【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及集成电路及其操作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术进步，集成电路可以信号在低于适合于外部电路(例如其它集成电路或离散电组件)的电压摆动的电压摆动下操作为特征。为解决此问题，通常将输入/输出(i/o)电路集成到芯片中以将低电压摆动信号转换为可由外部电路辨识的高电压摆动信号。在某些应用中，集成电路并入低电压晶体管(称为磁心或薄栅极晶体管)及高电压晶体管(称为i/o或厚栅极装置)两者。磁心晶体管经设计以处置低电压摆动信号，而i/o晶体管经配置以处置较大电压摆动信号。磁心晶体管经设定大小以处置低电压摆动信号，但通常未大到足以处置较大电压摆动信号。相比来说，i/o晶体管一般比低电压晶体管更大且占据更多裸片空间。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例涉及一种集成电路，其包括：电平移位子电路，其经配置以响应于输入电压信号而在第一电源域内产生第一控制信号及在第二电源域内产生第二控制信号；及驱动电路，其经配置以响应于所述第一控制信号及所述第二控制信号而在所述第一电源域内产生输出电压信号...
【技术保护点】
1.一种集成电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电平移位子电路包括交叉耦合锁存电路及第一反相器，且所述驱动电路包括电压上拉装置及电压下拉装置。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中：
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述第一控制信号在所述交叉耦合锁存电路的反相输出端子处产生，且所述第二控制信号是所述输入电压信号的反相信号。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中
6.一种集成电路，其包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述电平移位子电路包括交叉耦合锁存电路及...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电平移位子电路包括交叉耦合锁存电路及第一反相器，且所述驱动电路包括电压上拉装置及电压下拉装置。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中：
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述第一控制信号在所述交叉耦合锁存电路的反相输出端子处产生，且所述第二控制信号是所述输入电压信号的反相信号。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：洪显星，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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