根据本公开实施例的封装结构包括：封装衬底；中介层，接合至封装衬底；第一管芯和第二管芯，通过微凸块接合至中介层；底部填充物，围绕微凸块，设置在第一管芯和中介层之间以及第二管芯和中介层之间；金属层，与中介层、底部填充物、第一管芯的侧壁和第二...

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：隔离区域；第一介电层，位于隔离区域上方；第二介电层，位于第一介电层上方；第一源极/漏极区域，位于第二介电层中；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的侧壁上；第一栅电极，位于第一纳米结构周...

本公开提供了半导体结构及其形成方法，该方法包括：在衬底上方形成包括第一和第二半导体层的堆叠件，其中第一和第二半导体层具有不同组成且彼此交替；图案化堆叠件以形成有源区域；形成围绕有源区域的隔离结构；在隔离结构上形成硬掩模；在堆叠件上方形成...

在一些实施例中，本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件区域的衬底，器件区域具有一个或多个半导体器件。衬底具有沿器件区域的相对侧在衬底内形成一个或多个沟槽的一个或多个内表面。多层膜堆叠件沿衬底的一个或多个内表面设置。芯材料布置在一...

本技术实施例涉及一种半导体光子装置，其包含三维光子集成电路，所述三维光子集成电路包含经配置以实施例如卷积神经网络CNN或其部分的人工神经网络的光学组件。例如，本文描述的半导体光子装置可包含三维光子集成电路，所述三维光子集成电路包含经配置...

在实施例中，方法包括：形成集成电路管芯，形成集成电路管芯包括：在衬底的前侧上方形成互连结构，互连结构包括光子组件和加热器，衬底包括半导体衬底上方的第一介电层；去除半导体衬底以暴露第一介电层的背侧；在第一介电层的背侧上方形成第二介电层；在...

一种半导体结构，包含通道堆叠物，包含第一通道元件及第二通道元件；栅极结构设置围绕第一通道元件及第二通道元件，并沿第一方向纵向延伸；内部间隔件设置于第一通道元件与第二通道元件之间；以及栅极间隔件设置于栅极结构上，且与内部间隔件相接。在第一...

本申请的实施例公开了一种集成芯片及其形成方法。集成芯片包括光电探测器、传输晶体管、第一像素晶体管、电容器、第二像素晶体管和接合结构。传输晶体管的第一端子耦合到光电探测器的第一端子。第一像素晶体管位于第一半导体芯片上。第一像素晶体管的第一...

一种方法，包括：在衬底上方形成下部源极/漏极区；在下部源极/漏极区的旁边形成栅极堆叠件；在下部源极/漏极区上方形成上部源极/漏极区；实施背面薄化工艺，以薄化衬底并且暴露出牺牲区；去除牺牲区以暴露出下部源极/漏极区；以及形成背面接触插塞以...

半导体器件包括：多个第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及多个第二纳米结构，与多个第一纳米结构重叠，多个第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸。器件还包括：第一绝缘保护层，与第二纳米结构重叠；第一栅极堆叠件，位于多个第一纳米...

方法包括：形成包括衬底上方的下部多层堆叠件、下部多层堆叠件上方的介电蚀刻停止层和介电蚀刻停止层上方的上部多层堆叠件的多层堆叠件。方法还包括：蚀刻多层堆叠件以形成对准标记沟槽；对上部多层堆叠件实施第一蚀刻工艺以形成上部多层堆叠件部分；以及...

一种方法包括形成互补场效应晶体管，包括形成下源极/漏极区域，以及在下源极/漏极区域上方形成上源极/漏极区域。执行蚀刻工艺以蚀刻穿过上源极/漏极区域并形成接触开口。蚀刻工艺停止于下源极/漏极区域的顶面上。该方法还包括：在接触开口中形成介电...

提供了沟道隔离结构及其形成方法。一种器件包括：多层堆叠件，包括：第一多个纳米结构；第二多个纳米结构，位于第一多个纳米结构上方；以及第一沟道隔离结构。该器件还包括：第一源极/漏极区，位于第一多个纳米结构的相对端上；第二源极/漏极区，位于第...

半导体器件包括：有源栅极结构，设置在衬底上方；第一源极/漏极部件，设置在有源栅极结构的两个相对侧处；介电栅极结构，设置在衬底上方，介电栅极结构和有源栅极结构沿着垂直于衬底的垂直方向彼此堆叠；以及第二源极/漏极部件，设置在介电栅极结构的两...

半导体器件，包括：第一衬底；第一鳍，突出在第一衬底之上；第一纳米结构，位于第一鳍上方；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一源极/漏极区域，与第一栅极结构相邻并且接触第一纳米结构的第一子集；第一介电结构，位于第一源极/漏极区域和第一鳍...

器件包括衬底上方的多个纳米片、邻近多个纳米片的源极/漏极部件，以及设置在多个纳米片上方且位于相邻纳米片之间的栅极结构。栅极间隔件设置在栅极结构顶部的相对侧的侧壁上方。内部间隔件在第一方向上介于多个纳米片中相邻纳米片的横向端部之间，并在第...

在相同衬底上方形成互补场效应晶体管(CFET)和纳米结构场效应晶体管(NSFET)以形成半导体器件。CFET通过将晶体管垂直堆叠在一起实现高晶体管集成密度，并且可以适合于实施先进逻辑电路。NSFET实现高驱动电流，并且可以适合于高性能单...

本发明的实施例提供了一种光集成电路器件。用于卷积神经网络的电子与光集成电路器件在光集成电路中执行模数转换(ADC)或数模转换(DAC)的各个方面。DAC可以使用光调制器来执行。每个光调制器接收共同表示输入值或核权重的多个电输入信号。电输...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一第一转换器结构、一第二转换器结构及一第一波导部分。该第一转换器结构用以调变一光学光以产生一第一经调变光。该第二转换器结构用以调变该第一经调变光以产生一第二经调变光。该第一波导部分用以使该第一经...

一种记忆体电路及操作具有记忆体阵列的记忆体装置的方法，记忆体电路包含一记忆体阵列，该记忆体阵列包括多个记忆体单元。该记忆体电路包含耦接至一销及一控制线的一低通锁存器(LL)，其中该控制线携载一时脉信号。该记忆体电路包含耦接至该LL、该控...