本技术提供一种封装结构，包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、绝缘包封体以及再分布层。绝缘包封体横向环绕第一半导体管芯以及第二半导体管芯，其中绝缘包封体包括夹置在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间的第一部分，所述第一部分具有邻近第一半导体...

本技术提供一种集成电路，包括半导体衬底以及内连线结构。内连线结构配置于半导体衬底上。内连线结构包括信号传输结构以及散热结构。散热结构配置于信号传输结构上，且包括复合介电层以及第一导电特征。复合介电层包括黏着层以及配置在黏着层上的钻石层。...

自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件包括：底部金属层；第一磁性层，设置在底部金属层上方；间隔件层，设置在第一磁性层上方；以及第二磁性层，设置在间隔件层上方。用于抑制第一磁性层的金属元素扩散到底部金属层中的扩散阻挡层设置在底部金属层和第一磁性层...

本技术提供一种半导体装置，所述半导体装置包括半导体管芯。半导体管芯包括衬底，所述衬底包括至少一个有源构件、设置在至少一个有源构件上方且电耦合至至少一个有源构件的内连线、以及设置在内连线内且热耦合至至少一个有源构件的至少一个第一热控制组件...

本技术涉及概率位结构及磁隧道结结构。概率位结构包括：晶体管；磁隧道结MTJ，其通过底部电极垂直互连通道BEVA与所述晶体管可操作地连接以形成磁阻随机存取存储器MRAM；及加热器，其包含包围所述MTJ或所述BEVA的至少一个导电回路。在一...

本揭示叙述一种集成电路结构。集成电路结构包括具有第一通道的第一半导体结构及具有第二通道的第二半导体结构，第一通道具有第一通道宽度，第二通道具有不同于第一通道宽度的第二通道宽度。第一通道和第二通道彼此接触。

本技术提供一种半导体装置结构。此结构包括沿第一方向设置的第一多个源极/汲极区、沿第一方向设置并与第一多个源极/汲极区间隔开的第二多个源极/汲极区、设置在第一多个源极/汲极区之间的导电特征。以及第二多个源极/汲极区，以及多个导电接触件设置...

一种半导体装置及半导体设备。半导体装置包括第一半导体装置、整合冷却结构、第二半导体装置及多个基板导通孔。第一半导体装置包括第一互连结构。整合冷却结构接合到第一互连结构，其中整合冷却结构被配置为用于让工作流体进入及离开整合冷却结构。第二半...

本公开提供一种集成电路器件包括第一衬底、设置在紧邻第一衬底的背侧表面的电气集成电路(IC)结构以及设置在紧邻电气IC结构的背侧表面的光子IC结构，其中第一衬底包括在第一衬底的前侧表面处的光学透镜。光子集成电路结构包括提供光子IC结构的背...

本技术提供一种电子装置及静电放电保护电路，所述电子装置包括耦合至电源电压轨及操作电压轨的核心逻辑电路。在标准操作期间，电源电压轨具有电源电压，操作电压轨具有操作电压，且后驱动器电压轨具有较操作电压大的过驱动电压。所述电子装置更包括：第一...

本技术提供一种集成装置，包括衬底；覆盖在所述衬底上的栅极；藉由电介质与所述栅极间隔开并且覆盖所述栅极上的通道层；在所述通道层上的多个源极/漏极区，所述栅极在多个源极/漏极区之间延伸；与所述通道层的上表面一致并且包括第一材料的插入层；以及...

本文公开了使用伪氧化物中介层制造多栅极晶体管的方法。示例性方法包括形成多层堆叠件，多层堆叠件包括第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件。通过去除源极/漏极区域中的第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件的部分来形成源极/漏极凹槽，以及在源...

形成半导体器件的方法包括：在互连结构上方形成导电焊盘，并且导电焊盘电耦接至互连结构，其中互连结构设置在衬底上方并且电耦接至形成在衬底上的电子组件；在导电焊盘和互连结构上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成牺牲测试结构，并且牺牲测试结构电耦...

本公开的方法包括：形成包括由牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件以形成鳍状结构；在鳍状结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；使鳍状结构的源极/漏极区域凹陷以形成沟槽；去除沟道区域中的牺牲层以释放作为沟道构件的沟道层；形成填充沟道构件之...

在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件。多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。此外，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。另外，方法可以包括对一次性材料和第二半导体层实施第一...

半导体结构包括：中介层，中介层包括：衬底；再分布结构(RDS)，位于衬底上；钝化膜，位于RDS上，其中钝化膜包括位于RDS上的第一蚀刻停止层(ESL)和位于第一ESL上的第一介电层；通孔，嵌入钝化膜中，其中通孔电耦接至RDS的导电部件；...

一种抗偏斜电路及用于一或多个抗偏斜级的操作方法，抗偏斜电路包括一或多个抗偏斜级。该一或多个抗偏斜级中的每一者用以调整一信号的一转变边缘且包括：一单一反相器；一头端，其用以将一第一电源电压耦接至该单一反相器；一脚端，其用以将一第二电源电压...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在实施例中，一种方法可以包括：在衬底之上形成多层堆叠，该多层堆叠具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。该方法还可以包括：在第一区域中形成与第一半导体层和第二半导体层相邻的第一源极/漏极区域，第一源极/...

一种硅光子集成电路包括偏振分离光栅耦合器(PSGC)，其被配置为接收光学信号并将光学信号分离为两个偏振分量。该电路包括相位控制器，耦合到PSGC，相位控制器被配置为调谐分离的光学信号，使得两个偏振分量同相。该电路包括第一和第二光电二极管...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：第一源极/漏极区域、与第一源极/漏极区域相邻的第一纳米结构、第二源极/漏极区域、与第二源极/漏极区域相邻的第二纳米结构、栅极结构、间隔件、和电介质...