一种互连结构及其形成方法。互连结构包括设置于第一介电层中的第一导电结构、设置于第一介电层上方的第二介电层，以及设置于该第二介电层中及该第一导电结构上方的第二导电结构。第一导电结构包括第一阻障层及第一主导电层。第二导电结构包括第二阻障层、...

本技术提供一种集成器件，包括具有第一侧以及相对于所述第一侧的第二侧的衬底，所述衬底为第一材料；位于所述衬底的所述第二侧上并且具有第一导线的第一导线层；位于所述衬底的所述第一侧上并且具有第二导线的第二导线层；从所述第一导线穿过所述衬底延伸...

一种封装结构，包含顶部中介层，形成于基底上方；以及第一晶粒，形成于顶部中介层上方。第一晶粒包含光学封装结构，且光学封装结构包含多个第一光学组件。第一晶粒也包含电子晶粒，接合至光学封装结构，以形成混合接合结构。混合接合结构包含金属对金属接...

提供半导体装置，包括凸起半导体区、隔离结构、硬罩幕层及介电层。凸起半导体区与凹陷半导体区相邻，隔离结构位于凹陷半导体区上方；硬罩幕层位于隔离结构上方，介电层位于硬罩幕层上方。

本技术提供一种半导体结构包括基底；以及多层金属图案。多层金属图案设置在基底上，其中多层金属图案中的第一厚金属层的厚度为下一层金属图案的厚度的两倍或更多。第一厚金属层包括第一电传输图案，具有第一图案分布密度；以及第一虚设图案。第一电传输图...

一种加工设备，用于制造封装结构，包括加工腔室，用于接合第一封装元件和第二封装元件。加工设备包括接合头，设置于加工腔室中，用于固持第二封装元件。加工设备包括卡盘工作台，设置于加工腔室中，用于固持第一封装元件。接合头具有一底面，朝向卡盘工作...

一种芯片封装结构，包括光子基板。光子基板包括第一接合介电层、第一接合垫、第一介电结构、第一布线层以及波导结构。第一布线层以及波导结构位于第一介电结构中，第一布线层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一接合介电层位于第一介电结构上...

一种半导体装置结构，半导体装置结构包含基底，包含P型区及N型区，P型区及N型区彼此间隔开；半导体装置结构包含光吸收结构，位于基底中的P型区与N型区之间；半导体装置结构包含第一P型膜，位于光吸收结构与P型区之间；半导体装置结构包含第二P型...

本技术实施例提供光电装置及光收发器。所述光电装置包含第一裸片及第二裸片。所述第一裸片具有第一背侧。所述第二裸片放置于所述第一裸片上方。所述第二裸片具有接合到所述第一背侧的第二背侧。所述第二裸片包含光电路系统及电气电路系统。所述光电路系统...

本申请公开了半导体器件及其形成方法。在半导体器件的互连层中的互连结构的最底层上方形成导电材料的层，并且蚀刻导电材料的层以从导电材料的层限定金属化结构的最底层。为了降低独立式金属化结构塌陷的可能性，独立式金属化结构的暴露侧壁表面可以被氧化...

本技术实施例提供一种半导体元件。该半导体元件可包括基板、在基板上的第一通道区域及第二通道区域、在第一通道区域的一或多个侧壁上及在第二通道区域的一或多个侧壁上的栅极结构以及在俯视图中位于栅极结构的第一侧边及第二侧边上的介电质间隔件。第一侧...

一种半导体装置，包含多个半导体芯片，堆叠于彼此的顶部上，半导体芯片包含:基底、装置层、导电层、芯片节点及多个互连结构。装置层形成于基底上，且包含多个芯片组件。导电层将多个芯片组件互连。芯片节点连接至导电层，且与对应信号相关联。互连结构形...

本技术提供一种半导体结构。半导体结构包括第一电路区域，具有：沿第一方向纵向延伸的有源区，有源区包括多个源极/漏极(S/D)特征部件之间的通道区、位于通道区上方的栅极、位于有源区上方并围绕有源区的介电结构、穿过介电结构的上表面以定点降落于...

具有CFET器件的集成电路器件包括第一行中的高单元和第二行中的矮单元。集成电路器件还包括第一行高单元中的一个或多个自对准垂直互连件。每个自对准垂直互连件至少部分地嵌入侧凹槽中。侧凹槽具有共形地涂布有绝缘材料的边界表面，该绝缘材料终止与高...

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一至第四晶体管形成有p型导电性；形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的第五晶体管...

一种二极管结构包括第一半导体层堆叠，其中第一半导体层堆叠包括与多个第二半导体层交替布置的多个第一半导体层。二极管结构还包括第二半导体层堆叠，其中第二半导体层堆叠包括以与多个第四半导体层交替布置的多个第三半导体层。二极管结构还包括位于第一...

在实施例中，半导体器件包括：第一单元，包括第一有源区域和与第一有源区域相邻的第二有源区域，其中，第一有源区域和第二有源区域的每个包括：第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及第二纳米结构，位于第一纳米结构上方，第二纳米结构在第二...

本公开涉及半导体器件及形成方法。在半导体器件的接触结构上形成半导体器件的导电结构之前，执行使用金属前体的预清洁操作以从接触结构的顶表面去除金属氧化物层。针对预清洁操作使用金属前体作为预清洁剂使得能够完全去除原生氧化物(而不仅是诸如氧之类...

方法包括形成晶圆，该晶圆包括衬底、位于衬底上方的牺牲层和位于牺牲层上方的多层堆叠件。该方法还包括对多层堆叠件和牺牲层执行第一蚀刻工艺以形成图案化的多层堆叠件，用底部介电隔离层替换图案化的多层堆叠件中的牺牲层的部分，对图案化的多层堆叠件执...

一种互补场效应晶体管(CFET)包括：第一导电类型的第一源极/漏极区域；位于所述第一源极/漏极区域上的绝缘层；位于绝缘层上的第二导电类型的第二源极/漏极区域，第二导电类型不同于第一导电类型；垂直连接结构，垂直连接结构垂直延伸贯穿所述绝缘...