本技术提供一种图像传感器，所述图像传感器包括在半导体衬底内位于第一数组中的多个感光区域。微透镜在半导体衬底之上设置于第二数组中。多个金属半屏蔽件设置于微透镜的子集与对应的感光区域之间。金属半屏蔽件所具有的尺寸及位置会提供半屏蔽，使得能达...

方法包括计算与电流镜电路的主控晶体管相关的输入电流和与电流镜电路的第二晶体管相关的第二电流之间的不匹配值，将不匹配值与预设的不匹配阈值进行比较，并产生指定不匹配值是否超过预设不匹配阈值的比较结果。当不匹配值超过预设不匹配阈值时，修改与第...

提供一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包含记忆体阵列，记忆体阵列包含多个记忆体单元，这些记忆体单元各自包含：记忆体单位；以及第一数目个第一晶体管，串联耦接在记忆体单位与第一电压端之间。记忆体装置还包含耦接在记忆体阵列与第二电压端之间...

本申请涉及半导体栅极结构及其形成方法。一种方法包括：在第一沟道区域上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积p型功函数调整层；将p型功函数调整层暴露于硅基前体一段时间；以及在p型功函数调整层上沉积n型功函数调整层。将p型功函数调整层暴露于...

本技术提供一种包括与第二集成电路(IC)裸片堆栈的第一IC裸片的影像传感器。第一IC裸片包括设置于第一衬底内的多个光侦测器。第二IC裸片包括设置于第二衬底上的多个画素晶体管及一个半导体电容器。半导体电容器包括第一电容器电极、电容器电介层...

本技术提供一种集成电路封装及其形成方法。集成电路封装可以包括第一管芯、沿着第一管芯的多个侧壁的第一间隙填充层、第一管芯和第一间隙填充层上的第一接合层、以及第一接合层中的第一管芯连接件。第一管芯连接件可以直接位于第一管芯和第一间隙填充层之...

本技术的实施例提供一种集成电路封装件包括封装衬底、附接到封装衬底的集成电路装置、在集成电路装置周围并附接到封装衬底的加强环；附接到加强环的盖体、连接到在盖体和集成电路装置之间的区域的通道，在俯视图中，通道沿着集成电路装置的至少一侧延伸以...

本技术提供一种包括硅内连线管芯的装置结构及包括中介层的装置结构，硅内连线管芯包括：衬底穿孔(TSV)结构，延伸穿过硅衬底；绝缘间隔层，包括上覆于所述硅衬底的顶表面之上的水平延伸部分及在侧向上环绕所述TSV结构中的相应一者的多个管状绝缘材...

集成电路系统包含电路板，电路板有顶部和底部并从顶部至底部定义出开口。底沸板有凹陷的部分和有着端点表面的凸起物，其中凹陷的部分在电路板的底部之下，其中凸起物延伸过开口，且其中端点表面在电路板的顶部之上。半导体基板位在电路板的顶部之上并包含...

可通过在控制栅极电极上形成包括第一介电层和第二介电层的复合隧穿介电质来提供存储装置。第一介电层具有相对于控制栅极电极中的导电材料的费米能阶的第一导带位移。第二介电层具有相对于导电材料的费米能阶的第二导带位移。第一导带位移大于第二导带位移...

于一些实施方式中，一种半导体结构包括基材、第一晶体管、第二晶体管以及第一栅极接触。第一晶体管位于基材上方，第一晶体管属于记忆体元件的感应放大器或电源接头，第一晶体管包括通道区域、围绕通道区域的栅极结构以及位于栅极结构的相对侧的多个源极/...

本揭露的实施例提供一种半导体装置。鳍式场效晶体管半导体包括主动的第一组鳍片结构、与第一组鳍片结构接触的源极/漏极区域、通过浅沟槽隔离特征与第一组鳍片结构分离的第二组鳍片结构、位于源极/漏极区域与第二组鳍片结构上方的接触蚀刻停止层、位于第...

方法包括在半导体区域上方形成多层堆叠件，其中，多层堆叠件包括交替设置的多个牺牲层和多个半导体纳米结构。方法还包括：去除多个牺牲层；在多个半导体纳米结构之间形成多个一次性中介层；对多个一次性中介层实施氧化工艺；使多个一次性中介层横向凹进以...

本申请的实施例涉及光子集成电路器件及其形成方法。光子集成电路器件具有非对称双环谐振器。非对称双环谐振器包括具有第一有效长度的第一环和具有与第一有效长度不同的第二有效长度的第二环。第一有效长度和第二有效长度接近第三有效长度的整数倍。第三有...

本申请涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括在半导体衬底上形成晶体管，该方法包括通过外延工艺来形成源极/漏极区域。该方法还包括：执行背侧减薄工艺以减薄半导体衬底；蚀刻半导体衬底以形成接触件开口，其中，源极/漏极区域的背面通过接触件开口...

本技术实施例涉及光学装置及光学系统。本技术的实施例提供一种光学装置，其包含波导及光调制器。所述光调制器包括经定位于所述波导上的桥接区段，其中所述桥接区段包括相变材料。所述光学装置还包含加热部件。所述加热部件包含中间区段及两个电接点区段。...

本公开提供了图像感测结构。图像感测结构包括：第一像素和第二像素。第一像素包括第一光电二极管、第二光电二极管和第一隔离构件。第一隔离构件设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间，并且沿第一方向延伸。第二像素设置为与第一像素相邻，并且包括第...

公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域、与第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域相邻设置的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域以及围绕第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构...

本发明实施例的一种装置的制造方法包括形成第一层。当所述装置为铁电场效晶体管时，所述第一层可为铁电层，或当所述装置为晶体管时，所述第一层可为栅极介电层。可选地，所述第一层可为装置的通道。通过物理气相沉积在所述第一层上沉积金属层，然后将所述...

一种互连结构。此结构包含介电层；导电部件，设置于介电层中；以及导电层，设置于介电层上方，其中导电层包含第一部分及相邻于第一部分的第二部分。此结构也包含第一阻障层，接触导电层的第一部分；第二阻障层，接触导电层的第二部分；以及介电材料，设置...