一种记忆体装置，包含多个第一解码线。多个第一解码线设置于第一金属化层中并在第一方向上延伸。多个第一解码线中的每一者各自包含分别耦接至多个第一记忆体单元及多个第二记忆体单元的至少一第一段及一第二段。多个第一解码线中的每一者的第一段及第二段...

本公开提供一种半导体封装体。半导体封装体包括晶粒及重分布结构。晶粒具有在晶粒的第一侧处的导电垫。重分布结构在晶粒的第一侧之上并电性耦合到晶粒，且重分布结构包括第一介电层、第一导孔及第一介电结构。第一介电层包括第一介电材料。第一导孔在第一...

一种装置结构及组件，装置结构包含中介层，包含埋置于层间介电层中的金属布线结构及光波导，其中中介层包含阶梯式外侧壁，阶梯式外侧壁包含最外部垂直表面区段、相对于最外部垂直表面区段横向凹陷的横向凹陷侧壁区段以及连接最外部垂直表面区段及横向凹陷...

本技术提供一种光接收器系统。光接收器系统包括光电路，光电路可以包括相移装置、解复用器装置、功率结合器装置和/或功率分配器装置。光电路内的这些装置的不同组合可以平衡和/或减少光电二极管装置内的光电流，以相对于不包括光电路的另一光接收器系统...

提供一种半导体结构及方法。在一实施例中，一种示例性方法包括接收工件，所述工件包括在衬底之上的多个纳米结构、包绕并位于多个纳米结构之上的栅极堆叠，以及耦合到多个纳米结构的源极/漏极特征。所述方法还包括在工件之上形成介电结构、在介电结构中形...

本发明的实施例提供了一种存储器电路，包括可通过第一存取线和第二存取线操作存取的第一存储器单元；分别耦接到第一存取线和第二存取线的第一读取传输门晶体管和第二读取传输门晶体管；第一感测放大器，其耦接到所述第一存取线和所述第二存取线；第一读取...

本揭示文件提供一种记忆体装置及其操作方法。操作方法包含：将位元线充电至读取电压位准；将位元线耦接至记忆体部件；以及根据储存于记忆体部件中的数据位元，将位元线的电压位准自读取电压位准开始调整。读取电压位准小于记忆体部件的矫顽电压位准。

本技术实施例提供一种半导体装置结构，半导体装置结构包括第一S/D区、第一井部、第二S/D区、第二井部以及绝缘结构。第一S/D区设置在基底上方，第一井部设置在第一S/D之下，第二S/D区设置在基底上方，第二井部设置在第二S/D区之下，绝缘...

本发明提供了半导体结构，包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的绝缘体鳍，从截面图看，该绝缘体鳍具有与半导体衬底的顶面垂直的主尺寸，以及沿着主尺寸覆盖绝缘体鳍的半导体覆盖层。本发明中也公开了用于制造半导体结构的方法。

本技术实施例提供一种半导体装置结构，其包括：一第一鳍部结构及一第二鳍部结构以及一介电壁位于一基底上。介电壁包括：一第一介电层以及一第二介电层位于第一鳍部结构与第二鳍部结构之间。第二介电层由该第一介电层围绕，且具有“V”形剖面轮廓。

本揭露提供一种分析集成电路(IC)的方法、非瞬时储存媒体以及检测装置。所述方法包括获取IC的复检扫描式电子显微镜(RSEM)影像，以及获取所述IC的电压对比电子束影像。布局影像从描述IC的布局的布局档案中被渲染出来。IC的RSEM影像的...

形成半导体结构的方法包括：形成第一复合载体，包括：在载体上形成第一介电层，和在第一介电层中形成多个金属焊盘。形成多个金属焊盘包括执行平坦化工艺以使第一介电层和多个金属焊盘的第一表面平整。重建晶圆形成为包括多个器件管芯、和位于多个器件管芯...

提供一种记忆体装置及操作记忆体装置的方法，记忆体装置包含：非挥发性记忆体阵列，包含多个记忆胞，其中配置在同一行中的记忆胞用以储存对应的权重数据，且耦接至多个字元线中的同一字元线；字元线驱动器，用以根据多个输入数据信号将多个字元线信号传输...

IC封装件包括：发射器和/或接收器，位于半导体管芯中并且包括信号端子；焊盘，位于半导体管芯的第一表面上，焊盘电连接至信号端子；钝化层，位于第一表面上并且包括与焊盘对准的第一开口；第一钝化后互连(PPI)层，包括电连接至焊盘的导电路径；第...

本技术提供一种电容器包括底部电容器极板，包括均方根(RMS)表面粗糙度为至少1.14的粗糙上表面；电容器介电层，位于底部电容器极板上且接触底部电容器极板的粗糙上表面；以及上部电容器极板，位于电容器介电层上。一种半导体装置包括晶体管，位于...

本发明提供一种形成电极结构的方法以及电子束转向装置，方法包括在第一硬罩幕层中形成第一空腔和第二空腔，用导电材料填充第一空腔和第二空腔以形成第一导电柱和第二导电柱。以及平坦化第一导电柱和第二导电柱的暴露表面。之后，在第一硬罩幕层上设置第二...

在一些实施例中，本揭露涉及一种集成元件，包括：衬底；半导体层位于衬底上且包括作为声音埠、密封腔或检验质量块之一的第一结构，以及作为声音埠、密封腔或检验质量块之一的第二结构，其中第二结构是与第一结构不同的声音埠、密封腔或检验质量块；压电层...

本申请涉及一种影像感测装置，形成适合具有小间距的光侦测器的深沟渠隔离结构的问题透过工艺解决，其中使用高能量等离子体从前侧蚀刻出沟渠的栅格，然后进行退火。沟渠填充氧化物，然后进行蚀刻以使氧化物凹陷。沟渠凹槽被半导体填充，形成网格状半导体结...

本发明实施例提供一种测试装置及其操作方法。所述测试装置包含多个待测器件DUT及先进工艺控制监测器APCM。所述APCM包含开关电路、控制电路、检测电路及辅助控制电路。所述开关电路包含对应于所述DUT的多个开关器件。所述控制电路包含对应于...

本申请的实施例公开了光学电路以及执行人工智能加速器的光学计算的方法。光学电路包括：源像素，被配置为产生具有时间间隔的多个输入光脉冲；调制器像素，其光学耦合到所述源像素，并被配置为调制所述多个输入光脉冲以产生多个调制光脉冲；检测器像素，其...