本申请公开了晶体管器件中的隔离结构和形成方法。一种器件，包括第一半导体鳍和第二半导体鳍以及在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的隔离结构，该隔离结构包括：内部浅沟槽隔离(STI)区域；沿着内部STI区域的侧壁和底表面的第一衬里层；以及在内部...

本技术实施例涉及一种铁电场效晶体管(FeFET)装置及集成芯片，铁电场效晶体管装置包括：铁电结构，包括铁电层及反铁电层；栅极结构，沿着所述反铁电层的第一面设置，使得所述反铁电层将所述栅极结构与所述铁电层隔开；氧化物半导体，沿着所述铁电层...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法。其中，在一些隔离结构(例如，更浅的浅沟槽隔离结构)的形成期间以及在附加隔离结构(例如，浅沟槽隔离结构)的形成期间，使用相同的硬掩模层，导致隔离结构与其中形成隔离结构的衬底的水平面近似齐平。即，隔离结...

半导体器件包括：纳米结构堆叠件；第一层，位于纳米结构堆叠件上方并且相对于纳米结构堆叠件偏移；内部间隔件，位于第一层和纳米结构堆叠件之间；以及栅极结构，包裹纳米结构堆叠件。栅极结构包括：栅极电介质，位于纳米结构上以及内部间隔件和纳米结构堆...

公开了用于芯片堆叠件的贯通孔电力传输结构及其制造方法。示例性堆叠芯片结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片具有第一衬底、第一器件层和第一互连结构。第二芯片具有第二衬底、第二器件层和第二互连结构。第一贯通孔延伸穿过第一衬底、第一器件层、第一...

用于形成堆叠晶体管器件的方法包括：诸如通过旋涂沉积来沉积伪材料，以不同于堆叠晶体管器件的第二晶体管来处理第一晶体管。多Vt图案化(其中堆叠器件中的不同晶体管可以具有不同的阈值电压(Vt))可以通过在图案化之前沉积伪材料以选择性控制每个晶...

本揭示案的实施例描述一种用于操作研磨系统的方法，包括决定在研磨制程期间研磨系统的研磨垫的一或多个区域的轮廓。比较轮廓与参考轮廓，其中参考轮廓是研磨垫的模拟轮廓，其中比较轮廓与参考轮廓包括比较轮廓与通过数学过程、机器学习过程、大数据挖掘过...

一种光掩模保护薄膜、光掩模保护膜组装件及其形成方法。光掩模保护薄膜由特定结构的核心层和二个顶盖层形成。在一些实施例中，核心层包括高百分比的Mo<subgt;3</subgt;Si晶相。在其他实施例中，顶盖层包括氮氧化硅或碳氮...

一种光罩清洗方法。光罩清洗方法包括以下方法。打开一舱，舱中具有光罩。通过端效器夹持光罩。将端效器从已打开的舱移动至气体出口所朝向的目的地。使气体自气体出口朝向经夹持光罩排出，以及当端效器在气体出口所朝向的目的地处时使端效器相对于水平面旋转。

本发明的实施例提供了一种存储器件，包括多个存储器阵列、多个第一感测放大器和多个多路复用器。多个存储器阵列中的每个都包括多个存储单元，这些存储单元形成在多个金属化层中的相应金属化层中，这些金属化层设置在衬底上方。多个第一感测放大器中的每个...

提供了氧化物半导体铁电场效应晶体管(OS‑FeFET)及其形成方法。本文公开的器件包括位于第一介电层中的电极、位于电极和第一介电层上方的铁电层、位于铁电层上方的高k介电层、位于高k介电层上方的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层和高k介电...

本公开提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括氧化物层以及位于氧化物层的第一侧上的波导和光子组件。半导体封装件还包括与光子组件相邻并且配置为向光子组件提供热能的加热器元件。半导体封装件还包括位于氧化物层的与第一侧相对的第二侧上的...

本申请的实施例公开了互补场效应晶体管结构及其形成方法。该方法包括形成第一半导体沟道区和第二半导体沟道区时，其中第二半导体沟槽区与第一半导体沟道区重叠，在第一半导体沟槽区上形成第一栅极电介质，以及在第二半导体流道区上形成第二栅极电介质。第...

一半导体结构包含一源/漏极特征于半导体层。半导体结构包含介电层于该源/漏极特征上方。半导体结构包含硅化物层于源/漏极特征上方。半导体结构包含阻障层于硅化物层上方。半导体结构包含晶种层于阻障层上方。半导体结构包含金属层介于晶种层的侧墙和介...

本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括并排设置的第一集成电路管芯、与第一集成电路管芯交叠并电性耦接到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯和第一导电特征。每个第一集成电路管芯包括第一和第二管芯连接件。第一管芯连接件的第一间距小于第二管芯连接件...

本技术提供一种集成芯片，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。第一晶体管和第二晶体管沿着半导体衬底的第一侧。包括多个介电层的介电结构位于半导体衬底的第一侧下方。第一金属线在介电结构内。第二金属线在介电结构内且在第一金属线下方...

本公开的各个实施例针对半导体封装结构，该半导体封装结构包括支撑结构，支撑结构具有与第二表面相对的第一表面。第一集成电路(IC)芯片位于支撑结构的第一表面上。盖结构位于支撑结构的第二表面上。蒸汽室设置在支撑结构中并且置于第一IC芯片的至少...

本公开提供了根据一些实施例的集成电路(IC)结构。IC结构包括电路结构，具有形成在第一衬底上的半导体器件、半导体器件上方的互连结构；以及形成在第二衬底上的散热结构。第二衬底接合到电路结构，使得散热结构介于第一衬底和第二衬底之间。散热结构...

一种方法包括：通过湿台设备处理晶圆；在湿台设备的排气中形成颗粒物；将排气流至洗涤器的第一洗涤室；通过使排气经由规则填料流至第二洗涤室，以从排气中去除颗粒物的第一部分；通过涡流管冷却第二洗涤室；以及通过邻近第二洗涤室的规则除雾器从排气中去...