形成半导体器件的方法包括：形成包括纳米结构和纳米结构周围的栅极结构的器件层；在器件层的前侧上形成第一互连结构；以及在器件层的背侧上形成第二互连结构，其包括：使用第一介电材料沿器件层的背侧形成介电层；在介电层中形成第一导电部件和第二导电部...

本技术的实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括集成电路管芯和包封体。集成电路管芯包括半导体衬底和连接到半导体衬底的内连线结构，半导体衬底包括第一凸缘，而内连线结构包括第二凸缘。包封体沿着第一半导体衬底的第一凸缘和第一内连线结构的第二凸...

半导体晶圆被提供。范例半导体晶圆有多个被晶粒空间区所分割的晶粒区域，且包含晶圆基板、设置在晶圆基板上的多个晶粒以及对应至多个晶粒的多个埋藏牺牲结构。每个晶粒皆位于对应的晶粒区域且还包含晶粒基板、设置在晶粒基板的集成电路元件以及设置在集成...

一种半导体装置，包括各自沿一第一横向方向延伸且彼此垂直间隔开的多个半导体层，以及沿一第二横向方向延伸且包括多个区部的一金属栅极结构。每一半导体层均由相邻的区部所包围。半导体装置也包括多个内间隔层对，分别设置于一对应区部的一端部旁侧。半导...

一种反相器电路包括：电性绝缘结构，具有包括第一表面及第二表面的平板几何形状，第一表面与第二表面彼此平行且各自定向于垂直于厚度方向的相应平面中；p型半导体层，形成于第一表面上；n型半导体层，形成于第二表面上；栅极介电层，形成为与p型半导体...

本技术提供一种半导体装置，包括形成于后段制程区中的非挥发性内存结构。非挥发性内存结构包括基于介电质的一次性可程序化反熔丝内存结构或基于介电质的可变电阻式内存。非挥发性内存结构借由修改非挥发性内存结构的电阻而被选择性地程序化，且即使当自半...

本公开的实施例提供了金属‑绝缘体‑金属器件(MIM)结构及其形成方法。MIM电容器器件结构包括第一导电层和设置在第一导电层的第一部分和第二部分上的电介质堆叠。电介质堆叠包括设置在第一导电层上的第一电介质层、设置在第一电介质层上的高K电介...

本公开实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：在衬底上方形成与牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件以形成鳍形结构；在鳍形结构上方形成伪栅极堆叠件；使鳍形结构凹进以形成源极/漏极沟槽；使牺牲层部分凹进以形...

提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括：第一管芯，具有位于封装衬底上方的第一衬底；以及盖。第一通道可以穿过第一衬底从第一管芯的第一侧壁延伸至第一管芯的第二侧壁。盖可以包括：顶部部分，位于第一管芯上方；以及第一底部部分，...

本申请公开半导体器件中的栅极结构轮廓。本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；基底结构，基底结构具有设置在衬底上的第一基底部分和第二基底部分；隔离区，设置在衬底上并且与基底结构相邻；纳米结构沟道区，设置...

一种储存器件，包括锁存单元的阵列和多个单元间传输开关。每对两个相邻的锁存单元通过单元间传输开关耦合在一起。每个锁存单元包括串联连接在第一位节点和第二位节点之间的第一反相器和第一传输开关，以及串联连接在第二位节点和第一位节点之间的第二反相...

根据本公开的封装结构包括封装衬底、设置在封装衬底上方的封装组件、设置在封装衬底和封装组件上方的盖子以及嵌入盖子中的主动冷却器件。本公开的实施例还涉及冷却部件和形成封装结构的方法。

在实施例中，器件包括：中介层，包括：前侧再分布结构；背侧再分布结构；密封剂，位于前侧再分布结构和背侧再分布结构之间；互连管芯，位于密封剂中；以及热储管芯，位于密封剂中，热储管芯邻近互连管芯；存储器器件，附接至前侧再分布结构，存储器器件在...

一种存储器器件包括自旋轨道扭矩(“SOT”)导体、SOT导体上方的磁隧道结(“MTJ”)结构、MTJ结构上方的双端子读取选择器、MTJ结构下方的双端子写入选择器和SOT导体下方的位线。双端子读取选择器与MTJ结构中的钉扎层导电连接。双端...

本发明的实施例公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬...

本公开公开了存储器器件、存储器电路及其操作方法。在一个方面，一种存储器器件包括耦合在第一位线和第二位线之间的存储器单元。存储器单元包括写入电路，该写入电路被配置为在写入操作期间经由第一位线和第二位线将数据写入存储器单元。存储器单元包括电...

本技术的实施例提供一种可在第一和第二状态之间选择性地切换的场效晶体管包括：源极和漏极区以及设置在其间的通道区；被布置为选择性地接收偏压的栅极，该偏压在第一和第二状态之间切换场效晶体管；在栅极和通道区之间的存储结构包括反铁电的第一部分和铁...

描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括穿过介电材料、互连结构和衬底设置的硅通孔。硅通孔具有：具有第一直径的顶面以及位于衬底中的具有第二直径的部分，并且第一直径基本上大于第二直径。结构还包括围绕硅通孔的合金部分、围绕合金部分的阻挡层以...

本公开提供了一种半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：形成由牺牲层交错的沟道层堆叠件，对堆叠件进行图案化以形成鳍形结构，在鳍形结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件，使源极/漏极区凹进以形成源极/漏极沟槽，在源极/源极沟...

本公开提供了一种集成电路(IC)结构，IC结构包括具有IC芯片的IC封装结构；以及与IC封装结构集成的热电自冷器件(TESCD)。TESCD还包括热电冷却(TEC)器件和液体冷却模块，该TEC器件具有多个TEC单元，该多个TEC单元配置...