IC器件包括在半导体衬底的前侧中在第一方向上平行延伸的两个隔离结构、包括在隔离结构之间在第一方向上延伸的栅极和金属状限定(MD)段的堆叠CFET电路。每个栅极沿着第一方向从第一位置延伸至第二位置，并且MD段中的一个配置为电路的参考电压连...

本新型的实施例提供一种半导体光子装置包括光调变器结构和半导体光子装置的一个或多个介电层中的调变器加热器结构。调变器加热器结构周围包含隔离沟渠，以减少热应力可能导致介电层损坏的可能性。隔离沟渠可以包括穿过介电层的气隙，并且在半导体光子装置...

一种半导体装置结构，包括一基底、位于基底上方的一第一绝缘层、位于基底上方并埋入第一绝缘层内的一导电柱体、位于第一绝缘层及导电柱体上方的一第二绝缘层、穿过第二绝缘层并连接至导电柱体的一导电通孔结构以及位于导电通孔结构及第二绝缘层上方的一导...

本技术的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置包括沿第一方向延伸的第一有源区层；沿不同于第一方向的第二方向延伸的第一扩散上方金属层，第一扩散上方金属层位于第一有源区层之上；在第一有源区层上方沿第二方向延伸的第一多晶硅栅极接触件；...

本揭露涉及一种互连层结构。互连层包括第一区域及第二区域。第一区域包括第一介电层及第一互连结构。第二区域包括第二介电层及第二互连结构。第一区域具有第一区域中的金属表面积与非金属表面积的第一比值。第二区域具有第二区域中的金属表面积与非金属表...

一种光子组件，包括电子集成电路晶粒，包含半导体基板、多个半导体装置位于半导体基板的水平面上、多个第一介电材料层埋置多个第一金属内连线结构、介电柱结构垂直延伸穿过第一介电材料层的每一层、以及第一接合层的介电层埋置多个第一金属接合垫，其中第...

描述半导体装置及用于制造半导体装置的方法。方法包括在半导体基板上方形成多个主动区；在半导体基板上方且这些主动区之间形成浅沟槽隔离(STI)特征，其中STI特征接触半导体基板的上表面；在主动区上方且STI特征上方形成栅极结构；通过蚀刻穿过...

方法包括：提供包括导电路径的中介层结构；在中介层结构上方形成连接至导电路径的微凸块；将第一管芯和第二管芯接合至微凸块上；在第一管芯和第二管芯上方和周围形成模塑料；实施平坦化工艺以暴露第二管芯的顶面；在模塑料中形成沟槽以暴露第一管芯的顶面...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法包括形成多个半导体纳米结构，其中，多个半导体纳米结构中的上面的半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应的下面的半导体纳米结构重叠。形成多个半导体层，每个半导体层从多个半导体纳米结构中的一个半导...

一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：在设置于基板上方的牺牲栅极结构周围形成栅极间隔层；对包括栅极间隔层的第一材料层执行处理操作，此些处理操作用以使得第一材料层在金属栅极替换操作期间更能抵抗锗(Ge)扩散；形成与第一材料层相邻的第二...

为清洁半导体制造中使用的项目，执行至少一个清洁操作。执行至少一个清洁操作后，通过水流过装有项目的槽来冲洗项目。在冲洗期间，获取感测器数据，这些数据指示装有项目的槽中及/或从槽流出的水的至少一个特性。基于感测器数据判断冲洗停止时间，并在判...

本发明提供一种形成集成电路装置布局计划的方法、用于形成集成电路装置的布局计划的处理装置以及非暂时性计算机可读存储媒体，方法包括：获得布局计划区域中多个数字电路单元的布局；获得布局计划多个金属化层子集和多个通孔层子集中一个或多个热感测电阻...

一种记忆体系统、稳压器电路及其操作方法。稳压器电路包含全域电压产生器电路，该全域电压产生器电路具有用以接收参考电压的参考输入端及用以输出复制参考电压的栅极信号的输出端。多个驱动器电路各自具有连接至全域产生器电路的输出端的输入端。驱动器电...

本申请公开了通过自由基掺杂的结轮廓控制。一种方法包括形成多层堆叠，其包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替设置。该方法还包括：横向凹陷多个牺牲层以形成横向凹部；执行掺杂工艺以将第一掺杂剂掺杂到横向凹部中；...

本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中...

制造EUV薄膜的方法包括以下步骤：在衬底上沉积第一绝缘层；部分地去除衬底以形成暴露第一绝缘层的开口；部分地去除第一绝缘层，同时留下与衬底接触的支撑部分；在绝缘层的支撑部分上形成核心层，其中核心层包括sp2和sp3碳原子；以及在核心层上形...

一种用于测定液体的金属浓度的系统及其紫外光消解设备，该系统包含紫外光消解设备及比色测试设备。该紫外光消解设备包括界定腔室的液体固持器及被组配为发射UV光至该腔室的光源。该比色测试设备被组配为执行比色测试以测定金属浓度。借此提高对液体的金...

一种集成电路包括：衬底上方的前侧金属层中的前侧电源轨、衬底下方的第一背侧金属层中的背侧信号线、第一背侧金属层下方的第二背侧金属层中的背侧电源轨以及穿过衬底的背侧通孔连接件。第一前侧电源轨与第一背侧通孔连接件导电连接到第一类型晶体管的源极...

集成电路包括装置区及重叠标记区。装置区包括多个晶体管和晶体管上方的金属连接结构。重叠标记区包括第一导电结构的第一绕射光栅、细长结构的遮蔽光栅及位于遮蔽光栅与第一绕射光栅上方的第二导电结构的第二绕射光栅。多个第一导电结构横向地位于每对相邻...

本技术实施例的半导体装置包括内连结构。内连结构包括在第一介电层中的第一导线、在第二介电层中的导通孔以及在第三介电层中的第二导线。所述第二介电层是设置于所述第一介电层和所述第三介电层之间。所述第二介电层的介电常数小于所述第一介电层的介电常...