本发明提供一种制造集成电路(integrated circuit，IC)装置的。制造IC装置的方法包括：设计电路布局，包括：通过选择在电路布局的光学邻近校正(optical proximity correction，OPC)期间将经历最...

本技术的实施例提供一种半导体结构包括设置在半导体衬底之上的内连线结构和热传感装置。热传感装置包括第一晶体管、第二晶体管、耦接到第一晶体管的第一电容、耦接到第二晶体管的第二电容以及嵌入在内连线结构中并作为电阻式加热器的金属化图案。从第一和...

本发明提供一种半导体光子器件及其形成方法，半导体光子器件的电介质波导结构形成于分开的衬底上，然后在形成半导体光子器件的半导体光子组件之后结合到半导体光子器件。电介质波导结构可形成于载体衬底上的电介质层中，且电介质层可用于将电介质波导结构...

提供了IC结构及其形成方法。在实施例中，形成IC结构的示例方法包括：形成沿第一方向纵向延伸的高k金属栅极结构；形成沟槽以将高k金属栅极结构分隔成两部分；共形沉积第一介电层以基本填充沟槽；在共形沉积第一介电层之后，在高k金属栅极结构上方形...

一些实施例涉及一种集成器件，包括：衬底，包括第一掺杂区；互连结构，位于衬底上，包括多个布线层和通孔层；第一下部接触层，在衬底和互连结构之间延伸；第一接合层，位于互连结构上方；第一上部接触层，在互连结构和第一接合层之间延伸；电容器，位于互...

描述了制造半导体器件的方法、制造的半导体器件和用于制造半导体器件的装置，其中蚀刻工艺的副产物与半导体晶圆分开独立地加热。在实施例中，将介电材料沉积到半导体衬底上方的沟槽中，并且利用蚀刻工艺使介电材料凹进。蚀刻工艺包括加热半导体衬底以及单...

本申请的实施例公开了放大器、放大器电路及其操作方法。放大器电路包括：被配置为接收射频(RF)信号的第一输入端子和第二输入端子，被配置为输出直流(DC)信号的第一输出端子，并联耦合在参考节点和第一节点之间并包括电容耦合到第一输入端子的栅极...

本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括：衬底，具有电路区域和围绕电路区域的密封环区域以及围绕密封环区域的切割道，其中，切割道包括第一切割区域和设置在第一切割区域的两侧上的第二切割区域；第一有源区域，形成在电路区域中；第一栅极堆叠件...

方法包括形成互连结构和中介层。互连结构包括第一多条再分布线和环绕第一多条再分布线的晶圆密封环。中介层包括第二多条再分布线和环绕第二多条再分布线的多个管芯密封环。该方法包括将第一多个封装组件接合至中介层，以及将第二多个封装组件接合至互连结...

本揭露描述了一种液位感测器系统及误报预防系统，配置为防止半导体处理系统中错误的低水位警报系统。此系统包括配置为容纳液体的储液槽和配置为将警报延迟预定持续时间的感测器系统。在一些实施例中，感测器系统包括感测器和延迟电路，感测器配置为确定储...

一种方法，包括：形成第一金属线；形成第一介电层，其中第一金属线位于第一介电层中；回蚀刻第一金属线，以在第一介电层中形成沟槽。第一金属线的下部保留在沟槽下方。该方法还包括在沟槽中填充光敏材料，并且实施光刻工艺以图案化光敏材料。在第一介电层...

一种封装结构及裸片结构，封装结构包括内连线结构、第一逻辑裸片、模封材料、导电通孔和重分布层。内连线结构附接至封装基底。第一逻辑裸片设置在内连线结构上方。第一逻辑裸片包括位于第一逻辑裸片的上部上的上硅通孔以及位于第一逻辑裸片的下部上的下硅...

一种集成电路装置包括一装置层、一金属化堆叠、一背侧配电网络、至少一个信号传输导体及多个铜介层窗。装置层包括多个电子装置。金属化堆叠设置于该装置层的一前侧上且包括被金属间介电层间隔开的多个图案化金属层。背侧配电网络设置于该装置层的一背侧上...

本技术提出一种半导体装置，该装置包含：基板、第一主动结构、数个第一内间隔物、导电部及第一帽部。第一主动结构形成在基板上且包括彼此垂直堆栈的数个第一主动通道片与数个第一金属栅极结构。各第一内间隔物形成于对应的第一金属栅极结构的侧面上。导电...

本公开的实施例提供了由具有(551)/<110>顶面的衬底制造的GAA器件。选择(551)/<110>衬底能够实现沟道高度缩放和改进的空穴迁移率，而不会牺牲电子迁移率。本公开的实施例还涉及半导体器件及用于形成半导...

根据本公开的封装结构包括封装衬底、设置在封装衬底上方的中介层、设置在中介层上方的光子管芯、设置在中介层上方并且包括控制器管芯的存储器结构、设置在中介层上方并且与光子管芯和控制器管芯部分地重叠的系统管芯以及覆盖系统管芯、存储器结构和光子管...

一种制造半导体器件的方法，包括在沟道区上方形成界面层，在界面层上方形成含金属层。在形成含金属层之后，在沟道区上方形成金属硅酸盐层。去除金属硅酸盐层的部分。在去除金属硅酸盐层的部分之后，在沟道区上方形成栅极介电层，并且在栅极介电层上方形成...

一种半导体装置结构，包含中介物，包含中介物介电材料层，此中介物介电材料层之中形成有中介物金属互连结构以及晶粒侧中介物接合垫；至少一半导体晶粒，之中形成有晶粒内接合垫，此晶粒内接合垫通过金属对金属接合的方式接合至晶粒侧中介物接合垫中相应的...

本公开提供一种集成电路器件，电容器连接在穿过钝化叠层的两个通孔之间，以将电源供应器接触件耦合到金属互连结构。透过为电容器提供足够高的电容及足够低的等效串联电阻，可以有效滤除电源供应器中的噪声。电容器可以具有沟槽电容结构作为用于提供足够高...

本技术提供一种静电场强度量测设备及检测设备，静电场强度量测设备包括静电场检测器件及处理器。此静电场检测器件包括被配置为发射光信号至目标物的环形光源以及设置在所述环形光源内且被所述环形光源环绕的反射检测器。反射检测器被配置为接收由所述目标...