间隙填充层配...

本公开提供一种光学引擎及制造光学引擎的方法。在实施例中，光学引擎包括硅衬底及安装在硅衬底上的光子元件。光子元件包括边缘耦合器及配置为与一个或多个外部光学元件介接的耦合界面。边缘耦合器包括在耦合界面处的光子元件边缘。硅衬底包括在耦合界面处...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、栅极电介质、隔离结构和栅极电极。栅极电介质设置在衬底上。隔离结构在衬底内。栅极电介质包括与隔离结构邻接的渐缩部分。栅极电极设置在栅极电介质和隔离结构上。栅极电介质的渐缩部分被栅极电极...

方法包括：形成下部源极/漏极区域；形成第一接触蚀刻停止层并且在第一接触蚀刻停止层上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成上部源极/漏极区域；以及形成第二接触蚀刻停止层并且在第二接触蚀刻停止层上方形成第二层间电介质。上部源极/漏极...

提供了用于形成半导体结构的方法。该方法包括：在垂直方向上在衬底上交替堆叠沟道层和牺牲层以形成半导体堆叠件，图案化半导体堆叠件以形成从衬底突出的鳍形结构，在鳍形结构中形成源极/漏极沟槽，使鳍形结构中的牺牲层横向凹进以形成第一凹槽，以及扩大...

本技术的实施例提供一种深沟渠隔离结构包括延伸到衬底中的深沟渠隔离核心、环绕所述深沟渠隔离核心的第一膜、位于所述第一膜与所述深沟渠隔离核心之间的第二膜以及位于所述第二膜与所述深沟渠隔离核心之间的第三膜，所述第一膜具有处于第一带能量的第一导...

方法包括：形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；以及实施蚀刻工艺以在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。实施硅化物形成工艺以在源极/漏极区域的...

在其中将形成源极/漏极接触件的凹槽的形成之前，在半导体器件的晶体管(例如，纳米结构晶体管和/或另一类型的晶体管)的源极/漏极区域上形成金属硅化物层。这使得源极/漏极区域的表面上的金属硅化物层的覆盖能够独立于源极/漏极接触件的覆盖(其由其...