本发明提供一种图像传感器装置，图像传感器装置的半导体管芯包括半导体管芯衬底层中的掺杂井区。掺杂井区可能包括在延伸导电结构的相邻处，该延伸导电结构垂直穿过衬底层延伸到衬底层相对侧的内连线层中。掺杂井区在延伸导电结构和衬底层(可能由一种或多...

射频电感器装置包括绝缘体层及具有安置于绝缘体上的多个匝的铜电感器线圈。铜电感器线圈包含具有至少90％(111)定向的纹理化铜。

一种光学装置。光学装置包含第一绝缘层及第一波导，第一绝缘层位于基板的上方，而第一波导位于第一绝缘层中。第一波导包含第一主要部分及第一弯曲部分，第一弯曲部分从第一主要部分向上延伸并远离基板。光学装置也包含第二波导，第二波导位于第一波导的上...

描述了一种集成电路(integrated circuit，IC)结构。在一些实施例中，结构包含设置于基板上方的鳍形结构，鳍形结构包含第一段及第二段以及位于第一段与第二段之间的底表面，且底表面包含多个凹槽。结构进一步包含设置于鳍形结构的第...

一种半导体装置，包括支撑结构、位于支撑结构上的基底，基底包括外基底层、以及附接到外基底层的内基底层，并且内基底层包括凹槽，凹槽具有凹槽底部和邻接凹槽底部的凹槽侧壁。凹槽可以位于外基底层和内基底层之间的界面处，并且界面可以实质上垂直于支撑...

本公开的一个方面属于封装结构。封装结构包括接合至衬底的管芯，其中多个第一通道形成在管芯的顶面上；接合至衬底并且位于管芯上方的盖；以及设置在盖和管芯之间并且接触盖和管芯的热界面材料(TIM)，其中热界面材料填充第一通道。本公开的实施例还涉...

一种形成半导体结构及场效晶体管的方法。半导体结构可以通过以下方式形成：在基板上方形成多个半导体纳米线，其中半导体纳米线及基板通过间隙彼此垂直间隔开，且其中半导体纳米线通过支撑结构悬挂在基板上方；执行一系列的多个处理步骤的至少两迭代，处理...

本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体层的堆叠件。在截面侧视视角下半导体层在垂直方向上彼此间隔开多个间隙。在半导体层上方形成多个栅极介电层。在截面侧视视角下，每个栅极介电层周向地围绕半导体层中的相应一个半导体层，并且栅极...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及半导体器件结构。该结构包括：衬底；绝缘材料，设置在所述衬底上；第一鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；第二鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；源极/漏极(S/D)特...

描述了封装结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括半导体管芯和设置在半导体管芯之上的RDL。RDL包括第一电介质层、设置在第一电介质层之上的第二电介质层以及导电特征。导电特征包括设置在第一电介质层中的第一部分和设置在第二电介质层中的...

本申请的实施例公开了一种由处理器处理集成电路的布局设计的方法、用于制造集成电路的系统及非暂时性计算机可读介质。该方法包括：至少在集成电路的布局设计的部分中找到重复的布局图案，并从重复的布局图案中识别多个布局单元，将布局设计划分为多个匹配...

本公开提供了推导集成电路的实时故障率的方法、非瞬态计算机可读介质及计算机系统。方法包括以下步骤：获得包括多个单元的集成电路的操作波形；基于所获得的操作波形执行到集成电路内的每个单元的状态映射；计算集成电路内的每个单元的一个或多个操作电压...

本揭露的实施方式提供形成半导体装置结构的方法。此方法包括从基板形成鳍结构及鳍结构包括交替的第一及第二半导体层。此方法还包括移除每个第二半导体层的边缘部分、沉积围绕在鳍结构的绝缘材料、执行热工艺以横向地扩张第二半导体层、形成牺牲栅极结构在...

方法包括：沉积第一层间电介质(ILD)，第一层间电介质围绕第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；使第一ILD凹进至第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件的顶面下方；在第一ILD上方以及在第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间形成硬掩模；执行离...

示例性可流动化学气相沉积方法包括：在衬底上方沉积可流动介电材料；紫外线固化可流动介电材料；以及退火紫外线固化的可流动介电材料。可流动介电材料填充第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔。紫外线固化的紫外线功率大于约80％，并且退火的退火温度...

本公开涉及具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法。一种方法包括：形成从衬底突出的鳍，其中，鳍包括与电介质牺牲层交错的半导体层。该方法包括：在每个电介质牺牲层的端部处形成内部间隔件。该方法包括：在与内部间隔件相邻的鳍中形成源极/漏极特征...

一种装置，包括：交替的多个第一行和多个第二行，相应地包括多个第一单元区和多个第二单元区，第一单元区和第二单元区中的每一个相应地包括有源区；在有源区上方的第一金属化层中，第一单元区和第二单元区中的每一个包括第一和第二电网(PG)段以及一个...

提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括提供衬底、第一纳米结构、第二纳米结构和第一栅极堆叠件。第一纳米结构位于衬底和第二纳米结构之间，并且第一栅极堆叠件包裹第一纳米结构和第二纳米结构。该方法包括去除第一栅极堆叠件和第一纳米结构的端...

半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及设置在第一沟道和第二沟道上方的栅极结构。该栅极结构包括栅极介电层和栅电极层。第一源极包括第一晶体半导体层并且第二源极包括第二...

在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件，多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。而且，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。此外，方法可以包括形成与第二半导体层和一次性材料相邻...