本技术提供一种集成电路芯片和电子元件结构，集成电路芯片包括元件区、设置在元件区上的互连结构，以及围绕元件区和互连结构的封环。该元件区包括具有栅极结构的晶体管。封环包括金属结构。栅极结构通过二极管与金属结构热耦合。集成电路芯片可以透过封环...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括半导体衬底和衬底穿孔。半导体衬底包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。衬底穿孔包括第一部分和堆叠在第一部分之上且连接到第一部分的第二部分，第一部分延伸穿过半导体衬底的第一侧，第二部分延伸穿过半导体衬底的第...

一个系统(用于在一个由所有P型晶体管和所有N型晶体管组成的名单中确定一个阵容，这些P型晶体管和N型晶体管是并联耦接的一个目标群组的上拉‑下拉‑反相器(PUDI)中的从属元件)包括：一个比较器，用于对一个参考电压和所述目标群组的一个输出进...

本技术的实施例提供一种半导体封装件包括半导体管芯、设置在半导体管芯下方的中介物、将半导体管芯电性耦接到中介物的第一接点、将半导体管芯耦接到中介物的至少一个第二接点以及设置在半导体管芯与中介物之间以围绕有源与第二接点的第一底部填充剂。半导...

本技术的各种实施例是关于一种半导体结构，所述半导体结构包括二端口静态随机存取存储器(SRAM)胞元，SRAM胞元具有写入端口部分及电耦接至写入端口部分的读取端口部分。读取端口部分包括具有第一源极/漏极特征及第二源极/漏极特征的晶体管。所...

本技术的各种实施例是关于一种集成电路封装，所述集成电路封装包括第一集成电路装置。互连结构在剖面侧视图中设置在第一集成电路装置之上。互连结构包括多个互连组件。孔穴在剖面侧视图中设置在互连结构中。第二集成电路装置在剖面侧视图中至少部分地设置...

提供了一种半导体管芯封装和形成其的方法。从半导体管芯封装中的半导体管芯的装置层的背侧表面省略高介电常数(高k)钝化层。代替地，硬掩模层直接形成在装置层的背侧表面上，以及图案化硬掩模层并用于形成通过装置层的一个或多个延伸导电结构(例如，一...

本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：从衬底延伸的衬底部分、设置在衬底部分之上的半导体层、围绕半导体层的至少部分的栅极结构、以及设置在半导体层上的第一电介质间隔件和第二电介质间隔件。栅极结构的部分设置在第一电介质间隔件和第...

本发明的实施例提供了一种方法，包括形成从衬底突出的鳍，形成跨过鳍的伪栅极堆叠件，伪栅极堆叠件包括伪栅极介电层、伪栅极介电层上的伪栅电极和布置在伪栅电极的侧壁上的氧化层，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅电极，使氧化层凹进，钝...

本文提供了一种改进的自动物料处理系统(automated material handling system,AMHS)网络的系统和方法。该方法包括由AMHS网络的一个无线存取点(access point,AP)监控AP与AMHS网络的一...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成第一多层堆叠和第二多层堆叠。第一和第二多层堆叠包括：多个间隔开的纳米片，沿堆叠的第一方向布置；以及电介质间隔件，设置在相邻纳米片之间。在第一多层堆叠和第二多层堆叠...

本公开提供一种旋转坩埚系统，其包括旋转坩埚、激光、熔融板以及加热元件。旋转坩埚包括表面以及横接于所述表面的内侧壁表面，所述旋转坩埚被配置为在操作中接收液态锡。激光被指向所述旋转坩埚的所述内侧壁表面上的所述液态锡，所述激光被配置为在操作中...

一种光子装置，可包括电介质波导以及第一光子耦合器，电介质波导具有核心部分以及包层部分。第一光子耦合器包括形成于包层部分的第一表面处并且光耦合到核心部分的第一电介质柱，以及光耦合到第一电介质柱的第一电介质帽。第一电介质柱和第一电介质帽中的...

提供一存储器装置，包括一存储单元阵列，其中包括与第一字元线耦接的第一存储单元和与第二字元线耦接的第二存储单元；以及与存储单元阵列耦接的字元线驱动器，配置为使用具有脉冲的字元线信号驱动第一字元线和第二字元线。相对于施加在第二字元线的字元线...

方法包括：提供包括鳍形结构的工件，鳍形结构包括交替的沟道层和牺牲层的堆叠件；在鳍形结构的沟道区域上方形成伪栅极结构；在鳍形结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极凹槽；选择性去除沟道区域中的牺牲层以释放沟道层作为沟道构件；对工件实施氢处理；...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括：存储器阵列，包括第一存储器单元，每个第一存储器单元被配置为存储数据位；跟踪列，至少包括第二存储器单元和第三存储器单元，其中，第二存储器单元耦合到第一跟踪位线、第二跟踪位线和跟踪...

本公开实施例的方法包括：形成包括与牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件，以形成鳍形结构；在鳍形结构的第一区域上方形成伪栅极堆叠件；选择性去除牺牲层，以释放沟道层作为沟道构件；在沟道构件之间的间隔中沉积介电伪层；在伪栅极堆叠件之上形成...

一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路包括记忆体内计算(CIM)阵列。CIM阵列包括用以储存第一数据集合的记忆体单元阵列。第一数据集合包括第一权重集合或第二数据集合。第一数据集合是对应浮点数的指数部分。第二数据集合是第一权重集合的压缩版...

本申请公开了具有虚设区域的半导体结构。一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括具有器件区域和虚设区域的衬底。器件区域包括具有多个操作N型晶体管的若干个N型器件单元和具有多个操作P型晶体管的若干个P型器件单元。该虚设区域包括具有多个非...

一种封装件及其形成方法，形成封装件的方法包括：形成覆盖封装组件的顶面的热层堆叠件，其中，热层堆叠件包括多个不同的金属子层；将封装组件连接到封装衬底；在封装衬底上和封装组件上沉积模制材料；以及将支撑环附接到模制材料。