方法包括：在衬底上方形成鳍；在衬底上方形成第一隔离区域；在第一隔离区域上方形成硬掩模，其中，鳍从硬掩模突出；在鳍上方形成伪纳米结构；去除伪纳米结构；去除鳍的部分以形成延伸穿过硬掩模和第一隔离区域的开口；在硬掩模上方和开口中形成第二隔离区...

存储器单元包括第一有源区域和第二有源区域以及第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构。第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构配置为在分别形成存储器单元的写入端口的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体...

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方的沟道纳米结构和介电纳米结构。介电纳米结构位于衬底与沟道纳米结构之间。半导体器件结构包括穿过沟道纳米结构和介电纳米结构的栅极切割结构。半导体器件结构包括位于衬底...

本公开提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的示例性方法包括：在衬底的部分上方形成介电层，在介电层上方形成第一P型功函层，其中第一P型功函层包括氮化钛，在第一P型功函层上方形成第二P型功函层，其中第二P型功函层包括具有掺杂剂的氮化钛，...

形成半导体器件的方法包括：形成突出于衬底之上的鳍结构，鳍结构包括鳍和位于鳍上方的第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构的相对侧上形成浅沟槽隔离(STI)区域；在STI区域的上表面上形成STI保护结构；在鳍结构上方形成伪栅极结构...

一种位于基板上的半导体装置，包括多个主动区、及第一、第二单元区域，主动区被组织成具有第一导电型的第一列的主动区和具有第二导电型的第二列的主动区，主动区相对于具有第一虚拟参考线和第二虚拟参考线的虚拟网格排列，第一虚拟参考线与相应的第一方向...

本申请提供微机电系统(MEMS)及其制造方法。一种微机电系统(MEMS)的致动器包括半导体衬底。该致动器包括设置在半导体衬底之上的微机械臂阵列。该致动器包括设置在微机械臂之上的第一封盖构件。该致动器包括第二封盖构件，第二封盖构件与第一封...

本公开实施例提供了方法，方法包括：在衬底上方形成包括第一半导体层和第二半导体层的堆叠件，第一半导体层和第二半导体层彼此交替；在堆叠件上方形成伪栅极结构；选择性去除堆叠件的第二半导体层，在第一半导体层之间产生第一间隙；沉积第一介电材料以填...

IC器件包括有源区，在半导体衬底的前侧中在第一方向上延伸，第一栅电极，置于所述有源区上面并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，类金属限定(MD)段，在所述第二方向上邻近所述第一栅电极延伸并且置于所述有源区上面，以及第一馈通通孔(FT...

本公开涉及一种半导体装置及其形成方法，特别是提供一种降低晶圆翘曲的方法。根据本公开实施例的半导体装置的形成方法包括：沉积压缩介电层于元件晶圆上，元件晶圆包括第一基板、于第一基板上的元件层、以及于元件层上的第一互连结构；沉积第一接合层于压...

根据本公开实施例的半导体结构包括：基底鳍，位于衬底上方，并且包括第一沟道区域、第二沟道区域以及第一沟道区域和第二沟道区域之间的源极/漏极区域；第一多个纳米结构，设置在第一沟道区域上方；第二多个纳米结构，设置在第二沟道区域上方；第一多个内...

形成集成电路的方法包括在全环栅晶体管的两个堆叠沟道之间形成彼此相邻的牺牲半导体纳米结构和介电中介层。方法包括形成与介电中介层接触的内部间隔件。沟道通过去除牺牲半导体纳米结构和介电中介层来释放。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

形成半导体器件的方法包括：形成突出于衬底之上的鳍结构，其中鳍结构包括鳍并且包括与第二半导体材料的层交错的第一半导体材料的层；在鳍结构上方形成伪栅极电介质，在伪栅极电介质上方形成伪栅极，其中伪栅极电介质延伸超出伪栅极的侧壁；沿着伪栅极的侧...

一种封装结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、磁性元件、模制材料和第三绝缘层。第一绝缘层形成在基底上，且第一导电特征形成在第一绝缘层中。第二绝缘层形成于第一绝缘层上。磁性元件设置于第二绝缘层上，且包括交替地堆叠的复数个介电层和复数个导磁层。模...

本揭示内容描述了一种半导体装置，具有优化的鳍片间距，用于基本上均匀的源极/漏极结构。半导体装置包括在基板上的多重鳍片结构。多重鳍片结构在一交替的配置中具有第一间距和第二间距，并且第二间距不同于第一间距。半导体装置还包括在多重鳍片结构上的...

提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括形成在衬底上方的多个第一纳米结构，和形成在第一纳米结构上的第一栅极结构。半导体结构包括与第一栅极结构相邻形成的第一源极/漏极结构。半导体结构包括直接位于第一源极/漏极结构下方的介电层。介电层具...

方法包括：在衬底上方形成第一纳米结构堆叠件和第二纳米结构堆叠件，其中，第一纳米结构堆叠件和第二纳米结构堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；实施第一蚀刻工艺，其中，第一蚀刻工艺去除第一纳米结构堆叠件的第一半导体材料以形成第一...

本文公开使用如用于n型多栅极晶体管的伪半导体中介层(DSI)和用于p型多栅极晶体管的伪氧化物中介层(DOI)的不同牺牲层制造不同类型多栅极晶体管的方法。示例性方法包括：在p型晶体管区中形成DOI和在p型晶体管区中形成用于内部间隔件的间隙...

系统包括半导体芯片和多个互连件。半导体芯片具有分成两个或多个区域的底面或顶面。互连件形成在区域上方。每个区域中的互连件以行阵列布置。第一区域中的每个互连件连接至第四区域中的相应第一互连件。第一区域中从顶行至底行的互连件与第四区域中从底行...

提出了半导体器件及其制造方法，其中形成纳米结构器件。在一个所提出的实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件；将多层堆叠件图案化为多个鳍，鳍位于第一区域和第二区域中，第一区域是比第二区域密集的区域；圆化多个鳍的拐角；在鳍之间沉积...