本申请公开了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得空腔从源极/漏极区域的顶部延伸到源极/漏极区域中。在一些实现方式中，该空腔完全地延伸穿过源极/漏极区域的深度。该空腔由源极/漏极区域的一个或多个外延...

本申请的实施例公开了用于集成电路设计的方法、系统以及计算机程序产品。方法至少部分地由至少一个处理器执行，并且包括生成与IC器件的IC原理图相对应的集成电路(IC)布局。IC器件包括沿IC器件的厚度方向布置在多个水平的半导体器件。对于半导...

一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括形成交替层堆叠包括沿着垂直于交替层堆叠的界面的第一方向堆叠的第一半导体层与第二半导体层。对交替层堆叠进行图案化以形成鳍片结构，鳍片结构具有沿着第一方向的高度、沿着垂直于第一方向的第二方...

本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其制造方法。存储器器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一至第四晶体管均形成有p型导电性；形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的...

提出了8T CFET SRAM来实施并行加权求和操作，以加速推理过程。电路包括：存储器阵列，包括存储器单元，存储器单元的每个包括多个晶体管，并且耦合至第一字线和第二字线，并且配置为接收第一数据元素，存储第二数据元素，并且提供第一数据元素...

提供的实施例是半导体器件，包括第一器件。第一器件包括：第一突起，突出在衬底上方；第一纳米结构，包括第一半导体材料并且设置在第一突起上方；第一外延延伸区域，设置在第一纳米结构的第一侧壁上；第一栅极结构，包括位于第一纳米结构和第一突起之间的...

本申请的实施例公开了半导体器件及形成存储器器件的方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管和第二晶体管，形成在第一侧上的第一层级中；第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，形成在第一侧上的第二层级中；形成在第二侧上...

本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在第一区域中的第一半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层上方的第二半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层和第二半导体层之间的第一栅电极层、与第一区域中的第一栅电极层相邻设...

一种半导体结构，包含第一晶体管，第一晶体管包含第一通道层及第一栅极结构；半导体结构还包含第二晶体管，第二晶体管包含第二通道层及第二栅极结构；半导体结构还包含接合结构，垂直位于第一晶体管与第二晶体管之间，接合结构包含第一介电接合层，附接至...

本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。结构包括设置在第一区域中的第一半导体层以及围绕第一区域中的第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。结构还包括围绕第二半导体层的部分的第一栅电极层、电连接至第二...

一种纳米结构装置包括第一纳米结构堆叠、第二纳米结构堆叠、第一栅极结构以及第二栅极结构。第一纳米结构堆叠在第一区域中。第二纳米结构堆叠在第二区域中。第一栅极结构环绕第一纳米结构堆叠。第一栅极结构包括第一栅极介电质以及第一栅极金属。第一栅极...

通过在RRAM单元上方形成层间电介质期间引入非氧化物电介质层，来保护底部电极免受氧诱导的损伤，来解决使电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的操作速度独立于底部电极厚度的问题。非氧化物电介质层可以用作位于围绕顶部电极的第一间隔件上方的第二...

一种半导体装置结构，包括第一介电组件、多个谐振器腔壁金属组件、第二介电组件、以及平的覆盖金属层。多个谐振器腔壁金属组件设置在该第一介电组件中，所述多个谐振器腔壁金属组件中的各者与延伸至该第一介电组件内的不同的多个谐振器腔中的一者相关联，...

一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包括外延结构以及电性连接到外延结构的半导体纳米结构。所述半导体装置结构还包括延伸跨越半导体纳米结构的金属栅极堆叠，且金属栅极堆叠具有栅极介电层以及栅极电极。所述半导体装置结构还包括在金属栅极堆叠以及...

一种垂直相变化记忆体装置，包含：装置层；以及位于装置层上的互连结构，互连结构包含相变化随机存取记忆体(PCRAM)装置。相变化随机存取记忆体装置包含：位于装置层上的电极层；位于电极层上的氧化物半导体层；环绕氧化物半导体层的栅极结构；位于...

根据本公开的半导体封装结构包括：衬底；中介层，通过多个第一类型焊料部件接合至衬底；以及集成电路(IC)管芯，通过多个第二类型焊料部件接合至中介层。中介层包括再分布结构和在再分布结构周围延伸的密封环结构。多个第二类型焊料部件中的至少一个电...

本公开涉及制造纳米压印光刻复制品及其模具以及半导体器件的方法。制造纳米压印光刻复制品的方法包括在衬底之上沉积第一抗蚀剂层，并选择性地将第一抗蚀剂层曝光于第一光化辐射。对选择性曝光的第一抗蚀剂层进行显影，以在第一抗蚀剂层中形成图案。第一抗...

本公开涉及半导体装置及其通信方法。于一或多个实施例中，半导体装置包含处理电路及N个信号路径，相应于N个通信通道。处理电路被配置为取得通道缺陷信息，通道缺陷信息指出N个通信通道中的L个有缺陷的通道或N‑L个有功能的通道；采用相应于具有M个...

器件包括：衬底；半导体沟道，位于衬底上方；以及栅极结构，位于半导体沟道上方并且横向围绕半导体沟道。栅极结构包括：第一介电层，位于半导体沟道上方；第一功函金属层，位于第一介电层上方；第一保护层，位于第一功函金属层上方；第二保护层，位于第一...

本公开实施例的一面向关于一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包含在基底上方且沿着第一方向纵向延伸的主动区；在基底上方且围绕主动区的隔离结构；在主动区上方且沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸的第一栅极结构和第二栅极结构；在主动区上方...