本技术实施例提供了包括二极管的半导体装置。二极管包括P型区域、N型区域以及未掺杂本征区。第一导电接点和第二导电接点中的每一者设置在二极管的第一侧上方。第一导电接点从第一侧电耦合至P型区域。第二导电接点从第一侧电耦合至N型区域。第一导通孔...

一种半导体装置结构与其形成方法，该形成方法包括形成牺牲栅极堆叠于鳍状结构的一部分上；移除鳍状结构的露出部分，以露出基板的一部分与鳍状结构的半导体层的表面；沉积第一半导体材料于基板其露出的部分上；沉积介电层；进行蚀刻工艺以修整掉介电层的侧...

形成封装件的方法包括：对晶圆的划线执行第一多个激光开槽工艺以形成第一组合沟槽，以及对晶圆的划线执行第二多个激光开槽工艺以形成第二组合沟槽。对衬底的划线执行第一锯切工艺。第一锯切工艺在第一组合沟槽和第二组合沟槽之间的划线的分部中执行。执行...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括在中心区域形成从衬底突出的第一鳍，在边缘区域形成从衬底突出的第二鳍，第一鳍和第二鳍均包括鳍基底上的外延堆叠件和外延堆叠件上的硬掩模层。图案化材料沉积在第一鳍和第二鳍附近...

方法包括：在衬底上方形成第一半导体层和第二半导体层；对第一半导体层和第二半导体层实施第一蚀刻工艺以形成第一鳍；横跨第一鳍形成栅极结构；实施第二蚀刻工艺以在第一鳍中形成第一凹槽和第二凹槽；去除第一半导体层；沿第二半导体层和衬底的暴露表面沉...

本公开提出一种金属‑绝缘体‑金属装置结构及其形成方法，该金属‑绝缘体‑金属装置结构包括设置在一基板上方的一第一导电层以及设置在第一导电层上的一介电叠层。介电叠层包括第一介电层设置于第一导电层上，且第一介电层具有第一氧浓度。介电叠层还包括...

提供一种存储器装置和用于读取存储器单元的方法，该装置包括一感测放大器和读取位元线预充电器电路和一局部控制电路。感测放大器和读取位元线预充电器电路接收并响应于一互补感测放大器预充电信号，对一读取位元线和一互补读取位元线进行预充电。局部控制...

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。浅沟槽隔离(STI)保护结构形成在纳米结构场效应晶体管(NSFET)器件的STI区上。STI保护结构在随后的选择性蚀刻工艺期间保护STI区，以去除用于形成NSFET器件的一次性氧化物插入件(DO...

一种系统包括多个半导体芯片，这些半导体芯片彼此堆叠，并且包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括时钟信号生成电路、发送电路和接收电路。时钟信号生成电路生成时钟信号和时钟信号的延迟版本。发送电路响应于时钟信号发送第一数据信号。接收电路...

本技术提供一种半导体元件。半导体元件包括在硅介质的顶表面中的多个孔形成多个子超透镜以产生多个焦点而不是单一焦点(由于使用单一超透镜而产生)。如此一来，相较于与单一超透镜相关联的单一光路而言，减少了入射光的光路，这又减少了入射光子的角响应...

本技术实施例涉及光学装置及光学系统。本技术的实施例提供一种光学装置，其包含波导及光调制器。所述光调制器包含相变材料，且与所述波导的外表面直接接触。所述光学装置还包含导热部件。所述导热部件定位于光调制器上。所述光学装置进一步包含加热部件。...

本技术提供一种半导体结构。半导体结构包括沿着X方向延伸的第一鳍以及与所述第一鳍平行且沿着垂直于所述X方向的Y方向与所述第一鳍间隔开的第二鳍。每个鳍形成有沿着X方向排列的第一装置区域以及第二装置区域；设置在所述多个鳍之间的隔离区；设置在每...

本技术提供一种将半导体晶粒接合至半导体晶片的接合工具。接合工具包括晶片夹头、边缘支撑、硬板以及缓冲层。晶片夹头承载半导体晶片以及放置在半导体晶片上的半导体晶粒。边缘支撑配置于晶片夹头上，半导体晶片与半导体晶粒被边缘支撑侧向地环绕，且边缘...

方法包括在突出鳍的旁边形成浅沟槽隔离区域。突出鳍包括第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构。方法还包括：在浅沟槽隔离区域上形成介电层；在突出鳍上方形成伪栅极堆叠件；以及实施注入工艺以形成保护层。保护层覆盖浅沟槽隔离区域。去除突出鳍中的牺...

本技术提供一种光学波导及一种具有光学波导的半导体装置，所述光学波导包括第一部分、第二部分及第三部分。第一部分包括输入端口，输入端口被配置成容许第一传播方向的输入光学信号自输入端口进入。第二部分包括渐缩波导部分及矩形波导部分，渐缩波导部分...

提供一种半导体管芯及其形成方法。所述半导体管芯包括第一内连线结构、包括导电特征的第二内连线结构以及位于第一内连线结构与第二内连线结构之间的元件层。元件层包括半导体鳍、位于半导体鳍上的第一栅极结构、相邻于第一栅极结构的源极/漏极区以及延伸...

本技术提供一种光电模块和包含其中的共封装光学装置。共封装光学装置可以包括封装基底；电子构件设置在封装基底上；光收发器设置在封装基底上，布置在电子构件周围，其中电子构件与光收发器电连接；以及波导构件设置在封装基底上。波导构件包括具有面向光...

本技术实施例涉及封装组装件，其包括半导体封装件、光学封装件和光学胶。半导体封装件包括中介件结构和上覆光子结构。光学封装件配置于半导体封装件上方，其中光学封装件包括衬底、盖以及介于衬底与盖之间的光纤阵列单元，且衬底内具有至少一个透光区。光...

本技术提供一种集成电路器件，其包括放置在半导体衬底前侧上的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一外延区以及第二外延区、在所述第一外延区与所述第二外延区之间延伸并穿过所述第一栅极的第一沟道、以及分别直接上覆所述第一外延区以及所述第二...

一种半导体装置结构及其形成方法，半导体装置结构包括垂直堆叠的多个半导体层、围绕各半导体层的一部分的栅极电极层、设置在栅极电极层与各半导体层之间的栅极介电层、与各半导体层的侧壁接触的第一源极/漏极特征，其中第一源极/漏极特征包括第一半导体...