提供了封装结构。封装结构包括：衬底；封装组件，接合至衬底；盖，设置在封装组件和衬底上方；以及界面结构，夹置在封装组件之间。封装组件包括：第一管芯；第二管芯，通过底部填充物与第一管芯横向间隔开；以及模塑料，邻近第一管芯和第二管芯。界面结构...

一种集成电路结构，包含半导体基底；互连结构形成于半导体基底上方；重布线层结构形成于互连结构上方，重布线层结构包含:重布线层接垫部分，具有接垫导通孔阵列，接垫导通孔阵列具有坐落于互连结构的第一顶部金属线上的导通孔；重布线层信号布线部分，具...

半导体装置结构的形成方法包括自含有交错堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层的半导体层堆叠形成鳍状结构；以蚀刻制程移除第二半导体层的边缘部分；在蚀刻制程之后，对第二半导体层的露出表面进行后处理制程，以自第二半导体层的露出表面移除残留物...

根据本公开的半导体器件包括逻辑单元和包括多个存储器单元的存储阵列。存储器单元和逻辑单元排列成行，第一多个存储器单元比第二多个存储器单元更靠近逻辑单元。前侧互连结构设置在存储器单元上方，并包括前侧位线。前侧位线耦合到布置在行中的每个存储器...

一种存储器中计算(CIM)系统，包括第一引导‑跟随(L/F)触发器(FF)、暂停单元和乘法单元。第一L/F触发器被配置为接收数据信号。第一L/F触发器包括：第一引导FF，被配置为接收数据信号；第一跟随FF，被配置为生成表示第一L/F触发...

本发明的实施例提供了一种电路系统，包括计算电路、可操作地与计算电路耦合的存储器阵列以及控制器，该控制器配置为将多个输入数据位输入到计算电路，识别与多个输入数据位相关联的累加数量，基于累加数量确定是否启用或禁用计算电路的至少一个组件，并且...

根据本揭露的一些实施例，揭露制造半导体组件结构的方法以及半导体组件结构。所述方法包括通过依序形成彼此堆栈的传热层以及夹在传热层之间的背侧金属化结构来形成背侧连接结构。至少一个传热层的形成包括执行退火工艺，以将绝缘材料层转变为具有纳米晶粒...

一种存储器电路，包括存储器阵列、第一存取电路和第二存取电路。存储器阵列可以包括多个非易失性存储器单元。非易失性存储器单元可以沿多个第一存取线和多个第二存取线排列。第一存取线和第二存取线可以各自沿横向延伸穿过存储器阵列。第一存取电路可以在...

本发明的实施例提供了一种存储器电路，包括第一存储器阵列，所述第一存储器阵列包括多个第一存储单元，所述多个第一存储单元被配置为存储第一数据元素；第二存储器阵列，包括多个第二存储单元，所述多个第二存储单元被配置为存储第二数据元素；以及操作地...

本揭露的实施例提供一种半导体装置结构的形成方法。方法包含：在基板上方形成鳍结构；在鳍结构附近形成绝缘材料；在鳍结构及绝缘材料上方沉积栅极介电层；在栅极介电层上沉积栅极电极层；形成穿过栅极电极层及栅极介电层进入绝缘材料的开口；随后执行蚀刻...

本发明的实施例提供了一种存储器电路及其操作方法。一种存储器电路，包括：第一缓冲器，被配置为存储多个第一数据元素；第二缓冲器，被配置为存储多个第二数据元素；控制器，被配置为基于层类型生成控制信号；阵列，包括多个处理元件(PE)，每个PE均...

本发明的实施例提供了一种存储器件及对SOT‑MRAM单元矩阵操作的方法。在SOT‑MRAM单元的矩阵中，选择第一行用于写入，选择第二行用于读取。第一行的第一SOT‑MRAM单元和第二行的第二SOT‑MRAM在第一列中，而第一行的第三SO...

一种存储器电路包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个第一存储器单元。存储器电路包括跟踪列，跟踪列包括一个或多个第二存储器单元，其中，一个或多个第二存储器单元中的每个耦接到第一跟踪位线、第二跟踪位线和第一跟踪字线。存储器电路包括控制器，控制...

本发明的实施例提供了一种集成电路设计系统、方法及计算机程序产品。所述方法至少部分由处理器执行，并且包括基于电压调节器的设计规范确定电压调节器的参数。该方法还包括基于电压调节器的参数，确定电压调节器的电压调节器(VR)模型的模型参数。VR...

本技术提供一种半导体装置。一种半导体装置(具有VFET结构)包括：第一及第二主动区(AR)；第一及第二金属对栅极(MG)接触件，邻近于第一及第二AR的通道区；金属对源极/汲极(MD)接触件及掩埋式MD(BMD)接触件，对应地耦合至第一及...

本发明的各种实施例提供一种用于形成具有高的厚度均匀性的凹进的栅极电极的方法。栅极介电层沉积为作为凹进的衬垫，多层薄膜沉积为作为凹进的衬垫位于栅极介电层上方。多层薄膜包括栅极电极层、位于栅极电极层上方的第一牺牲层、以及位于第一牺牲介电层上...

一种半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、层间介电层及后侧栅极轨道。第一晶体管及第二晶体管在上视图中在第一方向上排列。第一晶体管包括第一通道层、围绕第一通道层的栅极结构、连接至第一通道层的第一源极/漏极磊晶结构及第二源极/漏极磊晶结构。...

一种半导体装置，包括横跨半导体基板的第一型井区上方的第一鳍片的第一栅电极；横跨半导体基板的第二型井区上方的第二鳍片的第二栅电极，第一型井区与第二型井区具有相反的导电型；设置于半导体基板上方且在第一鳍片及第二鳍片的侧壁上的隔离层；将第一栅...

集成电路器件包括第一和第二晶体管以及存储器器件。第一晶体管包括耦合到第一选择线的第一源极/漏极(S/D)端子、第二S/D端子和耦合到第一字线的栅极。第二晶体管包括耦合到第一位线的第一S/D端子、第二S/D端子和栅极。存储器器件耦合到第二...

本申请的实施例公开了一种存储器电路及其操作方法，存储器电路包括被配置为储存数据的第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列。响应于第一组控制信号，第二存储器单元阵列被配置为第一逻辑电路或第二逻辑电路。第一逻辑电路被配置为基于第二组控制信号对...