本技术的实施例包括扫描电子显微镜(SEM)，其具有被配置为生成电子束的电子枪，该电子束沿着穿过SEM的镜筒的轴线被引导向样品台。在一些实施例中，SEM包括沿轴安装的第一反向散射电子(BSE)侦测器。在一些例子中，SEM还包括偏离轴线安装...

本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法。IC器件包括位于衬底中的静态随机存取存储器(SRAM)器件，该SRAM器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)、第二CFET、第三CFET和第四CFET，其中第一互...

本技术提供一种光侦测元件、异质接面元件和半导体元件。光侦测元件包括包含半导体材料的半导体基板。吸收区位于半导体基板内。吸收区包括与半导体材料不同的外延材料。倍增区位于半导体基板内且与吸收区分离。通道区位于倍增区和吸收区之间，其中通道区和...

一种半导体装置，包括存储器单元、逻辑单元、过渡区以及互连结构，存储器单元连接至信号线、用于接收电源供应电压的第一电压线以及用于接收电性接地电压的第二电压线，逻辑单元被配置以提供逻辑功能至存储器单元，过渡区由存储器单元的第一边界延伸至逻辑...

本技术提供一种半导体装置，具有隔离结构，半导体装置包括：基板；第一纳米结构通道区，设置在基板上；第一栅极结构，围绕第一纳米结构通道区；第二纳米结构通道区，设置在基板上；第二栅极结构，围绕第二纳米结构通道区；隔离结构，设置在第一纳米结构通...

本申请的实施例公开了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件包括沿第一方向延伸的一对堆叠的有源区结构。集成电路还包括第一开关栅极导体、第一CFET栅极导体、第二CFET栅极导体和第二开关栅极导体，它们与一对堆叠有源区结构相交，并与沿第二方...

本申请的实施例提供了半导体器件。半导体器件使用互补场效应晶体管。半导体器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)对。第一CFET对包括第一n型晶体管，具有与差分对的第一输入端耦合的第一栅电极。第一CFET对包括第一p型晶体管，具有与差分对...

提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包含封装衬底和位于封装衬底上方的第一封装组件。第一封装组件可以包含第一半导体管芯和位于第一半导体管芯上方的散热衬底。散热衬底可以包括基部部分和位于基部部分的第一表面上的第一涂覆部分。第一涂...

互补场效应晶体管(CFET)形成为具有产生不同阈值电压的功函金属层的不同组合。方法包括在衬底的第一区域上方形成第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成第二纳米结构；在衬底的第三区域上方形成第三纳米结构；在第一纳米结构上沉积第一栅电极层；在...

本公开提供了半导体器件及其形成方法。形成用于半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得源极/漏极区域包括金属芯。与源极/漏极区域完全用外延生长的半导体材料填充的情况相比，金属芯为要耦合到源极/漏极区域的前侧源极/漏极接触件和后侧源...

本揭露提供一种集成电路封装及其形成方法。集成电路封装可包含集成电路晶粒以及在集成电路晶粒的侧壁上的介电材料。集成电路晶粒可包含基材、在基材中的保护结构、在基材上的互连结构以及在互连结构中与保护结构接触的密封环结构。保护结构与基材可包含相...

本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成其布局图的方法。集成电路器件包括配置为SRAM的CFET，第一CFET包括沿第一方向定位于第一高度处的第一下拉和上拉晶体管，第二和第三CFET包括定位于第一高度处的传输门晶体管，并在垂直...

本发明提供一种装置包括封装衬底第一侧上的中介层元件上芯片，以及封装衬底的第一侧上的第一环状结构。第一环状结构延伸围绕中介层元件上芯片的周边。封盖可能配置在第一环状结构上。装置还包括封装衬底的第二侧上的连接器的阵列，其中封装衬底第二侧相对...

本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括第一、第二、第三和第四晶体管以及第一和第二导体。第一晶体管耦合到第一节点并包括第一栅极。第二晶体管耦合到第一节点并包括第二栅极。第三晶体管耦合到第二节点，并且包括在第一方向上与第...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。形成纳米结构晶体管的源极/漏极接触件，使得使用多步骤蚀刻工艺使源极/漏极接触件在纳米结构晶体管的下面的源极/漏极区域内凹陷。使源极/漏极接触件在源极/漏极区域内凹陷为源极/漏极接触件与源极/漏极区域接触...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。通过在纳米结构沟道周围沉积共形牺牲间隔件层，然后蚀刻牺牲间隔件层以使得牺牲间隔件层仅作为牺牲间隔件保留在垂直相邻的纳米结构沟道之间，来在垂直相邻的纳米结构沟道之间形成牺牲间隔件。可流动沉积技术可用于在具...

本技术的实施例提供一种包括延伸到衬底的前侧表面中的隔离结构的集成芯片。隔离结构侧向地包围衬底的第一装置区。隔离结构包括在第一方向上伸长且至少部分地定义出第一装置区的一对隔离边缘。一对源极/漏极区设置在第一装置区内且在第一方向上彼此侧向地...

本技术提供封装结构，封装结构包括第一晶粒与第二晶粒，埋置于第一绝缘材料中；第一重布线结构，位于第一晶粒与第二晶粒上；第二成型材料，位于第一晶粒与第二晶粒的部分上，其中第二成型材料位于第一重布线结构的第一部分与第二部分之间；第一通孔，延伸...

半导体光子装置的波导结构（例如，介电边缘耦合器波导、金属边缘耦合器波导）通过使用高温处理技术来形成并进行处理，以在形成该半导体光子装置的多个半导体光子组件之前实现波导结构的低氢浓度。所述多个半导体光子组件容易受到高温处理而损坏，例如金属...

提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍的每个包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；在第一鳍和第二鳍上方分别形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的栅极长度；形成与...