本技术提供包括第一管芯及与第一管芯接合的第二管芯的半导体堆叠结构。第一管芯具有第一区及被第一区包围的第二区。第一管芯包括具有第一密封环结构的第一金属化结构及具有位于第一密封环结构之上的第一虚设接垫的第一接合结构。第二管芯包括具有第二密封...

半导体装置包括记忆体单元。记忆体单元包括第一晶体管、第二晶体管与电阻器。第一晶体管与第二晶体管分别可操作地串联耦合至电阻器。第二晶体管形成在一或多个介电质层上，使得第二晶体管配置以积聚热量，并且当记忆体单元程序化时将积聚的热量提供给电阻器。

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供半导体器件结构及其形成方法。该结构包括第一源极/漏极区域、沿第一方向与第一源极/漏极区域相邻设置的第二源极/漏极区域、沿与第一方向基本上垂直的第二方向与第一源极/漏极区域相邻设置的...

本揭露的一些实施例提供了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括形成铜再分布层的一部分的导电结构。形成导电结构包括在遮蔽结构中形成导电结构及执行化学/机械抛光工艺以使导电结构平坦化。在遮蔽结构中形成导电结构使得导电结构能够具有圆形底脚...

本技术实施例是有关于一种半导体装置。半导体装置包括第一管芯、第二管芯以及第三管芯。第一管芯具有包括多个第一连接结构的第一侧以及包括多个第二连接结构的第二侧，其中第一侧与第二侧相对。第二管芯具有包括多个第三连接结构的第三侧，其中所述多个第...

一种形成半导体结构的方法包括形成晶圆，并蚀刻晶圆的第一介电层以在晶圆的两个管芯之间形成第一沟槽。晶圆的第二介电层的第一部分直接位于第一沟槽下方。然后执行激光开槽工艺，以去除晶圆的第二介电层的第一部分，形成位于第一沟槽下方并与第一沟槽连接...

一种半导体装置，包含多个第一纳米结构通道、多个第二纳米结构通道、第一金属栅极结构、第二金属栅极结构、栅极隔离结构以及主动区隔离结构。第一纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第一凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第二纳米结构通道位...

本技术提供一种影像传感器装置和红绿蓝互补式金属氧化物半导体影像传感器装置。影像传感器装置包括第一衬底，其包括设置在第一衬底的第一侧和第二侧之间的至少一个可见光传感器；第二衬底，其包括设置在第二衬底的第二侧与第二衬底的第一侧之间的红外线光...

本发明提供了与诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件和用于形成那些导电部件的方法相关的示例性实施例。在一些实施例中，一种结构包括：第一介电层，位于衬底上方；第一导电部件，穿过第一介电层，第一导电部件包括第一金属；第二介电层，位于第一介电层...

一种半导体装置包含一第一鳍片、一第二鳍片及位于该第一鳍片与该第二鳍片之间的一混合鳍片。该混合鳍片经塑形以包含一基座及在接近于该第二鳍片的一侧上自该基座延伸的一角部。一n型磊晶结构由该第一鳍片支撑，且一p型磊晶结构由该第二鳍片支撑。一缝隙...

本申请的实施例公开了半导体封装结构及其形成方法，该方法包括形成集成电路器件，该集成电路器件包括形成在晶圆的半导体衬底的顶面处的晶体管，形成在集成电路器件上方并连接到集成电路器件的前侧互连结构，形成在前侧互连结构上方并连接到前侧互连结构的...

本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及一种半导体器件结构。该结构包括衬底、设置在衬底上的绝缘材料、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第一鳍结构、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第二鳍结构，其中，第一鳍结构和第二鳍结构沿第一方向...

本公开实施例的方法包括：形成包括垂直堆叠在衬底之上的多个沟道构件的结构；形成邻接沟道构件的源极/漏极部件；在形成源极/漏极部件之后，沉积包裹沟道构件的介电材料层，其中空隙在沉积介电材料层之后保留在相邻的沟道构件之间；选择性去除介电材料层...

方法包括：在载体上方形成再分布结构；使用第一导电连接件将半导体管芯附接至再分布结构；将第一底部填充物分配至半导体管芯和再分布结构之间的第一间隙中；使用第二导电连接件将衬底接合至再分布结构，衬底接合至再分布结构的与半导体管芯相对的侧；以及...

一种集成电路(IC)器件包括第一和第二管芯。第一管芯包括第一发送电路、第一接收电路和第一电路。第一发送电路发送对应于第一时钟信号的输出时钟信号。第一接收电路接收输入时钟信号和输入信号，并基于输入时钟信号输出对应于输入信号的第一信号。第一...

一种记忆体装置，包含记忆体阵列、多个存取字元线及第一追踪字元线。记忆体阵列包含配置于多个行及多个列上的多个位元单元。多个存取字元线沿着侧向方向延伸。多个行分别对应于多个存取字元线。第一追踪字元线沿着侧向方向延伸且具有第一部分及第二部分。...

提供了无源光学中介层，无源光学中介层包括其中形成有中介层波导的中介层介电材料层，并提供了中介层接合焊盘。提供了第一组件，包括第一半导体管芯和至少一个第一光子管芯，第一光子管芯包括第一光子器件和第一波导。提供了第二组件，包括第二半导体管芯...

提供了半导体封装。半导体封装包括中介层、安装在中介层的第一表面之上的至少一半导体集成电路晶粒、接合到中介层的第二表面的封装基板、以及接触中介层的第二表面并横向围绕封装基板的模制部分。封装基板可相对于中介层横向受限，使得封装基板的至少一水...

方法包括：沉积包括交替定位的多个牺牲层和多个半导体层的多层堆叠件。多个牺牲层包括具有第一厚度的底部牺牲层以及位于底部牺牲层上方的上部牺牲层。上部牺牲层具有小于第一厚度的第二厚度。方法还包括：图案化多层堆叠件以形成突出鳍；在突出鳍上形成伪...

形成晶体管的方法包括：形成晶体管的多个堆叠沟道；形成与沟道交错的多个半导体结构；以及在沟道的端部和半导体结构上的源极/漏极沟槽中形成半导体晶种层。然后从源极/漏极沟槽中的晶种层外延生长晶体管的源极/漏极区域。然后，用介电内部间隔件替换半...