描述了封装结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括：通孔、与通孔相邻设置的第一半导体管芯、设置在通孔的侧表面和第一半导体管芯的侧表面上的应力释放层以及设置在应力释放层上并且在通孔和第一半导体管芯之间的模制材料。通孔、半导体管芯和模制...

本技术的实施例提供一种经接合的总成包括：第一封装结构，包括第一金属凸块结构和侧向地围绕第一金属凸块结构的第一聚合物接合层；第二封装结构，包括第二金属凸块结构和侧向地围绕第二金属凸块结构的第二聚合物接合层；以及焊料部分，位于第一金属凸块结...

本技术提供一种包括半导体层的集成电路装置，该半导体层包括具有第一吉布斯自由能的第一材料和具有小于第一吉布斯自由能的第二吉布斯自由能的第二材料。第一材料包括p型氧化物半导体材料。此集成电路装置还包括接触半导体层的第一表面的介电层、与半导体...

提供方法。方法包括：确定预测浆液消耗值；确定与预测浆液消耗值相关的补充线；确定与预测浆液消耗值相关的混入抛光浆液体积；以及操作包含抛光浆液的供应槽，操作根据补充线和混入抛光浆液体积。操作包括：通过安装在供应槽上的连续液位传感器组件确定抛...

方法包括：形成封装组件，包括形成延伸穿过衬底的热通孔；和将管芯接合至热通孔；将封装组件的热通孔附接至封装衬底的第一导电焊盘，其中封装衬底包括位于第一导电焊盘下方的热管；以及将支撑结构附接至封装衬底的第二导电焊盘，其中热管位于第二导电焊盘...

本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法包括：形成设置在衬底之上的鳍形结构，鳍形结构包括交替的沟道层和牺牲层的堆叠；在鳍形结构的沟道区域之上形成虚设栅极结构；在鳍形结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极凹部；选择性地且部分地使牺牲层凹陷...

本揭露的各种实施例提供一种用于形成半导体装置结构的方法。方法包括在两个相邻鳍片结构之间形成沟槽，鳍片结构各个包含交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层，移除每一鳍片结构中的第二半导体层以形成第一空腔，用牺牲介电层填充第一空腔，移除...

本申请公开了无栅极分接单元及其制造方法。本公开的实施例提供了一种包括无栅极结构的拾取组件(例如分接单元)的半导体器件及其形成方法。

提供一种半导体装置结构。结构包括装置层、包括设置在装置层上的多个金属层的互连结构，以及设置在互连结构上的超厚金属结构。超厚金属结构包括具有第一宽度的第一超厚金属特征，以及设置在第一超厚金属特征周围的第二超厚金属特征，其中第二超厚金属特征...

本技术一些实施例涉及一种封装组件，其包含绝缘衬底、半导体结构、第一导电线及导电垫。所述半导体结构被放置在所述绝缘衬底中并与所述绝缘衬底分离。所述第一导电线被放置在所述绝缘衬底的第一侧上。所述导电垫被放置在所述半导体结构的第一侧上。所述第...

本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括从衬底突出并沿第一横向方向延伸穿过衬底的半导体鳍。半导体结构包括设置在衬底上的多个栅极结构，其中每个栅极结构沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。半导体结构包括设置在栅极结构上方...

一种形成半导体装置的方法，包括在一堆叠的多个纳米结构层的多个外表面上形成硬遮罩层，其中硬遮罩层包括介电质基底材料和保护性氧化物表面。在硬遮罩层上形成虚设栅极。邻接虚设栅极形成栅极侧壁间隔物。形成源极/漏极区域。移除虚设栅极。相对于第二组...

本申请的实施例涉及用于互连件测试的电路和方法。电路包括：第一管芯，包括第一接口电路和第二接口电路；第二管芯，包括第三接口电路和第四接口电路；以及第一互连件，被配置为通过第一接口电路和第二接口电路将第一管芯通过第三接口电路和第四接口电路可...

本申请的实施例涉及存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：多个存储器单元，多个存储器单元中的每个被配置为储存一个或多个数据位；第一互连结构，可操作地配置为位线并耦合到多个存储器单元中的每个，第一互连结构沿第一横向方向延伸；以及第二互连结...

在一些实施例中，半导体装置的形成方法可包含在基底上方形成多层堆叠物，多层堆叠物具有多个第一半导体层及多个第二半导体层的交替层。此外，此方法可包含移除基底的第一区中的多个第一半导体层。此方法也可包含在第一区中的多个第二半导体层之间形成可抛...

本发明提供一种具有电阻元件的半导体结构包括具有有源区的衬底，该形成在有源区之上的第一栅极结构，以及形成在有源区之上并且邻近第一栅极结构的第一电阻元件。在一些实施例中，第一电阻元件包括第一电阻层和形成在第一电阻层之上的第二电阻层。在一些实...

一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路包括：一电流源，其用以提供一参考电流；及多个晶体管，其各自用以自该电流源接收该参考电流。所述多个晶体管中的每一者具有一相同导通类型且包括一第一源极/漏极端，其连接至所述多个晶体管中的一第一相邻晶体管...

本公开提供了半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种用于制造具有长栅极长度的半导体器件的方法。在具有长栅极长度的器件区域之上形成图案化的光致抗蚀剂层，以实现工艺均匀性并提高器件密度。

一种互连结构包含位于第一介电层中的第一导电特征、位于第一导电特征上方的导电覆盖层、位于蚀刻终止层上方的第二介电层及延伸穿过第二介电层的第二导电特征。第二导电特征包含位于第二介电层的侧壁上的阻障层、位于阻障层上且与导电覆盖层实体接触的衬里...

本技术提供提出一种半导体装置包括衬底、内连线以及垂直连接结构。衬底具有前侧以及背侧。内连线被设置在基板的前侧上方。垂直连接结构嵌入内连线中并贯穿衬底，垂直连接结构包括第一部分以及第二部分。第一部分嵌入内连线内部并进一步延伸到基板中。第二...