公开了与形成在纳米结构场效应晶体管(NSFET)器件的STI区域上的浅沟槽隔离(STI)保护结构相关的各个实例。STI保护结构在随后的选择性蚀刻工艺期间保护STI区域(例如，伪栅极结构正下方的部分)。STI保护结构包括衬垫层和形成在衬垫...

减小RRAM单元中的形成电压的问题通过具有至少两个不同金属氧化物的不同层的电阻切换结构来解决。选择层的厚度和组成，使得层之间的氧亲和势的差在层中的一个中产生本征氧空位。增加耐久性的问题通过将掺杂剂金属添加至较低氧亲和势层来解决。掺杂剂金...

本申请的实施例公开了集成电路以及用于形成集成电路的布局和方法。集成电路包括彼此邻接的多个单元，多个单元中的每个对应于相应的电路组件。所述多个单元中的每个包括：沿第一横向方向延伸的多个有源区；多个栅极结构，沿垂直于第一横向方向的第二横向方...

本申请的实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。一种实施例半导体结构包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区、彼此对齐并沿第二方向延伸的功能栅极结构和非功能栅极结构、以及位于功能栅极结构与非功能栅极结构上方的金属化层。金属化层限定第一...

本公开的各个实施例提供了用于形成半导体器件结构的方法。在一个实施例中，方法包括：在衬底上方形成鳍，其中，鳍包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：在鳍上方形成牺牲栅极结构；去除鳍的未由牺牲栅极结构覆盖的部分；用牺牲介电材料...

根据本公开实施例的晶圆处理装置包括：内部杯罩，包括第一杯罩壁和第一底面；中间杯罩，包围内部杯罩，中间杯罩包括第二杯罩壁以及第一杯罩壁和第二杯罩壁之间的第二底面；外部杯罩，包围中间杯罩，外部杯罩包括第三杯罩壁以及第二杯罩壁和第三杯罩壁之间...

在纳米结构场效应晶体管(NSFET)器件的形成期间，使用介电壁来将替换栅极结构切割成单独的替换栅极结构。介电壁可以通过用一种或多种介电材料替换替换栅极结构的设置在两个相邻鳍/沟道堆叠件/堆叠纳米结构之间的部分来形成。介电壁减小替换栅极结...

本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。方法包括形成包括由牺牲层交错的通道层的堆叠、图案化该堆叠以形成鳍状结构、在鳍状结构的通道区之上形成虚置栅极堆叠、凹蚀鳍状结构的源极/漏极区以形成沟槽，去除通道区中的牺牲层以释放通道层作为通道构件，用...

电子系统包括多个堆叠的半导体晶片，其中一个半导体晶片包括分配网络、输出时钟信号产生器、时钟信号网格和导电层。分配网络产生多个输入时钟信号和多个第一输出时钟信号，每个第一输出时钟信号对应于一个输入时钟信号。输出时钟信号产生器产生多个第二输...

一种半导体装置的制造方法。所述方法包括移除第一虚置栅极堆叠以在多个第一栅极间隔物之间形成第一沟槽以及移除与第一半导体区接触的牺牲层。牺牲层与第一半导体区位于第一沟槽中。所述方法还包括在第一沟槽中及第一半导体区上沉积第一栅极电介质、在第一...

本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，半导体封装件可以包括具有波长调制器和热耦合到波长调制器的加热元件的光子集成电路(PIC)管芯。半导体封装件还可以包括在PIC管芯上的互连结构，其中互连结构可以包括...

本申请的实施例提供了封装件及其形成方法。该方法包括形成重构晶圆，其包括支撑衬底、支撑衬底上方的电子管芯和电子管芯上方的光子管芯。该方法还包括在重构晶圆中形成第一沟槽的第一蚀刻工艺和形成第二沟槽的第二蚀刻工艺。光子管芯包括面向第一沟槽的第...

提出了光学器件和制造方法，其中利用光纤阵列单元来布置光纤，这样，一旦光纤阵列单元连接至诸如第一光学封装件的光学器件，在边缘耦合器翘曲偏离直线对准之后，光纤与第一光学封装件内的边缘耦合器更好地对准。

一种方法，包括：蚀刻位于光子管芯中的多个介电层，以形成开口。开口与光栅耦合器重叠，其中，光子管芯包括处于第一层级的第一顶面。该方法还包括在开口形成第一介电区，将电子管芯连接至光子管芯，其中，光子管芯包括处于第二层级的第二顶面，以及形成用...

本公开涉及封装结构及其形成方法。本公开的实施例涉及用于形成封装结构的方法。该方法包括：在晶圆的正面沉积第一层并在晶圆的背面沉积第二层；在第一层上沉积第三层并在第二层上沉积第四层；在第三层上沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积第五层并在第四...

本技术提供一种半导体光子装置，可以包括光子集成电路并且可以与半导体光子装置的顶表面处的输出光纤耦合。为了便于将经调变光信号耦合到半导体光子装置的顶表面的输出光纤，半导体光子装置可以包括镜结构，所述镜结构由包括在半导体光子装置中的半导体支...

本技术涉及一种半导体装置，垂直堆叠的半导体装置包括透过具有可压缩金属接合结构的接合层接合至第二装置结构的第一装置结构。可压缩金属接合结构使用化学沉积工艺来制造，并且比通过相关工艺沉积的等效材料密度更低并具有更大程度的可压缩性。因此，配对...

本技术提供一种影像感测器，具有浮置扩散节点与传输闸门在第一晶片上，以及源极跟随器、双转换增益电晶体(DCG)、选择闸门、及重置闸门在第二晶片上。第一晶片上的浮置扩散节点是非共享的，因此每个光侦测器像素都有一个。与任何可行的单一晶片布置的...

一种半导体装置包括基板上方的第一二维半导体层、与第一二维半导体的第一区接触的第一源极/漏极接触结构、及与第一二维半导体层的第二区接触的第二源极/漏极接触结构，第一二维半导体层的第二区与第一区间隔开。第一源极/漏极接触结构包括与第一二维半...

提供用于对通孔劣化进行侦测的电路及测试系统。用于对通孔的劣化进行侦测的电路包括：电流源，被配置成向受测试装置的多个通孔递送恒定的电流供应。所述电路更包括：多个开关，被配置成将电流源连接至所述多个通孔；以及模拟‑数字转换器(ADC)，被配...