一种半导体装置包括半导体基板、第一鳍部、第二鳍部及浅沟槽隔离区。第一鳍部设置于半导体基板上。第二鳍部设置于半导体基板上且与第一鳍部以一距离相邻。浅沟槽隔离区设置于第一鳍部及第二鳍部之间，且浅沟槽隔离区包括第一介电层及第二介电层。第一介电...

本申请公开了处理源极/漏极区域的底部下方的电介质膜。一种方法包括：在半导体区域之上形成栅极堆叠；蚀刻半导体区域以在栅极堆叠旁形成源极/漏极凹部；沉积第一电介质层，其中第一电介质层的一部分位于源极/漏极凹部中；对第一电介质层执行处理工艺；...

一种封装结构，包括形成在第一基底上的第一接合膜以及形成在第一接合膜中的第一对位标记。第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案。封装结构包括第二接合膜，形成在第二基底上并接合到第一接合膜。封装结构包括第二对位标记，形成在第二接合膜中。第二...

本公开的一个方面涉及集成电路(IC)封装组件。IC封装组件包括印刷电路板(PCB)；安装在PCB顶表面上的封装IC结构；设置在封装IC结构上方的热沉结构；以及固定在PCB底表面上的背板。背板包括基部和突出部。突出部从基部突出，并且PCB...

本公开涉及纳米FET中的硅锗表面处的基于氮化物的钝化层。在产生纳米FET的方法中，在鳍中形成源极和漏极第一沟槽，该鳍包括交替形成在彼此之上的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。第一半导体层被沉积在源极和漏极第一沟槽的底部部分并且延伸到最...

本公开的一个方面涉及集成电路(IC)结构。IC结构包括管芯和设置在管芯上方的集成散热器结构。在一些实施例中，集成散热器结构包括与管芯相邻的第一闭环微通道结构和设置在第一闭环微通道结构上方的第二闭环微通道结构。在示例中，第二闭环微通道结构...

本公开提供了形成半导体器件的方法，该方法包括从第一侧在集成电路(IC)衬底上方形成金属化结构。从第一侧对金属化结构执行图案化工艺。通过图案化工艺将金属化结构图案化为多个金属化岛。从第一侧在多个金属化岛上方分别形成多个含金属结构。将IC衬...

在实施例中，一种方法包括：将管芯附接至中介层；将中介层附接并且电耦接至封装衬底；将封装盖和第一热界面材料附接至管芯和封装衬底；将封装衬底附接并且电耦接至组件衬底；以及使用螺钉将散热器和第二热界面材料附接至封装盖，螺钉在散热器和组件衬底之...

根据本公开实施例的半导体封装件包括中介层以及安装在中介层上的组件。组件包括第一管芯以及设置在第一管芯上方的具有远离第一管芯的表面的第二管芯。第二管芯包括金属焊盘。金属焊盘的顶面与表面共面。金属焊盘是电浮置的。本申请的实施例还涉及封装结构...

本公开的实施例公开了一种存储器件，可以包括存储阵列、第一计算单元和第二计算单元。存储阵列可以包括多个存储单元，用于存储神经网络的权重。第一计算单元可以被配置为从多个存储单元接收存储的权重，并且根据存储的权重生成第一部分和。第二计算单元可...

一种形成半导体结构的方法，包括：在第一介电层中形成导电部件；在导电部件上方形成第二介电层；在第二介电层中形成开口以暴露导电部件的顶面；在导电部件的顶面处形成抑制剂膜；沉积导热层，导热层具有在开口的侧壁上的第一部分和在第二介电层的顶面上的...

本发明的实施例提供了接触结构及其形成方法。根据本公开的接触结构包括导电部件、导电部件上方的蚀刻停止层(ESL)、ESL上方的介电层以及延伸穿过介电层和ESL以接触导电部件的接触部件。介电层包括低k介电基材和设置在低k介电基材中并且被配置...

提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成金属层；图案化金属层以形成其间具有沟槽的第一金属线和第二金属线；在沟槽的下部部分中沉积牺牲层；在牺牲层上形成第一介电层；在形成第一介电层之后，选择性去除牺牲层以在第一金属线和第...

一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置具有记忆体单元，记忆体单元在具有第一电压位准的第一电源域中操作。记忆体字线连接至记忆体单元，且记忆体位元线连接至记忆体单元。字线解码器电路在第一电源域中操作，且字线驱动器电路用以自字线解码器电路接收...

本公开涉及半导体器件中的栅极结构的轮廓。公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的半导体层、与半导体层相邻设置的源极/漏极区域、设置在半导体层上的栅极结构、沿栅极结构的侧壁设置的具有三角形横截面轮廓的...

本申请提供用于减轻半导体器件中的布局相关效应的电介质框架结构。本公开描述了具有电介质框架结构的半导体器件。该半导体器件包括：沟道结构，在衬底上并且沿第一方向延伸；栅极结构，在沟道结构上并且沿与第一方向不同的第二方向延伸；电介质框架结构，...

本揭示案是关于一种半导体装置与操作半导体装置的方法。一种半导体装置包含：读出放大器；第一记忆体阵列，包含位于读出放大器的第一侧上的第一记忆体单元的第一段；第二记忆体阵列，包含位于读出放大器的第二侧上的第二记忆体单元的第二段；第一参考单元...

一种半导体结构包含第一晶体管、第二晶体管、第一金属硅化物层、第一无氟钨层及第一钨接触。第一晶体管包含多个第一半导体片；包围第一半导体片中的每一者的第一栅极结构；及位于第一半导体片中的每一者的任一侧上的多个第一源极/漏极结构。第二晶体管位...

实施例的相变材料(PCM)开关可包括相变材料组件、第一电极、第二电极、以及直接加热组件，直接加热组件包括与相变材料组件接触的离子电阻改变材料。相变材料组件可包含相变材料，相变材料藉由施加由直接加热组件产生的热脉冲而自导电相切换至电性绝缘...

本发明提供了接触结构及其形成方法。根据本公开的接触结构包括：蚀刻停止层(ESL)；第一柱部件和第二柱部件，设置在ESL上；金属部件，设置在第一柱部件和第二柱部件之间，金属部件包括第一侧壁、底面、第二侧壁和顶面；介电衬垫，从第一柱部件的顶...