本公开涉及互连结构中的导电结构和电介质结构。公开了一种互连结构和制造该互连结构的方法。互连结构包括设置在晶体管上的金属间电介质(IMD)结构、设置在IMD结构中的第一导线和第二导线以及设置在IMD结构中的第三导线。第一导线包括具有第一宽...

本文描述的一些实施方式提供了包括多层光电二极管结构的光电装置。多层光电二极管结构包括多个感测结构的堆叠配置。通过使用多个感测结构的堆叠配置，量子效应长度相对于包括单层光电二极管结构的另一光电二极管来说得到增长。此外，多层感测结构的下部感...

本发明提供一种方法，包括：将罩幕定位在罩幕修复设备的处理室中；透过第一气体分析装置判定在处理室上方的柱中形成第一真空期间是否存在第一异常；透过第二气体分析装置判定处理室内形成第二真空期间是否有第二异常；透过第三气体分析装置判定处理气体流...

本技术实施例涉及半导体装置及光子电路。所述半导体装置包含：衬底；第一波导，其经放置于所述衬底上；第二波导，其经放置于所述衬底上且与所述第一波导隔开第一距离；及加热器，其经放置于所述第二波导上且具有第一端子及第二端子。另外，所述加热器的所...

揭示了一种半导体装置、记忆体装置及记忆体的操作方法。在一个态样，该半导体装置包含一记忆体阵列，该记忆体阵列包括一第一记忆体单元及一第二记忆体单元。该第二记忆体单元具有与该第一记忆体单元的一操作特性不同的一操作特性。该半导体装置包含用以将...

晶体管包括多个堆叠沟道。堆叠沟道最初根据位于堆叠沟道之上的硬掩模结构来图案化。然后经由第一外延生长工艺形成源极/漏极区域，从而使得堆叠沟道在源极/漏极区域之间在第一横向方向上延伸。然后实施第二外延生长工艺，以通过在沟道的侧表面上形成外延...

本公开的实施例公开了光学器件及制造方法，其中在光子集成电路内形成具有卷积单元的光子神经网络。光子集成电路接合至第一半导体器件，例如存储器件，并电连接至第二半导体器件，例如片上系统器件。

本技术的实施例提供一种集成装置包括：布置在衬底上方的第一薄膜晶体管、布置在衬底上方的第二薄膜晶体管、布置在第二薄膜晶体管上方的金属阻障层，其中金属阻障层被配置为阻挡入射辐射到达第二薄膜晶体管、布置在第一薄膜晶体管上方的菲涅尔透镜，其中菲...

本发明的实施例提供了一种延迟链包括：串联耦合的延迟级，每个延迟级包括耦合在延迟级的输入节点和输出节点之间的驱动器件，以及耦合到延迟级的输出节点的电容器数模转换器(CDAC)；至少一个CDAC是可单独调整(SA)类型的CDAC(SA_CD...

本公开的实施例提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括隔离部件、延伸穿过所述隔离部件并上升至所述隔离部件上方的第一基鳍和第二基鳍、设置在第一基鳍上方的第一有源区、设置在第二基鳍上方的第二有源区、设置在第一有源区、第二有源...

静态随机存取记忆体(SRAM)单元包括第一主动区、第一栅极结构、第二栅极结构、及第一源极/漏极接触区。第一栅极结构在第一主动区上方并与第一主动区形成上拉晶体管。第二栅极结构在第一主动区上方并与第一主动区形成写入辅助晶体管。写入辅助晶体管...

本揭露描述形成具有隔离层围绕部分的栅极结构的半导体结构。半导体结构包含通道结构位于基材上，第一隔离层位于基材上且围绕通道结构，以及栅极结构位于通道结构与第一隔离层上。栅极结构包含具有第一宽度的第一部分、以及具有第二宽度的第二部分，第二宽...

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括彼此垂直分隔开的沟道结构以及包裹沟道结构的栅极结构。半导体结构还包括形成在沟道结构下方的栅极结构的第一侧壁上方的第一多孔层以及附接至沟道结构的源极/漏极结构。此外，源极/漏极结构通过第一气隙与...

本公开的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构的堆叠件；与第一纳米结构的堆叠件相邻的第一绝缘层；位于第一绝缘层上方的第一源极/漏极区域，其中第一源极/漏极区域包括在第一纳米结构的侧壁上方连续延伸的第一半导体层和位于第一半导体层上...

提供半导体结构、晶粒堆叠结构、以及制造方法。在一个实例中，半导体结构包括晶粒，其具有设置于晶粒的前侧上的测试衬垫。测试衬垫具有在测试衬垫的上部部分中的探针标记。探针标记具有在测试衬垫的顶表面处的开口末端、底壁、连接至底壁的侧壁，以及在开...

本申请的实施例涉及光子集成电路器件及其形成方法。光子集成电路(PIC)包括应力结构，该应力结构产生增强光学器件的应力场。增强可以扩大光学器件的光学模式，控制光学器件的光模式，引起偏好TM模式和偏好TE模式之间的转换，使光学器件作为模式转...

本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法，该结构包括设置在两个衬底部分之间的第一导电部件，设置在第一导电部件上方的第二导电部件，设置在第一导电部件上方的第三导电部件，以及设置在第一导电部件上方的第四导电部件。第四导电部件包括设置在...

本公开的实施例提供了一种半导体结构，其包括其上形成有器件的衬底和将器件电耦合成集成电路的互连结构；钝化结构，形成在互连结构上；以及嵌入钝化结构中的电容器，其中电容器包括插入第一沟槽中的第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)堆叠件和形成为第一柱...

半导体器件包括：半导体管芯，接合至集成电路管芯，其中，集成电路管芯包括具有至少50％的金属密度的第一互连结构；第一再分布结构，具有至少50％的金属密度，其中，第一互连结构接合至第一再分布结构；以及复合散热材料，位于第一互连结构的底面和第...

一种记忆体内运算电路及其操作方法。记忆体内运算电路(CIM)电路包含：输入电路，用于接收N个第一输入及N个第二输入；N个加法电路，各自用以将N个输入对中的对应者的对应第一指数及对应第二指数组合以产生N个指数和中的对应者；第一选择器电路，...