本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法。该方法包括在第一p型器件区中形成第一鳍结构，在第二p型器件区中形成第二鳍结构。第一鳍结构和第二鳍结构中的每个都包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括蚀刻第一鳍结构和第二鳍结构...

一种气体接口、半导体工艺系统及离子植入系统。气体接口包括电绝缘的连接管、输入金属气体管线、输出金属气体管线、输入气体联接器。一工艺气体经由电绝缘的一连接管自电接地的一输入金属气体管线流动至一输出金属气体管线。金属气体管线与该连接管之间的...

本公开提供一种无源器件或半导体衬底及其制造方法。无源器件包括在具有绝缘体衬底的衬底芯上的第一及第二上金属元件、形成在金属元件及绝缘体衬底上的钝化层、形成在钝化层上并与第一上金属元件电接触的第一导电元件及形成在钝化层上并与第二上金属元件电...

提供一种薄膜组件，包括薄膜边框、薄膜与薄膜框架。薄膜由薄膜边框支撑，其中薄膜包括第一致密化碳基层，第一致密化碳基层包括第一影像区域。薄膜框架与薄膜相邻，薄膜框架包括第二致密化碳基层，第二致密化碳基层包括第二影像区域。

一种光学分束器，包括波导分叉分支的多阶嵌套网路，其包括：每一个第一阶波导分叉分支包括一对第一阶波导区段，而每一个第二阶段波导分叉分支包括一对第二阶波导区段。每一对第一阶波导区段包括第一共同端以及一对第一拆分端以及一对第一互连部。每一个第...

一种集成电路装置包括被配置为分配供电电压的第一内连线结构、被配置为分配参考电压的第二内连线结构、被配置为分配第一功率栅控信号的第三内连线结构以及多个逻辑电路。所述多个逻辑电路中的每个逻辑电路包括电源开关。电源开关串联地耦接于所述第一内连...

一种微影系统包含极紫外光扫描机。清理系统在极紫外光扫描机中，并配置于输送氢气至极紫外光扫描机。泵与该极紫外光扫描机连接，并配置于从极紫外光扫描机移除氢气。第一燃料电池与泵连接，并配置于接收从泵的氢气。电力供应系统与第一燃料电池连接，并配...

一种晶片到晶片接合结构，晶片到晶片接合结构可包含第一晶片，第一晶片包含第一电路，第一电路电性连接至第一接合垫结构；第一介电窗结构；以及第一对准标记，在平面图中对准第一介电窗结构。

本揭露提供半导体装置包括彼此垂直分离的多个半导体层、包括下部和上部的栅极结构，其中下部围绕多个半导体层中的各半导体层、以及沿栅极结构的上部的侧壁延伸的栅极间隔物。在一些例子中，在栅极间隔物与多个半导体层的相邻一层之间测量的间隙尺寸足够小...

本发明的实施例提供了一种半导体器件、制造半导体器件的方法。半导体器件包括：有源区，位于晶体管层中；接触件‑源极/漏极(CSD)导体，位于晶体管层中；栅极导体，位于晶体管层中并与相应的CSD导体交错；VG结构，位于晶体管层中以及有源区上方...

本公开描述了具有半导体器件的多区冲击冷却的系统。该系统包括位于衬底上的第一管芯和第二管芯、传热结构和控制器。传热结构包括设置在第一管芯上方的第一隔室、设置在第二管芯上方并且与第一隔室分隔开的第二隔室、连接至第一隔室并且配置为向第一隔室供...

方法包括：在第一衬底的第一表面上形成器件层；在器件层上方形成第一互连结构；在第一互连结构上方沉积接合层；在接合层上方形成金刚石层；通过使用激光束将激光能量施加至金刚石层的顶部部分对金刚石层的顶部部分实施激光处理；以及对金刚石层实施减薄工...

本申请提供半导体器件及其形成方法。一些实现方式提供在半导体器件中形成p型金属氧化物半导体PMOS纳米结构晶体管和n型金属氧化物半导体NMOS纳米结构晶体管的半导体制造技术和相关半导体结构。该技术包括形成PMOS纳米结构晶体管的各(不同)...

方法包括：在衬底上方形成纳米结构堆叠件；在衬底中形成邻近纳米结构堆叠件的凹槽，其中，凹槽暴露纳米结构堆叠件的侧壁；在凹槽中沉积沿纳米结构堆叠件的侧壁延伸的连续半导体晶种层；在半导体晶种层上外延生长源极/漏极区域；在外延生长源极/漏极区域...

一种记忆体装置包括基板、多个金属化层、多个记忆体单元及位元线。多个金属化层设置在基板上方。各记忆体单元包括晶体管与电容器。位元线耦合至对应的一组所述多个记忆体单元。位元线至少包括第一导线结构和第二导线结构，第一导线结构和第二导线结构沿着...

一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路可包括一记忆体阵列、一数据模式侦测器及一写入驱动器。该记忆体阵列可包括多个记忆体位元单元。该数据模式侦测器可用以：(i)接收多个数据位元；(ii)识别各自等于一第一逻辑状态的所述多个数据位元的一第一...

高电压晶体管可以包括多个源极/漏极区、栅极结构和栅极氧化物层，使得栅极结构能够选择性地控制多个源极/漏极区之间的通道区。栅极氧化物层可以朝向多个源极/漏极区中的一个或多个横向向外延伸，使得栅极氧化物层的至少部分不在栅极结构下。从栅极结构...

本公开涉及具有过孔形切割栅极结构的半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种具有过孔形切割栅极结构的半导体器件。过孔形切割栅极结构可以通过自对准图案化工艺来形成，并且可以使半导体器件中的寄生电容最小化。在一些实施例中，在ILD层之...

本申请公开了半导体封装及形成方法。半导体封装包括键合在一起的第一半导体管芯和第二半导体管芯，使得第一半导体管芯和第二半导体管芯被堆叠或在竖直方向上被布置在半导体封装中。围绕第一半导体管芯和第二半导体管芯的器件区域提供密封环区域。为了防止...

本技术的各种实施例涉及集成电路装置。一些实施例涉及包括经蚀刻凹陷栅极介电区域的集成电路装置。此集成电路装置包括：衬底，其包括第一上表面；栅极介电区域，设置在衬底的第一上表面处并延伸至衬底中；以及栅极结构，设置在栅极介电区域上。栅极介电区...