本技术的各种实施例是关于一种集成装置，所述集成装置包括：包括位于衬底之上的上表面的第一接触金属线；与第一接触金属线同水平的多个屏蔽金属线，且多个屏蔽金属线的上表面与第一接触金属线的上表面同水平；以及具有上层及多个突出部的第一电容器，多个...

本技术提供一种半导体装置结构及其形成方法。结构包括第一源极/漏极区、沿第一方向与第一源极/漏极区相邻配置的第二源极/漏极区、第三源极/漏极区、沿第一方向与第三源极/漏极区相邻配置的第四源极/漏极区，具有第一端和与第一端相对的第二端的第一...

一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘...

方法包括：形成封装衬底，包括在玻璃衬底中形成贯穿开口；填充贯穿开口以在玻璃衬底中形成贯通孔；在玻璃衬底下面形成第一互连结构；以及在玻璃衬底上面形成第二互连结构，该方法还包括在封装衬底上方形成中介层；以及通过中介层将封装组件接合在封装衬底...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的栅极电极层、设置在衬底之上的源极/漏极区域、设置在源极/漏极区域之上的导电接触件、设置在导电接触件和栅极电极层上的第一蚀刻停止层，并且第一蚀刻停止层包括SiCN或SiOCN...

本揭露的一个态样为关于一种半导体装置。半导体装置包括源极/漏极(S/D)触点，在S/D特征上方；栅极结构，在通道区上方，其中通道区邻近S/D特征；第一层间介电(ILD)层，在栅极结构上方并围绕S/D触点；蚀刻终止层，在第一ILD层及S/...

一种半导体结构包括标准单元，该标准单元包括第一单高度部分和第二单高度部分。第一单高度部分包括第一VDD线、第一VSS线和第一输入金属线。第二单高度部分与第一单高度部分邻接以形成界面。第二单高度部分包括第二VDD线、第二VSS线和输出金属...

一种侦测装置包括侦测单元、源极线、第一位元线及第二位元线。该侦测单元包含n型晶体管、p型晶体管及能量感测衬垫。n型晶体管及p型晶体管中的每一者包含栅极电极、第一源极/漏极节点及第二源极/漏极节点。能量感测衬垫耦接至n型晶体管的栅极电极及...

一种微机电结构，包括第一电极、第二电极，以及悬臂式臂。悬臂式臂固定至第一电极并在第二电极之上且第一电极与第二电极之间具有间隙。悬臂式臂包括臂结构及设置于臂结构的下侧上的下部保护介电层。

本揭露提供半导体元件及用以制造其的方法。一种方法包含在基板上形成鳍；在鳍上形成栅极，其中侧壁间隔物与栅极横向相邻；移除侧壁间隔物的上部；通过移除栅极的选定区段及移除位于选定区段下方的选定鳍形成空腔；以及在空腔中形成绝缘特征。

一种半导体系统及半导体装置，半导体装置包括螺旋电感。半导体装置包括图型式接地屏蔽(patterned ground shield,PGS)，与螺旋电感电性耦合。半导体装置包括过滤器，配置为与图型式接地屏蔽交换能量。半导体装置包括电路，与...

本案揭示一种半导体制造设备。设备包括用以保持晶圆的晶圆保持器、设置于晶圆之上并用以提供材料至晶圆的喷嘴、及用以调整喷嘴的组态以提高设置于晶圆上的材料的均匀性的喷嘴控制装置。

根据本公开的半导体结构包括：背侧金属线，位于背侧金属线上方的背侧介电层，位于背侧介电层上方的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件，延伸穿过背侧介电层以耦合到第一源极/漏极部件的底面的第一背侧接触件，延伸穿过背侧介电层以耦合到第二源极/...

本申请的实施例公开了半导体器件及其形成方法。半导体器件的像素传感器的控制电路区包括多个转换增益电路，这些转换增益电路可以以各种组合选择性地激活和/或去激活，以在半导体器件的曝光操作中执行多个顺序转换增益操作。控制电路区可以包括并联连接到...

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种制造反射掩模的方法包括：在衬底之上形成牺牲层，以及在牺牲层之上形成反射多层。在反射多层之上形成帽盖层。在帽盖层之上形成吸收层。在吸收层、帽盖层和反射层中形成开口，该开口暴露牺牲层的部分，以及沿开口...

结构包括：第一芯衬底；粘合层，位于第一芯衬底上；第二芯衬底，位于粘合层上，其中，第二芯衬底包括第一腔；第一半导体器件，位于第一腔内；第一绝缘膜，在第二芯衬底上方、第一半导体器件的顶面上方和第一腔内延伸；通孔，延伸穿过第一绝缘膜、第一芯衬...

本申请的实施例公开了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括在介电层上形成第一光刻胶层；使用第一光刻掩模在第一光刻胶层上执行第一曝光工艺，其中在第一曝光工艺期间，阻挡第一光刻胶层的第一区域被曝光，曝光第一光刻胶层的第二区域，并曝光第一光...

本揭露提供了具有绝缘结构的半导体元件与其形成方法。半导体元件包含：位于基板上的第一鳍结构；位于第一鳍结构上的第一栅极段；位于基板上的第二鳍结构；位于第二鳍结构上的第二栅极段；和位于第一鳍结构和第二鳍结构之间以及位于第一栅极段和第二栅极段...

形成重构晶圆，其包括彼此互连的中介层管芯的二维阵列和半导体管芯组的二维阵列。中介层管芯的二维阵列包括由介电负型光刻胶材料组成并嵌入远端重分布布线互连件的远端重分布介电层。光刻曝光工艺依序对介电负型光刻胶材料的区域进行光刻曝光。每个照明区...

本申请公开了集成电路的互连结构中的电容器。公开了一种半导体结构和制造该结构的方法。半导体结构包括：衬底；器件层，设置在衬底上；电源线，设置在器件层上；第一电容器电路；第二电容器电路；以及控制电路，设置在电源线上，并且被配置为控制第一电容...