提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括沿着第一方向延伸的第一类型有源区域结构和第二类型有源区域结构。半导体器件还包括第一S/D接触件，第一S/D接触件位于第一类型有源区域结构上方并且沿着与第一方向不同的第二方向延伸。半导体器件还包...

本文提供半导体装置。在一实施例中，一种半导体装置包括埋入第一核心基板中的第一半导体组件、位于第一核心基板的第一侧上的第一再分布层、位于第一核心基板相对于第一侧的第二侧上的第二再分布层、第二再分布层上方的第一树脂膜、埋入第二核心基板中的第...

本技术的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置包括形成在基底中的多个光电二极管掺杂区以及形成在基底中的深沟槽隔离(DTI)结构，其中DTI结构分隔光电二极管掺杂区，且DTI结构包括其中界定气隙的第一填充材料。第一填充材料包括顶部...

后段制程(BEOL)晶体管包括源电极，源电极垂直堆叠在漏电极上方并且通过第一水平导电层和第二水平导电层之间的介电间隔件与漏电极间隔开。半导体层沿着介电间隔件的侧壁在源电极和漏电极之间垂直延伸。漏电极为晶体管提供沟道。栅极介电层和栅电极设...

一种存储器电路包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元，多个第一存储器单元中的每一个被配置为存储数据位，多个第二存储器单元中的每一个被配置为存储修复位；多个寄存器电路；以及耦合到多个寄存器电路的比较电路。多...

一些实施例涉及一种图像传感器器件，包括：光电探测器；以及像素电路，包括：浮置扩散节点和输出节点；传输晶体管，从浮置扩散节点电耦合到光电探测器；源极跟随器晶体管，包括电耦合到浮置扩散节点的栅电极；行选择晶体管，从源极跟随器晶体管的源极/漏...

方法包括：在第一管芯上形成第一热电组件；在第二管芯上形成第二热电组件；以及将第一管芯和第二管芯连接至中介层，其中，将第一管芯和第二管芯连接至中介层将第一热电组件和第二热电组件电耦合至中介层。本申请的实施例涉及封装件及其形成方法。

封装结构包括：高功率封装件，附接到衬底；第一低功率封装件，附接到衬底；第一散热器件，附接到第一低功率封装件；液体冷却系统，附接到高功率封装件；以及热电系统，夹在高功率封装件和液体冷却系统之间，其中，热电系统电连接至第一散热器件，其中，热...

本发明实施例涉及一种集成电路及其操作方法。所述集成电路包含电平移位子电路及驱动电路。所述电平移位子电路经配置以响应于输入电压信号而在第一电源域内产生第一控制信号及在第二电源域内产生第二控制信号。所述驱动电路经配置以响应于所述第一控制信号...

本公开的实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括设置于基板上方的源极/漏极区域、设置于基板上方的栅极电极层、设置在栅极电极层和源极/漏极区域之间的第一栅极间隔物，以及设置在栅极电极层和源极/漏极区域之间的介电质间隔物。介电质间隔物的...

本技术提供一种封装结构包括封装衬底、半导体装置、多个无源器件、盖体和坝结构。将半导体装置配置在封装衬底上并与其电性连接。将多个无源器件配置在封装衬底上，其中半导体装置被多个无源器件所围绕。将盖体配置在封装衬底上，并且盖体覆盖半导体装置以...

本技术的实施例提供一种半导体封装件包括第一中介物、在第一中介物上的第一半导体管芯、在第一半导体管芯上的第二中介物以及在第二中介物上的第二半导体管芯。第二中介物可在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间。第一半导体管芯可通过金属对金属接合和介...

一种包括扇出型封装的装置结构包括：模制化合物管芯框架，在侧向上环绕至少一个半导体管芯；以及有机中介层，包括嵌置有重布线配线内连线的重布线介电层，并且位于模制化合物管芯框架的第一水平表面上。包括局部凹陷区的对准标记区位于模制化合物管芯框架...

一些实施例有关于一种并入用于贯穿芯片连接的双通孔结构的集成电路元件。该集成电路元件包括衬底、设置在衬底的前侧表面之上的至少一介电层以及驻留在至少一介电层中的多个金属层。该集成电路元件还包括第一通孔结构和第二通孔结构。第一通孔结构包括多个...

一种形成半导体器件的方法，包括在第一区域中形成第一鳍，并且在第二区域中形成第二鳍，在第一鳍中形成第一悬浮纳米结构，并且在第二鳍中形成第二悬浮纳米结构，形成环绕第二鳍中每个第二悬浮纳米结构的第三半导体层，执行退火工艺以将第三半导体层中包含...

一种半导体装置，包括第一源极/漏极区，在横向Y方向上与第二源极/漏极区隔开；鳍片结构，包括半导体纳米片，其中半导体纳米片在横向Y方向上由第一终端延伸至第二终端，第一终端邻近第一源极/漏极区，而第二终端邻近第二源极/漏极区，其中第一终端定...

本技术提供一种激光生成等离子体极紫外光源，包括：真空腔室；可旋转坩埚，设置在真空腔室中，具有环形内表面用以承载液态金属；以及激光，布置成将激光光线施加到承载在可旋转坩埚的环形内表面上的液态金属，以使液态金属发射极紫外光。激光生成等离子体...

本技术的实施例提供一种图像传感器包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底、在衬底内的光电探测器区、在光电探测器区上方的衬底的第一侧上的栅极结构、围绕光电探测器区并从衬底的第一侧延伸到第二侧的深沟槽隔离结构、在第一侧的衬底内且设置在栅极...

方法包括：将顶部管芯接合在底部晶圆上方；在顶部管芯和底部晶圆的顶面上沉积应力消除层；在应力消除层上形成介电间隙填充层；对介电间隙填充层实施平坦化工艺；以及锯切介电间隙填充层和底部晶圆以形成多个封装件。封装件中的一个包括顶部管芯、应力消除...

一种存储器中计算(CIM)系统包括：在半导体管芯的第一区域中，第一组件包括相应地被配置为储存单个位的存储器单元，以及阵列包括乘法器和第一位误差检测器；存储器单元中的第一存储器单元布置在相应的第一阵列中，并被配置为储存第一位；存储器单元中...