本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该方法包括从衬底形成鳍结构，并且该鳍结构包括多个半导体层。该方法还包括：围绕多个半导体层中的每个半导体层的一部分沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积粘附层，并且粘附层包绕多个半导体层...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法包括在突出鳍旁边形成浅沟槽隔离区域。突出鳍包括第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构。执行掺杂工艺以将掺杂剂掺杂到浅沟槽隔离区域的顶部部分中来形成保护层。该方法还包括：在突出鳍之上形成虚设栅极堆...

本技术的各种实施例是关于一种集成电路，所述集成电路包括第一SRAM胞元及第二SRAM胞元，各自包括多个场效晶体管(FET)；FET上方的前金属线及FET下方的后金属线；以及中间带区域，位于第一SRAM胞元与第二SRAM胞元之间。中间带区...

一种半导体装置，包括光电二极管，包括沿第一水平方向横向延伸的锗材料部分、p型掺杂硅部分和n型掺杂硅部分；以及分散式布拉格反射器，包括单元层堆叠的多个周期性重复，单元层堆叠包括第一材料层和第二材料层，其中分散式布拉格反射器内的材料层的垂直...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在突出鳍旁边形成浅沟槽隔离区域；以及在浅沟槽隔离区域之上形成复合硬掩模。复合硬掩模通过多个沉积工艺和多个蚀刻工艺来形成。该方法还包括：在突出鳍之上形成虚设栅极堆叠；去除突出鳍中的牺牲层以在...

一种电压产生器包括一温度依赖电压产生器及一参考电压节点。所述温度依赖电压产生器产生一随温度上升而增加的电压，且包括第一晶体管堆迭及第二晶体管堆迭，其各自具有第一源极/漏极端子及栅极端子，其在温度依赖电压产生器节点彼此连接。所述参考电压节...

一种晶体管装置及其制造方法。晶体管装置包含第一半导体鳍及第二半导体鳍；隔离结构，位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，隔离结构包括：内部浅沟槽隔离区；第一衬垫层，沿着内部浅沟槽隔离区的侧壁及底表面；及浅沟槽隔离硬遮罩，位于内部浅沟槽隔离区...

一种半导体结构。根据本技术，半导体结构包含了基板；第一基底鳍片及第二基底鳍片自基板升起；隔离部件设置于基板上方且位于第一基底鳍片与第二基底鳍片之间；第一底部外延部件于第一基底鳍片上方；第二底部外延部件于第二基底鳍片上方；隔离层于第一底部...

本技术关于一种半导体组件，包括：半导体衬底与其上的晶体管。晶体管包括第一与S/D特征、延伸于第一S/D特征与第二S/D特征之间的通道区以及接触通道区的栅极堆叠。半导体组件包括：第一S/D接触结构，着陆于第一S/D特征的顶面；第二S/D接...

一种半导体装置及其操作方法，半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电感器及第二电感器。第一晶体管的控制端用以接收输入信号。第二晶体管与第一晶体管串联，第二晶体管的第一端用以在第一节点接收输入信号。第一电感器串接在第一晶体管与第一节点...

一种装置包括第一至第三电力/接地(PG)元件；第一组至少三个导电轨道位于第一与第二PG导电元件之间以及第二组至少三个导电轨道位于第二与第三PG导电元件之间，导电轨道以相等数量排列在第一与第二PG导电元件之间以及第二与第三PG导电元件之间...

形成半导体器件的方法包括在突出鳍的旁边形成浅沟槽隔离区域。突出鳍包括第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构。该方法还包括在浅沟槽隔离区域上形成硬掩模，在突出鳍上方形成伪栅极堆叠件，去除突出鳍中的牺牲层以在第一半导体纳米结构和第二半导体纳...

方法包括在衬底上方形成堆叠件，堆叠件包括由牺牲层交错的沟道层，图案化堆叠件以形成鳍形结构，横跨鳍形结构形成伪栅极堆叠件，使鳍形结构的源极/漏极区域凹进，选择性地去除沟道区域中的牺牲层以释放沟道层作为沟道构件，在沟道构件之间的空间中沉积伪...

本申请的各个实施例针对包括半导体衬底上方的下部介电结构的集成芯片(IC)。栅极结构位于下部介电结构上方。栅极结构包括与第二表面相对的第一表面。第一半导体层布置在栅极结构的第一表面和下部介电结构之间。第二半导体层位于栅极结构的第二表面上方...

本申请的实施例公开了半导体光子器件及其形成方法。调制器加热器结构的加热器元件包括多个部段。加热器元件的部段可以以各种配置排列，这些配置符合或不同于光调制器结构的形状。加热器元件的部段增加了加热器元件的有效长度，并减小了通过加热器元件的电...

一种中介层，包括第一导电线路结构、电性连接至第一导电线路结构的导电通孔结构、以及与导电通孔结构一起形成整体结构的第二导电线路结构。第一导电线路结构的一部分可设置在导电通孔结构中，使第一导电线路结构与导电通孔结构至少部分重叠，且第一导电线...

本公开提供了一种光刻装置和操作光刻装置的方法。该方法包括以下步骤：接收包括掩模版和表膜膜片的掩模版组件；将掩模版组件运输到曝光工具，并将掩模版组件固定在曝光工具的掩模版载台上；基于与表膜膜片的质量相关联的风险水平来确定扫描速度分布；以及...

提供一种封装结构。此封装结构包含第一晶片结构，具有导电接合结构以及环绕导电接合结构的介电接合结构，其中导电接合结构的顶表面与介电接合结构的顶表面共平面；第二晶片结构，通过介电对介电接合以及金属对金属接合接合至介电接合结构以及导电接合结构...

一种护膜包括框架、薄膜以及垫片。所述框架包括止回阀，其中所述止回阀被配置成允许气体从所述护膜的内部流至所述护膜的外部。所述框架的底表面界定出凹槽。所述薄膜延伸跨越所述框架。所述垫片被配置成配合在所述凹槽中。本发明实施例的护膜及使用所述护...

本公开涉及一种将散热器施加于半导体封装的方法、维护服务器中的处理器模块的方法、以及数据中心系统。一个或多个感测器被整合到包括半导体封装和散热器的处理器模块中。服务器中存在多个处理器模块，并且来自每个处理器模块的数据被发送到数字整合监控系...