本揭露的一种态样为一记忆体装置。记忆体装置包含化合物半导体特征。化合物半导体特征包含第一部分作为第一源极/漏极特征、第二部分作为通道、及第三部分作为第二源极/漏极特征。第一部分位于第二部分上方，且第二部分位于第三部分上方，以及第二部分自...

在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件；图案化多层堆叠件和半导体衬底以形成鳍结构，鳍结构包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构，其中伪纳米结构的最底部的伪纳米结构具有第一厚度，其中伪纳米结构的第一伪纳米结构设置在最底部的伪纳...

本技术实施例的半导体装置包含多个源极/漏极区。半导体装置包括分别设置于所述源极/漏极区的前侧上方的多个源极/漏极接触件。所述源极/漏极接触件电耦合到所述源极/漏极区。所述半导体装置包括分别设置于源极/漏极接触件的背侧上方的多个导通孔。背...

一种半导体装置、记忆体系统及其操作方法，记忆体系统包括耦接至第一字元线的记忆体单元的第一列及耦接至第二字元线的记忆体单元的第二列。第一列中的第一记忆体单元与第二列中的第二记忆体单元处于相同行中。记忆体系统包括字元线驱动器电路，其用以在第...

本技术实施例提供一种半导体光子装置，其包括多个总线光波导结构以及一个或多个闭环光波导结构，其在串级光子集成电路中被排列，例如串级共振器电路。至少一个闭环光波导结构被制造成具有多边形顶视图形状，其中闭环光波导结构包括多个段。这使得闭环光波...

本技术实施例涉及半导体封装件，其包括包括光子结构、包封层和激光写入波导结构。光子结构设置于中介件结构上。包封层位在光子结构的侧边。激光写入波导结构嵌入玻璃基板中并邻近光子结构设置，其中激光写入波导结构具有多个弯曲波导路径。

提供了关于数字低压差电压稳压器的电路及系统。在一实施例中，数字低压差电压稳压器的驱动器阵列被配置为向负载输出电源电压，并且模拟数字转换器被配置为将电源电压与参考电压进行比较以确定电源电压与参考电压间的电平差。数字控制器连接到模拟数字转换...

一种形成极紫外线反射结构的方法包括在基板上形成第一材料层；在第一材料层上形成掩模图案；使用掩模图案作为蚀刻掩模来图案化第一材料层，以在第一材料层中形成多个孔洞；藉由第二材料层填充孔洞；在图案化的第一材料层上与填充的第二材料层上形成第三材...

提供半导体装置及其形成方法。半导体装置可包含n型区域和p型区域。n型区域可包含半导体基板的第一部分和具有与半导体基板相同的半导体材料的第一纳米结构。第一纳米结构可包含在第一方向上的第一平均晶格常数和在第二方向上的第二平均晶格常数。p型区...

提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成从基底突出的鳍形结构、沉积隔离特征部件于鳍形结构的侧壁上、形成虚置栅极堆叠于一部分的鳍形结构上、去除一部分的虚置栅极堆叠，以形成露出上述部分的鳍形结构的沟槽、凹陷上述部分的鳍形结构以将沟槽向下延伸...

一种形成半导体装置的方法包括形成在基板之上突出的第一鳍片结构及第二鳍片结构，在各第一鳍片结构及第二鳍片结构的相对侧上形成浅沟槽隔离区，在浅沟槽隔离区以及第一鳍片结构及第二鳍片结构的顶表面上方、以及第一鳍片结构及第二鳍片结构的侧壁上沉积硬...

本发明提供一种光学装置及制造方法，其中当光信号在诸如光纤的外部组件与位于第一光学封装内的边缘耦合器之间传输时，利用超表面来辅助光信号。超表面包括可用于帮助引导光信号至边缘耦合器的超原子。

一种记忆体电路及其制造方法，记忆体电路包括记忆体单元阵列、乘法累加(MAC)电路、第一及第二驱动器电路。记忆体单元阵列用以储存权重信号的第一集合或第二集合。权重信号的第二集合相对于权重信号的第一集合进行转置。MAC电路用以回应于输入数据...

本公开提供一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括形成鳍片；在鳍片中形成第一及第二源极/漏极沟槽；分别在第一及第二源极/漏极沟槽中形成第一及第二半导体材料层；及分别在第一及第二源极/漏极沟槽中于第一及第二半导体材料层上形成第一及第二源...

本技术实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括设置在基板上方的第一栅极电极层，并且第一栅极电极层在第一方向上延伸。结构还包括设置在基板上方的第二栅极电极层，并且第二栅极电极层在第一方向上延伸。结构还包括设置在第一栅极电极层的第一侧上...

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括具有第一侧的第一存储器阵列；具有面对第一侧的第二侧的第二存储器阵列；以及井接脚区域，介于沿第一侧的第一存储器阵列与沿第二侧的第二存储器阵列之间，井接脚区域具有各含n井分接单元的第一区域和第二区域以...

描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括：层间介电(ILD)层；第一半导体材料，邻近ILD层设置；半导体层，邻近第一半导体材料设置；第二半导体材料，设置在半导体层和第一半导体材料之间；以及第三半导体材料，设置在第一半导体材料上方。第三...

一种记忆体系统、记忆体电路及操作记忆体电路的方法。在一个态样中，记忆体系统包括记忆体阵列，该记忆体阵列包含位元线。该记忆体系统包括耦合至追踪位元线的追踪记忆体单元阵列，该追踪位元线模仿该记忆体阵列的该位元线的电气特性。该记忆体系统包括追...

本文所述的一些实施例提供半导体装置包含具背侧透射区的光学装置以及制造方法。半导体装置包含第一半导体装置堆叠于第二半导体装置上方，其中第一半导体装置包含光电二极管，以及第二半导体装置包含背侧透射区。背侧透射区位于第一半导体装置中的光电二极...

减小用于RRAM单元的形成电压的问题用具有至少两个不同层的电阻切换结构来解决。选择层的厚度和组成，使得层之间的氧亲和能的差在层中的一个中产生本征氧空位。增加耐久性的问题通过将掺杂剂金属添加至较低氧亲和能层来解决。掺杂剂金属具有比较低氧亲...