提供了一种测量电路。该测量电路包括：包含多个按行和列排列的测试单元电路的阵列、多个第一测试线、多个地址线、以及与多个地址线连接的控制电路。每个测试单元电路包括待测器件、与待测器件串联耦合在输入端和中间节点之间的电阻器、耦合在中间节点和参...

本发明提供一种光子集成电路，可包括第一波导，其光学耦合至第二波导和第三波导。所述第一波导和所述第二波导被制造成具有不同的侧壁角度。特别地，所述第一波导可被制造成具有比所述第二波导更大的侧壁角度。所述第二波导较小的侧壁角度导致所述第二波导...

用于半导体封装件的中介层包括集成至中介层中的光子组件，诸如光波导和/或集成电路(IC)光子管芯。中介层包括：衬底；再分布结构，位于衬底上方，其中，再分布结构包括介电材料中的多个导电部件；以及光波导，位于衬底上方和/或内。光波导包括由包覆...

本技术提供一种电子元件，其具有下结构或特征。二极管形成在主动区。二极管包括嵌入于主动区域的第一部分的P型组成，嵌入于主动区域的第二部分的N型组成，以及位于P型组成和N型组成之间的未掺杂组成。互连结构形成在二极管的第一侧上。互连结构的不同...

一种半导体结构包括第一源极/漏极(S/D)外延部件、与第一S/D外延部件相邻的第二S/D外延部件、位于第一和第二S/D外延部件之间的绝缘结构、以及在第一和第二S/D外延部件的顶表面上的共享S/D接触件(contact)。共用S/D接触件...

提供集成电路封装及其形成方法，集成电路封装可包含第一晶粒，第一晶粒可包含第一半导体基底、位于第一半导体基底上方的第一接合层以及位于第一接合层中的第一晶粒连接器。第一接合层可包含第一部分及第二部分，第一部分包含第一材料，第二部分包含第二材...

此处提供半导体结构。半导体结构包括多个纳米结构沿着第一方向形成于基板上，以及栅极结构沿着第二方向形成于纳米结构上。半导体结构包括源极/漏极结构与栅极结构相邻，以及多个内侧间隔物层位于栅极结构与源极/漏极结构之间。半导体结构包括硬遮罩层形...

一种半导体装置，包括第一晶体管、第一晶体管之上的第二晶体管、及隔离结构。第一晶体管包括第一半导体通道层、围绕第一半导体通道层的第一栅极结构、及在第一半导体通道层的相对两端上的第一源极/漏极磊晶结构。第二晶体管包括第二半导体通道层、围绕第...

提供了半导体晶粒包括：密集区域和隔离区域，在密集区域中和在隔离区域中具有多个凸块下金属(UBM)焊垫、以及与这些凸块下金属焊垫接触的多个外部电性连接器。这些外部电性连接器具有一预选的垂直高度。

本技术提供一种半导体封装，包括电路衬底、封装单元、热界面材料以及盖体。封装单元配置于电路衬底上且与电路衬底电性连接。封装单元包括面向电路衬底的第一表面以及与第一表面相对的第二表面。底部填充剂设置于封装单元与电路衬底之间，围绕封装单元且部...

集成电路包括：多个堆叠沟道；硬掩模结构，位于沟道之上；以及栅极金属，位于硬掩模结构之上并且包裹沟道。集成电路包括：高K栅极介电层，包裹沟道，其中，硬掩模结构的顶部高于高K栅极介电层的顶部。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

半导体装置制造加工产生一含有二氧化碳的废气及一含有钙离子的水溶液。为了施行碳捕获，使该含有二氧化碳的废气与该含有钙离子的水溶液反应以形成固体碳酸钙。用于半导体制造设施的一碳捕获设备包括：一缓冲槽，其可操作地连接以接收来自使含氟废水与氯化...

本揭露是关于一种光阻组合物、微影方法及极紫外微影方法，该光阻组合物包括一第一光阻。该第一光阻具有一化学式(a1)或一化学式(a2)：(R1Sn)6(OH)mO4+y 化学式(a1)；及(R1Sn)6‑x(R2Sn)x(OH)mO4+y ...

提供一种集成电路结构以及其制作方法。该方法包括：在半导体基板上方形成半导体装置，其中半导体装置包含栅极结构以及第一源极/漏极区及第二源极/漏极区；在该半导体装置的前侧上方形成前侧互连结构，其中前侧互连结构包含前侧金属接线及前侧介电层，且...

一种光纤阵列单元结构，包括光纤阵列单元、无源光学元件结构以及载板。光纤阵列单元包括固持光纤的光纤固定器。无源光学元件结构包括反射层和透镜层。反射层包括与光纤相邻的反射器。透镜层包括与反射器相邻的硅透镜。载板配置为支撑光纤阵列单元和无源光...

提供一种光子系统，包括基板和接合到基板的光子结构，其中光子结构包括一或多个边缘耦合器。光子系统还包括光纤阵列单元(FAU)组件，附接到边缘耦合器附近的光子结构的侧壁上。FAU组件包括连接部件、固持一或多个光纤的FAU、以及一或多个微透镜...

本申请的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成多层堆叠件，多层堆叠件包括第一半导体层和第二半导体层的交替层，形成第一PMOS下拉晶体管，形成第一NMOS下拉晶体管包括去除衬底的第...

在实施例中，方法可以包括：在衬底上方形成多层堆叠件，多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括图案化多层堆叠件以形成第一鳍。方法也可以包括图案化第一鳍以形成两个子鳍。方法可以额外包括在两个子鳍中形成凹槽。方法也可以...

本公开实施例描述了具有带空隙的源极/漏极(S/D)底部隔离层的半导体器件。半导体器件包括：半导体层堆叠件，位于衬底上；栅极结构，围绕半导体层堆叠件；S/D结构，位于衬底上并且与栅极结构相邻；以及隔离层，位于S/D结构和衬底之间。隔离层包...

方法包括例如通过在源极/漏极上形成无氮低k介电层；在无氮低k介电层上形成氧处理的低k介电层；以及在氧处理的低k介电层上形成介电层来在源极/漏极上方形成三层蚀刻停止层。无氮介电层具有第一介电常数，氧处理的低k介电层具有大于第一介电常数的第...