本公开的实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该结构包括设置在衬底上方的栅电极层、设置在衬底上方的第一源极/漏极区域、设置在第一源极/漏极区域上方的导电接触件、设置在栅电极层和导电接触件上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一导电部...

集成电路封装件包括衬底、位于衬底上的半导体中介层和位于中介层上的集成电路管芯，集成电路管芯包括多个晶体管。载体管芯耦接至集成电路管芯的顶面。集成电路管芯包括位于集成电路管芯的顶面处的多个顶部金属结构。载体管芯包括多个伪接触焊盘。载体管芯...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及一种半导体器件结构。该结构包括衬底、设置在衬底上的绝缘材料、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第一鳍结构、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第二鳍结构，其中，第一鳍结构和第二鳍结构沿第一方向延...

本申请提供了半导体管芯封装和形成方法。包括一种纵长导电结构，其穿过被包括在半导体管芯封装中的半导体管芯的器件层。该纵长导电结构连接到器件层的相反侧的互连结构中的金属化层。为了防止、最小化和/或减少来自纵长导电结构的电流泄漏，一个或多个衬...

一种扫描链电路，包括：扫描链，包括单元结构，其中单元结构包括N个级，其中N是复数，并且每个级被配置为存储一位元。电路更包括：S个多工器，可操作地耦合到扫描链，其中S是复数，且S由N/M决定，其中M表示诊断解析度。多工器各自被配置为接收S...

一种存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列包括存储器单元，其中，每个存储器单元可通过多个访问线访问。存储器电路包括延迟电路，该延迟电路配置为接收第一时钟脉冲并将第一时钟脉冲延迟为第二时钟脉冲，其中，第二时钟脉冲紧随第一时钟脉冲。存储器电路...

本发明提出一种半导体装置与其制作方法。形成内连线层所用的结构与方法包括形成第一金属内连线层，沉积介电层于第一金属内连线层上，图案化介电层以形成开口而露出第一金属内连线层，沿着开口的侧壁与下表面形成掺杂阻障层或混合阻障层，以及沉积金属层于...

一种半导体器件包括硅衬底，该硅衬底具有彼此相对的第一侧和第二侧，并且还具有第一区域和第二区域。半导体器件包括第一硅透镜，其形成在第一区域中并沿着硅衬底的第一表面位于硅衬底的第一侧上。半导体器件包括第二硅透镜，其形成在第一区域中并沿着硅衬...

一种光学装置，包含第一光学元件的第一有源层、第一有源层上方的第一金属化层、位于第一金属化层之内的第一电容、第一金属化层上方的第一接合层以及接合至第一接合层的第一半导体装置。

在纳米结构晶体管的纳米结构通道下面及/或纳米结构通道上包括一或多个支撑介电层。可借由形成包括夹置于各牺牲层之间的一或多个通道层堆叠的纳米片材堆叠来形成纳米结构晶体管。纳米结构通道层堆叠可各自包括纳米结构通道层及位于纳米结构通道层下面及/...

本公开的一个方式涉及一种半导体结构。半导体结构包括第一及第二有源区、金属栅极结构、绝缘结构、源极/漏极接触件及馈通孔。第一及第二有源区沿着第一方向纵向延伸。金属栅极结构位于第一及第二有源区的通道之上，并沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延...

所描述的一些实施方式包括一种晶体管结构、半导体装置及其形成方法。半导体装置包括晶体管结构。晶体管结构(穿隧鳍式场效晶体管结构)包括形成晶体管结构的源极区、漏极区及通道区的掺杂半导体区的不同组合。掺杂半导体区的不同组合包括不同类型的掺杂剂...

半导体装置结构的制造方法包含在鳍结构的一部分上形成牺牲栅极结构，鳍结构包含交错堆叠的第一与第二半导体层。方法也包含移除鳍结构的不被牺牲栅极结构覆盖的一部分，将第一与第二半导体层的暴露表面暴露在有自由基物质下，移除第二半导体层的边缘部分，...

本公开提供一种光学装置。光学装置包含非线性材料、第一电极及第二电极，非线性材料位于基板上方；第一电极相邻非线性材料的第一侧；第二电极相邻非线性材料的第二侧。

一种光子装置结构及光子半导体装置，光子装置结构包括基板，基板具有位于其上的顶侧氧化物层。光子装置结构包括位于顶侧氧化物层上的硅层，及位于硅层中的一或多个波导组件。另外，光子装置结构包括反射装置沟槽结构，反射装置沟槽结构位于硅层中，且反射...

本发明的实施例提供了一种存储器件及其制造方法和集成电路件。一种存储器件包括具有彼此耦合到数据存储电路中的第一晶体管、第二晶体管、第一电容器和第二电容器的存储单元，所述数据存储电路被配置为存储数据。存储单元还具有彼此耦合到比较电路中的第三...

一种像素感测器阵列可包含用以产生与入射光相关联的颜色信息的多个像素感测器及用以产生与入射光相关联的距离信息的飞行时间(time of flight，ToF)感测器电路。颜色信息及距离信息可用于产生三维飞行时间彩色影像。ToF感测器电路可...

方法包括：形成下部半导体区域；形成与下部半导体区域重叠的上部半导体区域；在下部半导体区域和上部半导体区域上分别形成下部栅极电介质和上部栅极电介质；在下部栅极电介质和上部栅极电介质上形成下部栅电极；回蚀下部栅电极；在已经回蚀的下部栅电极上...

本申请公开了GAA中的纳米结构轮廓及其形成方法。一种方法包括：形成包括交替放置的多个半导体层和多个牺牲层的多层堆叠。该方法还包括：在多层堆叠上形成虚设栅极堆叠、蚀刻多层堆叠以形成沟槽、在沟槽中外延生长半导体区域以形成源极/漏极区域以及从...

本公开的实施例涉及方法，包括在衬底上方形成堆叠件，堆叠件包括由多个牺牲层交错的多个沟道层，图案化堆叠件以形成鳍形结构，在鳍形结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件，使鳍形结构的源极/漏极区域凹进以形成源极/漏极沟槽，选择性地去除牺牲层以将沟...