本公开涉及半导体器件的带空隙的源极/漏极结构。本公开描述了一种半导体器件，其具有带空隙的源极/漏极(S/D)结构。该半导体器件包括在衬底上的半导体层堆叠、围绕半导体层堆叠的栅极结构、以及在衬底上并与半导体层堆叠接触的S/D结构。S/D结...

提供了形成用于多栅极器件的低电阻源极/漏极特征的方法。一种示例方法包括：形成鳍形结构，该鳍形结构包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；使鳍形结构的源极/漏极区域凹陷，以形成源极/漏极凹部；选择性地且部分地使多个牺牲层的侧壁凹陷以形成内部间隔...

本技术提供一种包括第一和第二电荷捕获装置以及控制电路的集成电路。第一电荷捕获装置包括布置在第一闸极结构和第一通道区之间的衬底之上的第一电荷捕获结构。第二电荷捕获装置与第一电荷捕获装置串联耦合，并且包括布置在第二闸极结构和第二通道区之间的...

一种半导体结构，包括集成电路芯片，其具有装置区与周边区。第一集成电路芯片包括基板；装置层，位于基板上；内连线结构，位于装置层上；氮化物层，位于周边区中的内连线结构的第一部分上；以及氧化物层，位于装置区中的内连线结构的第二部分上。氧化物层...

一种半导体结构，包括第一外延源极/漏极部件，在基板的第一突出部分上；第二外延源极/漏极部件，在基板的第二突出部分上；第三外延源极/漏极部件，在基板的第三突出部分上；第四外延源极/漏极部件，在基板的第四突出部分上；以及隔离结构，在基板上。...

本技术实施例提供一种护膜框架及剥离护膜工具。本技术实施例是关于一种剥离护膜工具或护膜移除工具，包括一个或多个夹具结构，每个夹具结构包括相应引脚组。一个或多个夹具结构的引脚组的相应引脚被配置为在操作中插入存在于护膜的护膜框架内的孔中。一旦...

本申请的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法和集成电路器件，其中该方法包括通过形成源极/漏极开口以形成包括纳米结构沟道、中介层和硬掩模结构的堆叠件。该方法还包括在堆叠件上形成牺牲栅极结构，并形成与牺牲栅极结构相邻的间隔件层。该方法还包...

本揭露实施例公开横向金属氧化物半导体(MOS)装置和其栅极及其制作方法。在制作横向MOS装置中，在基础半导体中形成横向MOS装置的源极区和漏极区。在基础半导体上配置栅极氧化物层，且在栅极氧化物层上配置栅极层。对栅极层进行光刻图案化蚀刻，...

一种半导体元件包含：栅极堆叠，处于基材上方；金属介电衬垫，处于栅极堆叠上方；栅极遮罩，处于金属介电衬垫上方；第一氧化物层，处于基材上方，第一氧化物层的顶表面与栅极遮罩的顶表面齐平；介电层，处于栅极遮罩及第一氧化物层上方，介电层为与栅极遮...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括介电层、嵌置于介电层中的环形波导以及嵌置于介电层中且以垂直方式光学耦合至环形波导的输入/输出波导。介电层的材料、环形波导的材料与输入/输出波导的材料是不同的。通过在输入/输出波导与环形波导之间设置厚度...

示例性散热盖包括：导热外壳，具有上部板和下部板；第一虹吸芯结构，设置在下部板上并且跨越下部板的开口；以及中空内部区域，设置在上部板和下部板之间以及上部板和第一虹吸芯结构之间的导热外壳内。下部板的开口配置为接收设置在集成电路(IC)管芯上...

集成电路器件包括沿行方向彼此相邻的第一和第二位电路、沿行方向相互相邻的第三和第四位电路以及沿列方向排列的第一列输出引脚。第一和第二位电路包括在行方向上延伸的第一至第四电源轨和第一至第六有源区，第三和第四位电路包括沿行方向延伸的第四电源轨...

本公开的各个实施例针对包括位于衬底上方的互连结构的器件。接合结构位于互连结构上方。该接合结构包括设置在第一区域中的第一多个导电接合焊盘和设置在第二区域中的第二多个导电接合焊盘。第二区域与第一区域的至少一侧相邻。第一多个导电接合焊盘的第一...

本公开提供了一种改进集成电路布局图的方法和系统。该方法，包括以下步骤：获取集成电路(IC)设计的网表；对网表执行自动放置与布线(APR)过程以生成最终布局图；在APR过程的每次操作中，使用机器学习模型在APR过程中的每次操作改进生成的布...

用于接合晶圆的方法包括对第一晶圆的第一表面执行清洁工艺，以及对第一表面执行表面活化工艺。表面活化工艺选自以下构成的组：等离子体表面活化工艺，包括从工艺气体生成等离子体，其中使用过滤器来去除等离子体中的离子，并且其中使用等离子体的剩余未带...

一种半导体装置的制造方法，形成包括下部鳍状结构以及配置在下部鳍状结构上的上部鳍状结构的鳍状结构，其中上部鳍状结构包括交替堆栈的介电层与多层膜，每一个多层膜包括沟道层、第一保护层和第二保护层，且沟道层位于第一保护层与第二保护层之间。在上部...

本技术提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一元件晶粒；第二元件晶粒，堆叠在所述第一元件晶粒上；以及多个第一电连接件与多个第二电连接件，设置于第一与第二元件晶粒之间。多个第一电连接件的第一节距大于多个第二电连接件的第二节距。...

制造半导体器件的方法包括提供部分制造的半导体器件，该部分制造的半导体器件包括设置在半导体层堆叠件上方的伪栅极结构。在一些实施例中，该方法还包括去除伪栅极结构和半导体层堆叠件的每个半导体层的至少部分以形成沟槽。在一些示例中，该方法还包括在...

在实施例中，方法包括：在介电层中形成开口；用导电材料填充开口；以及对导电材料和介电层实施化学机械抛光工艺，化学机械抛光工艺包括浆料，浆料包括：磨料，磨料包括二氧化钛‑二氧化硅混合颗粒；以及氧化剂。本申请的实施例还涉及化学机械抛光浆料及其...

本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括具有光波导的光中介层；多个芯片堆叠件，设置在所述光中介层上方，所述多个芯片堆叠件中的每个都包括第一光子IC芯片和位于所述第一光子IC晶圆上方的存储芯片；以及分别与所述多个芯片堆叠...