形成第一半导体层和第二半导体层的堆叠件。第一半导体层各自具有第一材料组成。第二半导体层各自具有不同于第一材料组成的第二材料组成。堆叠件中的第一半导体层和第二半导体层交错。用多个介电层替换第二半导体层。在第一半导体层的相对侧上形成源极/漏...

本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：在一半导体基底的顶表面上形成一半导体鳍部，其中前述半导体鳍部包括交替配置的第一半导体层和第二半导体层；形成穿过前述半导体鳍部并进入前述半导体基底的一凹槽；在前述凹槽中形成一底部隔离层，包括沉积一...

一种半导体装置包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构。每一介电结构包含：一介电体积；一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面；一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第...

本公开涉及具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种用于形成包括重结晶源极/漏极区域的半导体器件的方法。重结晶源极/漏极可以在外延工艺之后通过高温处理来形成。

方法包括：接收第一衬底；在第二衬底上形成接合层；将第二衬底接合至第一衬底；在第二衬底上形成可移动膜，形成包括实施蚀刻操作以穿过第二衬底的厚度形成贯穿通孔；以及在可移动膜的表面上形成第一抗粘附结构。第一抗粘附结构的形成与贯穿通孔的蚀刻操作...

本文描述了一种形成光学器件的方法以及光学器件，其中在衬底上形成波导，并在波导上方沉积超原子材料。一旦沉积，金属原子材料被图案化以在波导上方形成光栅耦合器。

本文的实施例公开了的半导体结构及其制造方法。示例性源极/漏极结构包括具有第一组成的基底半导体层、绝缘体层、具有第二组成的第一半导体层和具有第三组成的第二半导体层。基底半导体层设置在衬底中。绝缘体层设置在基底半导体层上，并且绝缘体层中包括...

集成电路(IC)器件包括器件堆叠件、顶部接触结构、底部接触结构、导体、通孔互连件和背侧电源轨。器件堆叠件包括底部半导体器件以及沿厚度方向堆叠在底部半导体器件上方的顶部半导体器件。顶部接触结构位于顶部半导体器件的源极/漏极上方并且与顶部半...

本申请的实施例公开了图像传感器。具有四像素结构的图像传感器具有四像素电路，该四像素电路包括四个光电探测器像素电路和桥接电路。桥接电路选择性地耦接与四个光电探测器像素对应的浮动扩散节点，并允许四个光电探测像素电路在四像素模式、双像素模式或...

提供了光学器件和制造光学器件的方法。制造光学器件的方法包括在支撑衬底、第一半导体管芯和光学中介层上方形成保护层。用密封剂将光学中介层与第二半导体管芯密封。利用第二半导体管芯来平坦化密封剂，以及在平坦化密封剂之后去除密封剂以暴露保护层。

本申请的实施例公开了一种封装件、半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括耦合到封装衬底的第一侧的光子封装件，光子封装件包括半导体衬底、包括位于半导体衬底的顶面上的多行耦合透镜的阵列、和设置在多行耦合透镜下方的多行耦合器，其中，多行耦合...

本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件，包括有源区、前侧电源轨、背侧电源轨和在前侧电源轨与背侧电源轨之间延伸且电耦合它们的第一电源抽头结构。沿第一轴，有源区包括第一有源区域部分和与第一有源区域部分连续的第二有源区域部分。沿与所述第...

提出了光学器件及其制造方法，其中第一光子器件包括旋转器区段和分离器区段。旋转器区段包括具有不同厚度的多个板，诸如第一板和第二板。分离器区段包括第一波导和耦合至第一波导的第二波导。

一种信号调整电路及信号调整方法。信号调整电路包含第一时脉路径、第二时脉路径、数据路径及轨道路径。第一时脉路径用以接收第一时脉信号并提供具有第一时脉相位的第一时脉信号的经调整版本。第二时脉路径用以接收第二时脉信号并提供具有第二时脉相位的第...

一种装置包括一个传输时钟电路，其包含一个相位内插电路和一个传输差分到正交相位产生器。相位内插电路内插相位并提供相位内插的第一时钟信号和相位内插的第二时钟信号。传输差分到正交相位产生器对每个相位内插的第一时钟信号和相位内插的第二时钟信号进...

提供一种半导体封装。半导体封装可包括基板、接合到基板的第一封装部件以及位于第一封装部件之上的第一冷却系统。第一封装部件可以包括第一半导体晶粒。第一冷却系统可包括位于第一封装部件的第一基座，其中第一基座可包括第一凹部、从第一凹部的底部突出...

本技术的各种实施例是关于一种光检测器装置，所述装置可包括吸收区，吸收区被形成为在与要被投射到吸收区上的入射光的方向大致平行的方向上具有增加的深度(或厚度)。吸收区在与入射光的方向大致平行的方向上增加的深度使得入射光能够在与入射光的方向大...

提供一种集成封装体及半导体装置。半导体装置包括光学晶粒、激光晶粒及中介件。光学晶粒具有光子集成电路(PIC)、电子集成电路(EIC)及一或多个第一耦合波导。激光晶粒具有至少一激光二极管及一或多个第二耦合波导。使用金属对金属接合使光学晶粒...

一种半导体装置包含分离壁及多个衬里，这些衬里包含位于第一鳍片与第二鳍片之间的第一衬里及第二衬里。第一衬里更靠近这些金属栅极层中的至少一个金属栅极层，而第二衬里更靠近分离壁。内部间隔物层位于该至少一个金属栅极层、该第一衬里及该第二衬里周围...

一种包含复合封装体的装置结构，包括第一半导体晶粒，第一半导体晶粒包括半导体基板、介电材料层、边缘环密封结构、至少一个钝化介电层以及盖金属环；介电材料层覆盖半导体基板；边缘环密封结构横向包围介电材料层，而没有任何横向开口穿过其中；至少一个...