一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，该衬底限定逻辑区域和存储器区域；在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上方沉积第一导电层；在第一导电层上方沉积牺牲层；蚀刻存储器区域中的牺牲层...

一种半导体装置的制造方法，包括提供工件。工件包含通道层和牺牲层的堆叠、设置于堆叠之上的虚置栅极结构、以及邻近堆叠和虚置栅极结构的源极/漏极沟槽。方法还包含以第一虚置层与第二虚置层取代牺牲层。以第一虚置层间隔开第二虚置层与通道层。方法还包...

本揭露的一实施例揭示一种记忆体装置、记忆体电路及其操作方法。在一个态样中，记忆体装置包括耦接至位元线及字元线的记忆体单元。记忆体装置包括第一延迟电路，其经配置以产生第一延迟信号，以根据记忆体单元的位元线转变为逻辑低状态来启动字元线驱动器...

本揭露揭示一种工件处理装置、调整工件处理装置的方法以及工件处理系统，特别是在安装于工件处理工具内或已安装于工件处理工具内之前预测试、校准或测试喷淋头的方法。通过在安装至工件处理工具中之前预测试或校准喷淋头，形成于工件的表面上的一或多个层...

本技术实施例是涉及半导体结构和像素阵列。像素阵列包括一些具有高吸收结构的像素和其他不具有高吸收结构的像素，所述像素阵列表现出增加的近红外光的动态范围。此外，像素阵列是多个光电二极管的均匀阵列，因此不会出现不规则隔离结构引起的电流泄漏。另...

提供一种微机电系统(MEMS)结构。在一个实施例中，MEMS结构包括第一固定元件、第二固定元件、连接第一固定元件和第二固定元件的盖体结构、以及位于第一固定元件与第二固定元件之间且位于盖体结构下方的可动元件。第一弹簧包括呈现拉伸应力的第一...

一种半导体元件被揭露。基板于第一区域上有第一半导体鳍且于第二区域有上第二半导体鳍，且第一半导体鳍和第二半导体鳍在差排区域相互接触。在差排区域内或邻近差排区域的虚设栅极被移除以暴露部分的第一半导体鳍并形成绝缘空间。蚀刻被实施以移除暴露部分...

本技术一些实施例涉及集成电路装置。一种集成电路装置包括：半导体层；像素，包括在半导体层中的光侦测器；导电结构，电耦合到半导体层的第一侧上的像素；多个光扩散器，覆盖半导体层的与第一侧相对的第二侧上的光侦测器；以及聚光结构，覆盖多个光扩散器...

一种镀覆膜以及镀覆方法，镀覆膜包括：支撑结构，从喷嘴沿径向向外延伸，喷嘴用于朝晶片引导镀覆溶液的流。镀覆膜还包括：框架，由支撑结构支撑，具有从喷嘴向外成斜角的内壁。内壁相对于喷嘴的向外角度以如下方式引导来自喷嘴的镀覆溶液的流：增大朝晶片...

方法包括生成朝向测试层的外差光的源光束，使得源光束以第一入射角入射在测试层上。使源光束偏振，从而形成参考光束。使源光束的由测试层反射的部分偏振，从而形成测试光束。测量参考光束的强度信号和测试光束的强度信号。确定测试光束的强度信号的相位和...

本公开涉及一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法包括形成多个通道区的堆叠于鳍状物的表面上，且通道区隔有个别的间隙；以及对通道区的侧壁与鳍状物的表面进行表面处理，且表面处理造成通道区的侧壁与鳍状物的表面比表面处理之前更不易沉积牺...

本公开的各种实施例涉及一种半导体结构，其中半导体结构的电路组件分摊在各种IC管芯之中，这些IC管芯被配置为接收不同的电压以降低噪声和/或增强性能。例如，第一集成电路(IC)管芯包括第一半导体衬底，第二IC管芯包括第二半导体衬底。像素包括...

本申请的实施例公开了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括在光子引擎的顶面上沉积保护层，其中光子引擎的底面包括透镜结构，其中保护层覆盖透镜结构；在光子引擎的顶面和保护层上沉积密封剂；在沉积密封剂之后，去除保护层以暴露透镜结构。

本技术提供一种半导体装置的单元区域、半导体装置及其制作方法。装置包括：堆叠在第二单元区域上的第一单元区域；其各自包括在第二有源区之上的第一有源区；在第一有源区之上的金属化的第一层中、M_第一电网段上的具有第一参考电压，M_第一布线段与M...

本技术提供一种具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装。所述封装结构包括：前侧重分布层(RDL)结构，包括凹陷部分；下封装体层，位在前侧RDL结构上并且包括被配置为将前侧RDL结构电耦合至上封装的多个穿孔；第一半导体管芯，位在前...

用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成半导体结构，半导体结构包括在第一方向上设置在半导体衬底上并且在横向于第一方向的第二方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域以及设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之...

本发明提供一种复合封装及其形成方法。复合封装可具有用于增强散热的特征。该特征可包括位于半导体芯片背侧的金属柱阵列。或者，该特征可包括腔，半导体芯片的背侧表面暴露于该腔，且该腔在侧向上被模制化合物框架的部分环绕。

本发明提供一种去除掩模的表面上的污染物颗粒的方法以及设备。去除掩模的表面上的污染物颗粒的方法包括采集在掩模的表面上有污染物颗粒的掩模的图像，并基于掩模的图像确定污染物颗粒的类型。方法还包括对掩模的表面进行与污染物颗粒的类型相对应的颗粒去...

一种记忆体装置及其形成方法，记忆体装置包括多个记忆体单元、第一互连结构及第二互连结构。记忆体单元中的每一个用以存储数据位元。第一互连结构可操作地用作位元线且耦合至记忆体单元中的每一个。第二互连结构可操作地用以承载电源电压且耦合至记忆体单...

提供一种含有保护遮罩的加热单元、炉管装置与其清洗方法。此加热单元包含加热元件与保护遮罩，且保护遮罩覆盖加热元件的顶表面。其中，保护遮罩包含多个保护件及多个结合件。保护件具有多个结合孔，且保护件的顶表面具有至少一贯穿开口。结合件是配置以透...