本揭露的一些实施例提供一种半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法包括以下步骤。在第一导电特征上方形成第一介电层、在第一介电层上方形成第二介电层、在第二介电层上方形成图案化遮罩、执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过第一介电层及第二介电层的...

本发明提供一种光学装置及形成光学装置的方法，方法包括在包覆层上形成包括至少一组光栅的光学讯号耦合材料层，并对光学讯号耦合材料层进行图案化以提供包括光栅结构和波导的几何形状，其中光栅结构包括至少一组光栅。过渡区包括位于光栅结构和波导之间的...

本公开涉及具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法。一种被配置为ISP的晶片，包括第一区域和第二区域。晶片在第一区域中包括第一栅极结构，该第一栅极结构围绕第一有源区域的第一边缘和第二有源区域的第二边缘设置，第一有源区域和第二有源区域沿...

本技术提供一种半导体封装包括具有光子层的光子集成电路(PIC)芯片以及接合到PIC管芯的电子集成电路(EIC)芯片。EIC芯片包括允许光信号通过光学区域向光子层传输的光学区域以及光学区域外部的外围区域。光学区域包括光学凹凸结构、保护膜以...

一种封装梭以及包括此封装梭的结构，封装梭包括下部梭组件，其包括第一下部梭结构元件、位于第一下部梭结构元件之上的导热板阵列以及至少一个第二下部梭结构元件，其包括穿过其中的梭开口阵列。梭开口阵列覆盖于导热板阵列上方，并且配置为在其中容纳半导...

一种芯片封装结构，包含第一芯片结构，芯片封装结构包含散热基底，散热基底位于第一芯片结构上方，芯片封装结构包含第二芯片结构，第二芯片结构位于散热基底上方，第二芯片结构通过导电插塞结构电性连接至第一芯片结构，基底的第一热导率高于第二芯片结构...

本技术实施例提供一种复合封装件。复合封装件包括：第一半导体封装件、第二半导体封装件和第三半导体封装件的垂直堆叠，其中第一半导体封装件包括至少一个第一半导体管芯，至少一个第一半导体管芯包括第一金属接合垫；第二半导体封装件包括至少一个第二半...

一些关于集成电路光传感器装置的实施例。集成电路光传感器装置包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的多个第一光吸收区和多个第二光吸收区。每个第一光吸收区包括半导体衬底的注入区，注入区以及半导体衬底形成了多个第一光探测器之相对应一个的至少一部分...

本申请公开了纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成抗蚀剂层；以及使抗蚀剂层与掩模接触。该掩模包括：器件区，包括在第一水平处的器件图案；重叠区，围绕器件区并且具有在第二水平处的光吸收材料；以...

本发明提供一种装置包括多个半导体芯片、待测装置电路、控制电路和开关电路。半导体芯片制造于包括一或多条切割线的半导体晶圆上。待测装置电路形成沿着至少一条切割线并包括多个待测装置。开关电路连接在待测装置电路和控制电路之间。控制电路产生多个控...

一种存储器器件包括：形成在衬底的第一区域中的多个第一存储器单元，形成在衬底的第二区域中的多个第一通孔结构，第二区域沿着第一横向方向设置在第一区域旁边，形成在衬底第一侧上的多个前侧互连结构中的第一前侧互连结构，其中第一前侧互连结构耦接到多...

本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：设置在衬底之上的第一半导体层；与第一半导体层相邻设置的源极/漏极区域；设置在第一半导体层之上的栅极间隔件；原生氧化物层，该原生氧化物层设置在栅极间隔件和源极/漏极区域之间并...

本公开的一个方面属于盒式载具。盒式载具包括限定内部空间的框架，内部空间具有顶部开口和底部开口，该框架具有第一侧壁、第二侧壁、第一连接壁和第二连接壁，其中第一连接壁和第二连接壁在第一侧壁和第二侧壁之间延伸。盒式载具包括支架，该支架横跨底部...

本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同...

本公开涉及半导体器件结构及相关方法。用于执行隔离图案化工艺的方法和结构包括限定在俯视图中沿第一方向延伸的多个有源区。该方法还包括在多个有源区之上形成多个虚设栅极结构，该多个虚设栅极结构在俯视图中沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。该...

提供具有隔离金属结构的装置。一种集成电路装置，其包括：半导体基板；第一栅极结构及一第二栅极结构，位于半导体基板上方并以直线对准；及隔离结构，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间并将其分离开，其中隔离结构具有被选形状并包括具有被选尺寸的气隙。

揭示了一种半导体装置，其包括基板、鳍片结构、蚀刻控制层、浅沟槽隔离区、栅极介电层、栅极导电层以及隔离结构。鳍片结构设置于基板上，且鳍片结构包含鳍片部分及氧化物层。蚀刻控制层设置在基板上以及在鳍片部分的多个侧壁上。浅沟槽隔离区设置在蚀刻控...

一种光子装置结构及光子半导体装置。光子装置结构包括具有顶侧氧化物层的基板及位于顶侧氧化物层上的硅层。光子装置结构还包括位于硅层中且包括接触孔的肋状波导组件。接触孔包括接触孔深度及接触孔沟槽，接触孔沟槽位于硅层中且具有第一侧壁、第二侧壁及...

一种半导体封装包括：包括水平顶表面的封装基板；接合至封装基板的顶表面的中介层；接合至中介层的顶表面的半导体晶粒，半导体晶粒包括面向中介层的顶表面的底表面，以及形成在半导体晶粒的底表面的多个角落中的多个倒角；以及围绕半导体晶粒并且填充倒角...

一种半导体装置包含基板、氧化物半导体通道层、栅极结构、导电层及源极/漏极电极。氧化物半导体通道层垂直叠置于基板上方。栅极结构环绕氧化物半导体通道层的通道区中的每一者。导电层垂直叠置于基板上方，其中导电层插入于氧化物半导体通道层中的相邻的...